طراحی ساخت و مطالعه پوشش های نابازتابنده چندلایه منیزیوم فلوئورید و روی سولفید با استفاده از روش رشد زاویه ای خراشان

صفحه 1:
Design and Fabrication of multi-layer antireflection coating consisting of ZnS and [۷۲0۳2 ‏امه صضاه ظ‎ فرای‌اخت ا فلووري و روی مولشر ,الم ۳ 0 ا اسماده ۱ ‎os‏ زو 

صفحه 2:
مسب ل تاريدية ‎a‏ ‏ليا سوت © © و ف كك 1 

صفحه 3:
eee ia dl © i 9 277 ‏ی‎ مروري بر روش Se nea a es ‏و فرآيند ساخت‎ 0000 نتيجه كيرى ييشنهادات 

صفحه 4:
3 5 a 1001 Pee سس( ‎Solution process 200۳ 2‏ تفه ی ‎epee Tar‏ | ‎I Chenival vapor ۳ UD) /P dslecudas beamepitaay‏ ‎Deposition (CVD) 1‏ مروري بر روش ‎L> Electron beam‏ ‎Plasma-enhanced- CVD > Vacuum evaporation‏ > ‎Pulse laser deposition‏ > ‎Atomic layer depositi > Ton plating‏ بررسی مواد اولیه ‎erates pene‏ | و فرآیند ساخت اكت ‎‘Metal organie-CVD > Sputtering‏ ‎Mist (CVD)‏ آناليز نمونه ها ‎Reactive Radio frequency‏ ‎Plate‏ ‏نتيجه كيرى ‎ ‏ييشنهادات 

صفحه 5:
‎rae‏ رو ‎wr‏ درل ‏مروري بر روش ‎Dip-coating Doctor Blade En ae‏ و فرآیند ساخت ‎ma‏ 4 ‎=e 5‏ آناليز نمونه ها :۲ سم مت 2 ‎Spray-coating ‎Aerosol Jet ‎ ‎ ‎ 

صفحه 6:
تبدیل دز ازجا دا 55] 

صفحه 7:
x Incident flux angle ۱ و MgF2 Vapor source 

صفحه 8:
a ‏ویر روی مور‎ Pye ‏و‎ ۳ | انواع روش لایه نشانی Progress in Physics of Applied Materials مروري بر روش ‎Fabrication of mul‏ ‎MgF2‏ ‏30000 ‏ات ‏3 طراحى: ساخت و مطالعه پوشش‌های ۳ خراشان ‎ )61,۸0(‏ ‏نتیجه گیری پیشنهادات 

صفحه 9:
Qo abel fo tered nara 4 

صفحه 10:
aie ° a ‏اژواای رش زلف‎ ea samp so 525 s70 ‏و‎ ‎3 (MgF2) (MgF2) (MgF2) (MgF2) 51 52 ( MgF2 -80) | (MgF2/ZnS - a ۳ oe 50 ‎desde Nhe‏ ا زواباى رركن 

صفحه 11:


صفحه 12:
ات انواع روش لایه نشانی مروري بر روش بررسی مواد اولیه و فرايند ساخ 00-0 ‏م ال‎ poly 5 XRD خواص اپتکی 

صفحه 13:
(ن.ه) برااس مص اط 40 @ ۵ 6۵ © © © © @ (deyrer) 

صفحه 14:
tu bayer single «| ee @ Geyer) nO (a0) ۷ tog ۳۹۳ ‏اس‎ ‎5 مه مه 00 با افزايش لايه ها بلورينكي افزايش) 

صفحه 15:
(142) 7460 (022) Suz (OLL) ۷ n-que)AsuoyU 

صفحه 16:
تسم ی وان »نا 100.0 مات ‎RMRC‏ ا 2.08 ‎View field:‏ 

صفحه 17:


صفحه 18:
2 | — Theoretical | 0 عَبورابقيكن براحست طول موج Tarswissivn (%) PO.5.9 0983.8 35 055 ‏هت 55ت‎ OD GND ‏همه هنت‎ ۵ Oweleagtk (aw) 

صفحه 19:
single layer |— tue faver با افزايش لایه ها عبور افزایش پیدا کرده است waveleayth(ow) 

صفحه 20:
۳۰۶۱۶۶۱9۰ )0( @0D GD GD ‏هد‎ GRD ‏همه هنت‎ 6۵ Oweleagtk (ow) 

صفحه 21:
2 3 8 c £ 3 1 ‏عِ‎ ‎= ‎cE 1000 1100 wavelength(nm 

صفحه 22:
ضریب شکست برحسب طول موج 5 (2ی - ین + بر - و 

صفحه 23:
با افزايش لايه ها از يك لايه 2 ل دولايه ضريب شكست كاهش با J 

صفحه 24:
900 Wavelength(nm) 

صفحه 25:
كك | | انواع روش لایه نشانی 0 1 افو ی زارنه کاهش بدا کرده ات (عامی مرثر ب منظور مود عاصت تادرتابه بوخش های مروري بر روش ‎en‏ ‏ی ‏بررسی مواد اولیه ‎ewan Sern Recent :‏ 1 22200 افزايش زاویه رشد بلورینگی افزایش می ‎uk‏ افزايش زاويه رشد باعث تخلخل بيش تر در نمونه هاي با زاويه ۱ بدون تخلخل) 

صفحه 26:
Ss MgF:/2nS/MgF2 244/202/143 0-1942 8 061 238 567 508 1.66 0.059 Table 2 Parameters of Mg: J ZnS films obtained for samples from optical and microstructure characterization, sample 0 ‏بو‎ & Se Films MgF:/ZnS MgF:/znS ‏حور‎ Thickness (1 294/216 2948/2144 8 Angle (°) 2460-3248 0-63.74 17.28-7431 ۶0 0.48 052 057 252 27 3.01 . (س و 92.83 93.28 92.80 خر (105 cm) 258 279 3.56 243 2.05 173 0.039 0.045 

صفحه 27:
ات انواع روش لایه نشانی مروري بر روش بررسی مواد اولیه و فرآيند ساخت آناليز نمونه ها نتيجه كيرى 4 ~ ‏یت 09 ی‎ RAE La DLS igen ای 9 ۳ طری ال ماضت شش یه ‎Ca ree‏ 1 ۳ 57 گر ‎Aho Sir el pba fu ade Saint ore dns M gt F410)‏ 07 11 1 از 3 2321 ‎ean‏ مات ور ‎Aes»‏ 0/1100 ea 0 

صفحه 28:
1 a ‎Pye Pea‏ ام 2 ‎ ‎ ‎?