پاسخ فرکانسی سیستم نانویی در محدوده ی تراهرتز

صفحه 1:
۳ eet tLe ‏تراهرتز‎ 

صفحه 2:
حك ۱ ‏ل ا ا ل‎ al ‏قرار دارد كه براى تشخيص مواد منفجزة دز سس«‎ Pe =, |) ES 7 ‏لبنت موقق شدند دستگاهی از جنس‎ IES Sy eral ‏ا‎ | Core Con Dare eee ‏ا‎ pe 4 و ‎[TI]‏ 2 

صفحه 3:
حك 4 0 اين دستگاه از روبانهاى ال ‎t0)-ba|‏ 19 تغيير پهنای این ‎Or‏ تخیر مقدار بار موجود روى أنها مىتوان نوسانات الكترون را تحت کنترل در آورد. نام لین نوسانات بلاسحی است که مشلبه ایجاد رنگ روی شیشه‌ها است. يلاسمونء به امواج نور مرئى با فركانس بالا روی نانوساختارهاى فلزى سه بعدى اطلاق می‌شود. اندازه و شكل نانوذرات تعیین کننده فرکانس این نوسانات است. از آنجایی که گرافن ماده‌ای دو بعدی است و الکترون‌ها قادرند تنها در دو بعد به حرکت تا نی 

صفحه 4:
در گرافن دو بعدی. الکترون‌ها جرم آندکی داشته و در برابر ميدان الكتريكى بسيار سريع ياسخ مىدهند. 

صفحه 5:
فركانس يلاسمونء نوسانات اين الكترونهاء بدسرعت حركت الکترون‌ها و بازگشت آنها به‌جای اولیه بستگی دارد. زملنی که یک پرتو با فرکانس مشابه مورد استفاده قرار گیرد. برانگیختگی ‎Me EE TES‏ مشاهده می‌شود. از آنجایی که فرکانس این نوسان توسط پهنای ‎Rema ULES‏ سا تنظیم کرد که فرکانس‌های مشخصی را جذب کند 

صفحه 6:
امواج تراهرتز به امواج مختاطیسی راذیویی در محدوده ف رکانس 1 تا 10 تراهرتز می باشد و انرزی فوتون 3۲۱۲۲-003 و0.4 40۲۳6۷ می باشد 

صفحه 7:
Low frequency High frequency Long wavelength Tenet 5 Short wavelength Low quantum energy High quantum energy a ‏ل‎ ۱/۵ X-rays, gamma rays AM radio Shortwave Microwaves, radar meter waves, telemetry 108 10° 10% 10" 1012 1013 1014 1015 106 107 1018 10! Hz 

صفحه 8:
THz pulse after £ 50 Time (ps) i ‏ی‎ ‎۱۳۳۳۳۳ THz pulse after Time (ps) Elec. field (norm ) Elec. field (norm, 

صفحه 9:
۳ امواج تراهرتز شامل پروتون ها که دارای انرٍی کمی هستند باعث آسیب های همراه با یونیزاسیون رادیویی مانند امواج ۷ نخواهند شد چرا که برای بافت بیولوژیکی که بدن ان را ۱۳۳ میشود مضرنیسستند. 

صفحه 10:
قوانین تکنولوژی تراهرتز د ‎een)‏ ا ‏ل ا ات اه ار لك لكك ‎Ro SEs es‏ ‎so lel Sn‏ و 4جدید ترین نوآوری که به عنوان لیزر های ۱ ۱ ۳ (969) 

صفحه 11:
418 LV sey 70 یش تابع فرکا Frequency (THz) IMPaTT Output power (mW) 

صفحه 12:
منابع تراهرتز در دسترس: امیترهای تونلینگ ليزرهاى الكترون ازاد اسيلاتورهاى موج بركشتى ليزرهاى كازى مبدل هاى ايتيكى يارامترى 

صفحه 13:
ا 0 بزرك بودن ان ها نيازمند توان بزرك هزینه ی زیاد 

صفحه 14:
وسایل الکترونیکی هادی: Gunn oscillator ديود هاى ‎sk‏ مالتى يلاير هاى فركانسى كه توان خروجى را تحت تاثير 8 می دهند. ل ال ا اكت جامد كه در دماهاى يايين عمل مى كند. 

