صفحه 1:
از نرم افزار
1( ساخت خازن :مي دانیل 8 ألایه فلز با اندازه هاي
محتلف با يك دي المتزيك بین آنها با هم يك خاین
تشکیل مي دهند که ظرفیت | شامل ظرفیت
دوخازن بصورت زیر مي باشد:
1)خازن صفحه اي (صفحات موا
2)خازن حاشیه اي با جانبي چم سم
0کلچه (خازن‌سطحیل+0 (خا
©
wee ا
صفحه 2:
واحد استاندارد ظرفیت رن
۰ براي آساني کارازيك واحد استاندارد ظرفیت
استفاده مي کنیم که بتواند مقادیر متناسب با
تكنولوزي را بكيرد اما درعين حال بتواند بدو نلا
نتساب يك مقدار مطلق به آن » آنرا در
a بکاربرد این واحد با
نشان داده مي شود وبه عنوان ظرفیت گیت به
کانال يك ترانزیستور 0008 با (20رات اندازه نما
تعريف مي شود .براي قوانين تني بر لامبدا
بك مربع استاندارد ت يك| بع با اندازه
نما مانند شکل تمرف + Md
صفحه 3:
۱ واحد استاندارد ظرفیت خازن
مهم ايندي مي توان بدست
ورد :
- بطور مثال براي 00618 مربع استاندارد براي
تكنولوزي 0.8 60006 میکرون بصورت زیر بدست مي آید :
۰ چون در تکنولوژري 1.2 میکرون لامبدابرابر0.6 مي باشد
ت14 21200 2 ری استاندارد
مقدارخازن سطح گیت برابرمسجبع/9 266 مي باشد .
ظرفیت خازن گیت* اندازه مربع استاندارد-مقدااستانداردظرفیت خازن گیت
=1.44x493x10 =709.92af
حال اكر بخواهيم ظرفيت سطحي خازن كيت را محاسبه كنيم با برقراري نسبت
بين مساحت مورد نظر ومساحت گیت استاندارد
gh فيد ظرفیت سطح مورزنطلر دوست مي آید.
براي مثال اكر با يك صفحه خازني به أبعاد
وضرب أن در إستاندراد
Dail داشته
=30X709,92x10 2212976
مقداراستاندارد*مساحت نسبي-ظرفیت
صفحه 4:
انواع خازن
در نرم افزار ۷۵۵ پنج نوع خازن وجود دارد که
توجه به نوع تكنولوزي مورد استفاده مي توان
آزاین خازنها استفاده نمود:
سین ۵006 00006 (0
CPMOOG (POOG Cupar) )8
(سسبه مبمریم) همم (6
OPLPS (Prk-Pofy Curator) )&
S) C-Del (Del Copantor)
هر يك از خازنهاي گفته شده داراي يك خازن
صفحه اي يا ورقه اي ويك خازن حاشیه اي
Brea & Prine) ) مي باشند که ظرفیت کل خازن
برابر با مجموع خازن صفحه اي وحاشیه اي مي
باشد
صفحه 5:
0200
٠ همانطور که از نامش پیداست براس ساخت این
خازن از ترانزیستور 6 استفاده مي کنند
-CNMOS: NMOS capacitor
صفحه 6:
۵۵۵0
که به جاي 0008 از ۴۵۵6۵ استفاده
مي شود و مساحت خازن برابر است با
CPMOS: :PMOS ‘capacitor
صفحه 7:
"۳ ۳3
۰ 3) ۵ : دراین روش ازيك لایه 7
ولایه مر با لایه 10 سیون رويه
sly ul ساخت خازن استفاده مي شود
در این نوع خازن ظرفیت آن برابر
و10 ون مي باشد .
* شکل صفحه بعد دوخازن سري با
استفاده از lL, pou نشان مي دهد :
صفحه 8:
۳۹9
CAP: POLY. CAPL capacit
اشتراك لايم ءامو
و109 7
لایه سرامم لایه10 او
صفحه 9:
4) خاز PROUD
٠» در این روش ol داي اه وب لایه 10 ون
براي ساخت استفاده مي شود . در این روش ظرفیت خازن
برابر است با اشتراك لایه پلي1ويلي2 با10 طسو .
Gi pal ~ تسه بتد و
٠ براي خازن‌اسه تند موارد قبلي مي
صفحه 10:
مثال
٠ مي خواهيم يك خازن 00008 با استفاده از
تكنولوزي 1.2 ميكرون طراحي كنيم :
٠ دو خازن بصورت زير طراحي مي كنيم بطوريكه
آندازز ادو خازن
٠ بدا باشد
صفحه 11:
مثال
٠ خروجي هه شده که ۱۵ به ما مي دهد
بصورت زيرمي باشد:
ی ۵-9 009
(90 606 60 ) 01006 ۸۵ 00 *
. ظرفیت هر دو خازن برابر52.7976
فمتوفاراد مي باشد
۰ حال مي خواهیم ببینیم که ۹ چگونه این
ظرفیت را محاسبه کرد :
صفحه 12:
مثال
1)ابتدا سطح استاندارد ومحیط استاندارد را براي
yl تكنولوژي محاسبه مي کنیم
یمه 212۹2 7222 تقطح استاندارد ۰
2-7 42 محیط استاندارد ۰
2 مقدار خازن سطحي وحاشیه اي را با توجه به
مسیر زیر بدست مي آوریم :
Getup\Getup buer\ *
درقسمت hypers به سراغ قسمت MOOG Oupwior
رفته ومقدار خازن سطحي وحاشیه اي را از روي
جدول بدست مي آوریم
صفحه 13:
سم
xport ممما
GDI number:
GDSII data ype: [ 7
سم
Cancel
Layout
OK
CIF name:
Join ste:
Gene | Derivation | Rending
T Locked 7 Hidden
Electrical مادم
Laver ance
۲12 موی
Fringe: [0123 f/m
Resitivty: [2 Ohns/squate
Defauk wire settings
widh: [0000 Lovatai Links
Endstule: [Estord
Propertes
Move
Layer
Cony
رات
Layers:
Novis
oly wire
02
pase we
A well ire
npn
subs
alsube
NaPBase
gatet
مهو
field active
ail
aif
Pob Resister
Pol? Rosiler
N Giff Resistor
P Dif Resistor
N Well Restor
P Base Resstor
ل ات |
یه | | سر
صفحه 14:
منال
|
4) مقادیر استاتذارد خازن را محاسبه ع ی کنيم :
م70 1625- ۱9۵۸۸ و0رورم‌قدار استاندارد خازن سطحي
F 06192- 1,8 00 رور روقدار استاندارد خازن جانبي *
5)محاسبه خازن :
C=1625.76 x30 =48772.8aF =48.7728 fF
F 4.0048= 8 6-92
سطحي
7 7- 48.7728 4ج
مقدار بدست آمده oN اس ربدست آمذه از ۷۵ مي
صفحه 15:
۶۸ براي ساخت مقاومت در نرم افزار ٠
از مفهوم مقاومت ورقه اي (مسه
محاسبه مقاومنها slp (Rescknoe
استفاده مي شود.
۰ در این روش مقاومت را به مربعهاي
استاندارد تقسیم کرده وبا ضرب تعداد
مربعات استاندارد در مقاومت ورقه اي
مقاومت کل را بدست مي آورند.