صفحه 15:
(transferred electron device) ‏دیود های گان‎ IM PATT (impact avalanche transit time) diodes TUNNETT (tunnel injection transit time)diods اين ديود ها منابع فركانس بالا هستئد. فوايد اين منابع در مقاومت تفاضلى منفى ادر مشخصه ولتاز جريان ال 

صفحه 16:
كان ديودها و 1[ 12//1/!! ديود ها با فركانس 400_500 كيكا هرتز ‎ccm heresy ove same pale lala)‏ كر 5 الاالا 1 63/85 با 202 كيكا هرتز ‎based on InGaAs/AlAs‏ 131105 با فركانس 915 كيكا رار ‏ا رل ۱ ‎EDs pee SCN APNE Nes en ee ccd ingore CBee an | SiR) ‏گیگا هرتز در دمای 217 درجه سانتی كراد‎ 

صفحه 17:
‎Reena‏ ا ‏ترانزيستورهاى بالستيك از جنس 4145 |-3/85 06 ما با ساختار هیتروو 6] 5۱۱0517 ۱۱۳ با فرکانس 1.02 تراهرتز ‎epee Nl ‏ل ل‎ any AlGaN/GaN ,> 3! 3,215 2.1 

صفحه 18:
‎ka‏ مالتى يلاير ‏از یک دیود واراکتور شاتکی بین ورودی و خروجی برای اشكال: ‏توان خروجى از توان ورودى كم تر ‎0 ‏ال‎ ome ۳ ‏ا ا تا‎ 

صفحه 19:
منابع الكترون ها 6 زا ليزرهاى الكترون ازاد تئان بالايى با فركانس ترا هرتز دارند. كت ERIE 

صفحه 20:
Terahertz Technology for Nano Applications, ۳ 9 (a) SEM Image of top view of ballistic deflection transistors. After [2]. (b) Schematics of the GaN/AlGaN plasmonic HEMT 

صفحه 21:
”,micro-VEDs (mVEDs) ۳ < تكنولوزى فشرده ساز يا وكيوم شده تکنولوژزی ۷/66۱/۲76 <راه حل عملى براى مبدل هائ فزكانس تراهرتز كافى كه ‎EET w en‏ 7 است که نیازمند عملیات تراهر تزی است. 670 GHz and 10 mW aft 1 THz and 56 MW < 01 560 GHz as THz Oscillator. 

صفحه 22:
8 رمب تولن‌خروجیبالثر از0 2 00 gain >20 dB at 1.03 ۱۳2 

صفحه 23:
Optical THz Emission Techniques 0 ٩ ‏ل‎ وال ال 

صفحه 24:
‎Quantum Cascade Lasers 0‏ ليزيهاىكولنتوم لبشايق ۳۱۳ نبع فركانسرراديويىتوسط يكحاملكه بيزدو سطح كهبه ‎ig }ig ghl> jo 4 en 5‏ 4 ی کیاز لنولع حامل‌ها ک ۳ دوقلو لست و ‎ ‎ 

صفحه 25:
“Terahertz Technology for Nano Applications, Fig. 4 Con- duction tend dng of Sngonal design quantum cascade laser withthe sig power of spposinately S Wa 180 K 1 the injector level fom the receding module The ue shows tat the apper and lower-aate wave fncion a oe ised in separte wells with Hal opal rela sd he eae Detector Teraherts Technology for Nano Applications, Fig. 5 Solid schematic of aiypeal TH TDS syst 

صفحه 26:
26 Terahertz Technology for Nano Applications, Table 1 Comparison of TH: direct detection technologi Large Compact Compact Lage Mediu Compact Compact Resp.time Op. tmp, 0 0۹9 10* 107 10 107 و 9 Responsiviny 10 10 * 107 0 © 10 1 10 102 Detector Type Bolometers Hote microbolometers STI detectors Golay cells Pyroclecitic detectors Schottky diodes Plasmonic HEMT “Expected 

صفحه 27:
Frequency (THz) ‘Transmission (au) “THe radiation Mult-gate 2 L Drain La 2DEG Channel Ny Substrate 7 THe radiation ‎Substrat‏ سح سسا ‎PDEG channels source-and-rain contacts‏ ‎ 

صفحه 28:
| هاى ارتباطاتى توجه قابل ملاحظه ‎Gl‏ 8 فرکانس حامل بالای 100 گیگا هرتز است که باعث به وجود آمدن پهنای ۲ ۳ تال اطلاعات با ‎Be We) em Les rer gery‏ 

صفحه 29:
5 1 0 92 04 ‏هه‎ ۵8 1۵ 12 14 18 18 20 Frequeney (TH2) 

صفحه 30:
30 ‎Receiving antonnas (PC Board/ MCM)‏ ط ‎8 ‎Integrated ‎reuits ‎transmitted ‎clock signal ‎Transmitting ‎antenna (with parabolic reflector) TX transmitter ‎ 

صفحه 31:
10 yee to) ees epee Fee ‏دانی لو ووالدمن گزارش شده اسان آندازه گیری ها مراحل‎ ‏مختلفی از رطوبت رابا طول 17 ۰ ا 1 قاده از هلیوم ماع همرا‎ ‏با سیلیکون انجام داده‎ 10 500 Carrier frequency (GHz) 

صفحه 32:
تور ‎NEE‏ "7" ناحيه ى منشور الكتروفغ اطي را ذر جندين دوره در مقايسه با دست آوردهاى دستكاه هاى فوتونيك و الكترونيكى مايكروويو حفظ کرده استاغلب آن را به عنوان گپ تراهرتز می دانند. i cor 

صفحه 33:
8 در طول دو دهه اخير نتايج .آزمايشكاهى با اسيكتروسكوب تراهرتزى و تصويربردارى تراهرتزى توسط كريسجوسكى انجام شده كه باعث روزنه اى براى وسايل با امواج تراهرتزى شده است. Medical Imaging 

صفحه 34:
IEEE Library in The InAbstract AV 1990 1995 2000 Year SPIN+Scitation in Tite ‏ول‎ nr 1985 1990 1995 Year # Papers 

صفحه 35:


صفحه 36:
امروزه اين شاخه از نانو تكنولوزى از اهميت ويزه اى برخوردار است ‎RO cS ee see eee)‏ بوشش مى دهند مطرح مى شو .كنترل اين موضوع در ابعاد نانو ‎Nee ee S Re es‏ ا ا 0 ا در واقع هرجقدر ابعاد كوجكتر مى شود . خواص فيزيكى و شيميايى و بيولوزيكى مى توانند تغيير كنند میا ان 

صفحه 37:
ذرات طلا وابستكى محكمى به ابعاد نلنو دارند كه بسته به تغيير ا ا ‎Br Ce] El‏ 

صفحه 38:
38 

صفحه 39:
Atoms and ‘Traditional’ molecules microelectronics ‎Nanotechnology »‏ ب« ‎1A 1nm 10nm 10085 tum = 10 um ۱ 8 2 ‏ال 8 ال‎ ! 6 ‎I 9 i 2 > ‎ar nanotube Virus Bacteria and cells oe pa ۳ e ‎ ‎ 

صفحه 40:
5 از لین دستگاه های جدید پدیدار شدکه برپایه ی مواد جديد و روش هايى از قبيل 121! هاى نانو تيوب كربنى وترانزيستورهاى ساخته شده با كرافين وديود تهنل زنى رزونانسى و ۲ های جهت دار و دیود های مسطح و ۳۶۲ های نلنو وایر بود.اين دستكاه ها نه تنها در محدّودة ى نلنو مقياس كارمى كنند ا ا چ 020 ‎Sb mT Ces kon ees me reer SES‏ 6 ۱9 

صفحه 41:
41 = Intel 4 AMD vIBM = Othe Nanoscale 5 = 2 4 5 ۳ 5 2 5 2 = 8 

صفحه 42:
3 ترانزيستور [ الااعا!! (ترانزيستوربا موبيليتى بالاى ‎CRT‏ 1 2 ۱92 به طور معمول در دستكاه هاى با فركانس راديويى ‎Rg‏ 1 ادن ان 

صفحه 43:
انقطه ی اتصال باعت می شود در کانال هیچ نوع پراکندگی ‎a pete lene‏ )| ۱۳ ‎aon‏ هيتروجانكشن توللطا ‎1١‏ ذلك اذه با شبكه ى ثابت مى شود.موادى كه استفاده مى شود آلومينيوم و ار ‎Pio‏ ‏دارند داراى نقص هاى كريستالى هستند كه عملكرد اا ا ار 

صفحه 44:
oseudomorphic me 

صفحه 45:
۳ 3 سن بحمو oo ‏ل‎ 1 : ‏كل‎ za 1 =) يده (oa 

صفحه 46:
2/۱۱ ۱ 

صفحه 47:
اا ل ري قار 

صفحه 48:


صفحه 49:
در حال حاضر بالاترين فركانس قطع با 63/5 ‎pHEMT‏ ۱۱۳۱۱۷۲ 62/25 با فرکانس 152 كيكاهرتز با طول كيت 100 نلنو متر و 660 كيكا هرتز با طول كيت 20 نانو متر است. 

صفحه 50:
RTD » ‎Sh‏ نانو دستگاه است که از تغیبرات فیزیکی در ابعاد نانو بهره می کیرد.اساس ساختمان تشکیل شونده ى از دو مرز غير نفوذى كه توسط جاه كوانتومى غير نفوذى كه به طول 5 نانو متر در بين ین مرز ها الل 

صفحه 51:
sal 'ديود برير اک ‎SBD‏ به طور متداول در 2 ed ۳ 0 ۵ ey) Contact (collector) n-GaAs substrate 

صفحه 52:
ere «نانو آنتنهای پالسمونیکی که در ناحیههای مرتی و مادون “اقرمز كار ميكنند منجر به روشهاى جَدَيدى براى دستكارى > > se. = ln ‏رت‎ Roeser Pome S omen Os oS WRC tne meres) ‏ار 1 لاك سه‎ oP 