صفحه 16:
* بطور مثال اگر مقاومت496 اي برابر
در نظر بگیریم براي دو شكل زير مقاومت
R ۵
٠ *مربع)-©) ١
۱
— xk #زابراست
a=” AXE *
ار L| =
\
\
صفحه 17:
Ga, مختلف sla با توجه به تكنولوژي ٠
روش مي توان درهر مقاومت طراحي
: نمود
۰ 060۵
معدم مره ٠
- (00040
مد هز» ٠
° S\R-Owel
عدا 6( ۰
صفحه 18:
قاومت بانفوذ ناحیه
٠ 4(-۲)دراین روش با استفاده از نفوذ
ناحیه 0 وبا لایه هاي زیر مقاومت مي
سازند
امین سفه()(؟) سفو)(9 الم( 0-6( *
برآ که وج کردن‌ناحیم 10 S) Resistor
Rot N-DIFF
صفحه 19:
@ og
۱۹
اه مه تیا ee aoe,
مج ويك چاه (اس-0) ۵ را هم
لایمه
: نيم Sno adlolyl
: مثال ٠
صفحه 20:
۰ /-)) در لین‌روش‌از پليب رایس اخت
مقاومتاستفادم مشود uv
استفادم شدم عبارتنداز:
صحه؟)(؟ 9((9 بسوون رل9()۲0 راو( ۰
برايمشخص‌کردن‌ن احیه مقاومتی0
= POLY1 :
صفحه 21:
۰ ۳۵-()) مانند حالتقبل‌ميب اشد ولي
به جاي)/۳ از ۳۵ استفادم مي
کنندوبه جايص م0 PoC Contat jl Poly
استفادم میک نند
۳ POLY2
صفحه 22:
مقاومت چاه
٠ #مر۲-0)) دراین‌روش‌از چام 0 برایساخت
استفادم مشود لایم هایمورد استفادم
عبارتنداز :
۰ 2)O-Oet C)O-Getert 9) @rtve )Crive Ovatat
(۰۷ O)\D-Oel Reser IOsl
صفحه 23:
۰ سب)-()) لاسیه مورد استفادم عبارتنداز:
۵( بسطء4۵(لاسیه 0-423( امب۵() ۰
Coctatt O) Det P)\P-Buse Resistor مرو( ۰
براي مشخص‌کردنن احیم مقاومتع40
٠ درهمه مواردگفته شده مي توان از لایه
هاي مجازبراي نامگذاري ومشخص کردن
صفحه 24:
ot ۰ یه
مقاومت ورقه اي استفاده مي کنیم براي منال دو مقاومت
سري از نوع۳۷۵ را با استفاده از ۶۵ مي سازیم مقاومتي که
ol: POLY1 3
+ Rede RPO
٠١ ١ و L0G 01006 (20 8 60 0)
+ Mee R=ro
* Gd GLO 01000 (8 هه ه ©(
۰ اندازه 202 مي باشد آنرا به مقاومتهاي
استاندار ۵ ای مه مربع مقاومت
استاندارد‌داریم با داشتن مقاومت صفحه اي با توجه به نوع
تكنولوژي مقاومت را محاسبه مي کنیم
٠ تكنولوژي مورد استفاده 00« مي باشد با توجه به مسیرزیر
مقاومت صفحه اي را بدست مي آوریم
صفحه 25:
Renda | حون | سس
Lasse
ی
Ince: مه تج
Lgerectbstle capectace
ae نومه [
اس ادن ۲
مه
ave
Ost soins
‘watt: مد مطاسا .تام [Leva
Ende [Even] ۳
نج | مس | یه[
OK امه
سود
صفحه 26:
٠ حال مقاومت صفحه اي بدست آمده ازجدول
را درمقدار مقاومت استاندا/ د ضرب مي كنيم
تامقاومت کل بدست Aah xh, 210 /0K =70@l
8 مي بینیم که مقدار بدست آمده برایر با همان
مقداري cul که نرم افزار بدست آورد براي
بقیه مقاومتها هم به همین روش مقاومت
محاسبه مي شود هريك از مقاومتها با توجه به
مقدار مقاومت صفحه اي که دارند در مدار
مورد استفاده قرار مي گیرند .
صفحه 27:
پایان
ِ با تشکراز جناب
اقاي دكکترميارنعيمي