صفحه 53:
اینکارازطریق تحریک مجموعهای از الکترونهای نوسانکننده که به پالسمونهای سطحى معروف هستند صورت ميكيرد. يالسمونهاى سطحی در زمینههای زیادی از جمله طیفسنجی جذب تقويت شدهى سطحى مادون قرمز مورد استفاده قرار كرفتند 

صفحه 54:
م ا ی از سا سه تمق تاريك و ی مى ‎Wall‏ 

صفحه 55:
‎eee Cite ON aap‏ اش ۳ یک تک رزنانس در طیف عبوری تمام نانوساختارها قابل ‏“ مشاهده است؛ منشأ اصلى ار را ‏“ دوقطبى كونهى داخل نوار را و ‎bee] eee geen eae em A‏ تا ‎re oe ED tel Le reece a ne ‏شروع به تحریک کنند.‎ /“ 

صفحه 56:
VvyYVVYVVYYVV جفتشدگی قوی نور فرودی با آنتن ا ۲ OS cee nS aS ‏ا‎ ‎Cy ae ene Sy cone Te Sony Br nO ee aren cr Rec ‏تحريك غيرمستقيم آنتنهاى جهار قطبى از طريق جفت-‎ Fatt Pop oe ee OO ¢ ree enna eco ۱ ene Seed ‏سر‎ eat Cos aed die aa oe ‏الما‎ 

صفحه 57:
00 “ فركانس رزونانس دوم( ظاهر ميشود. در 5-70 این اثر به تدریج قویتر شده و در ۱۳0 ‎Res‏ ی ۰ ۶ ایجاد یک پیک عبوری در نمودار ضریب عبور میشود. که ‎٠“‏ نتیجهای از تداخل ویرانگر در سیستم است. در نمام ‏“ نانوساختارها با افزايش 5 يك جابجابى كم مد مرتبه ى دوم ‎ey Tea ene omnes‏ ل ‎Ta -(0 9] | acer nS en eT OOS (VEIT ‎0S area 

صفحه 58:
0 ‎a‏ ا . << << سح( ‎ea‏ و 

صفحه 59:
0010 ۱۷ 1 i 4 ۷ ‏ا الال‎ (ay 7 VG ۱۱۱ ۱ ue 0000000 تست 1 Maa مدمير ونا 1 genau ai 

صفحه 60:
CSE coe ere ار اا ۱۱۱۱ که مد ‎pe oa‏ تا اا اا ين امس كر كيرند. 

صفحه 61:
مراجع: 1. J.Faist, F.Capasso, D.L.Sivco, ‏اف‎ A.Y.Cho, Science 264, 553(1994). 2. J.Faist, F.Capasso, C.Sirtori, Appl. Phys. Lett. 66, 538 (1995). 3. R. F. Kazarinov and R. A. Suris, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 5. 797 (1971) [Sov. Phys. Semicond. 5, 707 (1971)]. 4. R. F. Kazarinov and R. A. Suris, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 6. 148 (1972) [Sov. Phys. Semicond. 6. 120 )1972([۰ «* *+ ۳۲ 

صفحه 62:
5. L. Diehl, D. Bour, S. Corzine, J. Zhu, G. Hofler, M. Loncar, M. Troccoli, and F. Capasso, ‏.امهم‎ > Phys. Lett. 88, 201115 (2006). > 6. QiJie Wang, C. Pflug, L. Diehl, F. Capasso, T. Edamura, S.Furuta, M. Yamanishi, and H. Kan, > Appl.Phys.Lett. 94, 011103 (2009). > 7.C. Gmachl, F. Capasso, D.L. Sivco, AY. Cho, Rep.Prog.Phys. 64, 1533 (2001). 4 ‏ا لك ان‎ Ua es cinoma Titel ea colnet Graf, Lae Rae se ee SEEN CLO) > 9. D.Hofstetter, F. R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C.Manz, and K. Kohler, Peano > 221106 (2008). 4 0130 ‏تك‎ hues sole eL EPA CLO) 

صفحه 63:
11. A. B. Pashkovskii, JETP Letters, 82, 210 (2005). 12. V. F. Elesin, JETP 94, 794 (2002). 13. V. F. Elesin, JETP 100, 116 (2005). 14. N.V. Tkach, Yu.A. Seti, Low Temperature Physics, 35, 556 (2009). فخ ۲ ۲ ۲ > 15. N.V. Tkach, Yu.A. Seti, Phys. Sol. State, 53, 590 (2011). 16. E. |. Golant; A. B. Pashkovskii; A. S. Tager, Semiconductors, 28, 436 )1994(. 

صفحه 64:
>THANKS > > FOR ‏ا‎ YOUR > ATTENTION