آخرین دستاوردهای دیجیتال کوانتومی

صفحه 1:
آخرين دستاوردهاى ديجيتال كوانتومى سمينار درس الكترونيك كوانتومى استاد درس: رشته مهندسی برق | گرایش الکترونیک جناب آقاى دكتر محمدنزاد 

صفحه 2:
RSE eee Sec) en eee ae ‎١‏ نرم‌افزارهای کوانتومی: شامل محاسبات. الكوريتمهاى بردازشى و كاربردهاى كن در بخشهابى همجون مخابرات. رمزنكارى و ... ‏“! سختافزارهاى كوانتومى: ‎ea eed‏ ك2 

صفحه 3:
1 1 ا لل يا ا ا د لمان ال اس ور ‎ey ee ee od‏ 2X growth in 1.96 years! OPS Pentium® proc Transistors (MT) 1980 1990 2000 Year 

صفحه 4:
بايان كار قانون مور»؟ ۱ ‏ا ا ا‎ CR SoM Dye a pre ae Bove) ir weer pws ‏ا ل‎ vee pe) nae ne Ste eRe Ree ee | ens ee ۱ ae ete مهمترین اثری که باعث ایجاد اختلال در رفتار ترانزیستورها در ابعاد ۱ > 

صفحه 5:
SE Sy ee bed ‎el‏ ا ا لا قسمت درينء سورس و كيت تشكيل شده است. ‏71 در 5 ‏ولتاژه از فوتون برای کنترل آن استفاده می‌شود. ‏ویژگی اصلی این نوع ترانزیستورها کنترل بر ‎ee ‏ا‎ By ey aC sreneS 3) ‏به دو مفهوم صفر و یک اکتفا نشود. ‎ ‏لین نوع ترانزیستورها بجای استفاده از ‎orm‏ ‎(free-space) ‎ 

صفحه 6:
ترانزيستورهاى تك فوتونى نورى ا م ا ا ال تا مىشود. در لين حللت ابر اتمى ملنع از عبور نور مىشود. در حللت عادى اين ابر اجازه‌ی عبور تمامی نور ورودی را می‌دهد. ۱ 0 

صفحه 7:
۱ ۳۳ Sy ee Bess) Rydberg cuss ~ PAR et Soot a TSS ‏ا ا‎ ‏کلوین)‎ ‎es mssrgs ree ci at‏ | ۳ درز( ‏ات عوماه 0ك ‎excites atoms‏ ‎a ‏۳ 8 ‎ert)‏ ههه و ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ 

صفحه 8:
۱ eS en eek o sae ea fer one ee Reena aa 0 nee eee rer ens ا ا ۱ | ‎A VAC) erence peers iy‏ 0 سرعت تولید و بازترکیب حامل‌ها را تا 5000000 ا ا ا و 0 

صفحه 9:
۳ BON ‏ا‎ ecm ‏ا‎ [¢ir ‏ا ا‎ Oa ‏روسیه‎ 1 1 teal oer Pe od IA er epere SO Perea RO en DSI stone eee neko an oe ‏با استفاده از لين تكنولوزى.به ترانزيستورهاى.با قدرت سوئيجينى بيكوثانيه دست‎ “ low intensity ۱۳۱۱۱۱ ‏لا‎ 

صفحه 10:
‎a‏ ترانزیستورهای تونل‌زنی ‎ors SNe eco Reese are‏ 0ت نميتواند از سد عبور كند اما در فيزيك كوانتومى... ‎ ‎ee ‎‘Quantum ‎picture 

صفحه 11:
ترانزیستورهای تونل‌زنی 

صفحه 12:
ترانزيستورهاى تونل زنى ۱ ‏ا ا‎ reer ee Fe Se ae ‏میتوان ترانزیستور را روشن نمود.‎ . ‏استفاده از عناصر ستون ۲ و ۵ جدول مندلیوات‎ Aluminum Gallium Antimonide Indium Arsenide Indium Gallium Arsenide مد مد مد < < ولتاژ آستانه مابین ۰/۲ تا ۰۱۶ 

صفحه 13:
Rae Perera een can ener sane ib cn a و ۱ السمهاى ليزرى و فيبر نورى با اتمهاى یر 

صفحه 14:
1 Magnetoresistive 1۷ Random Access 

صفحه 15:
۱۴ Cee ‏ا‎ 1 eee crepe rer ee | Ree Pe ‏خواندن: با استفاده از مقاومت مغناطيسى‎ Easy Axis Field سا Free Layer Tunnel Barrier Fixed Layer Hard Axis a | Isolation Transistor = OFF” 

صفحه 16:
ف فرایند نوشتن و خواندن 1 eee eee ‏اين اسيينها‎ 1 1 Select Transistor Spin Torque ~ Current induced ‘Magnetic Switching 

صفحه 17:
۱۶ ۳ ویژگی‌های ۲۸8۸۵۱۷ “! سرعت بالادر خواندن و نوشت ‎MRAM‏ ‎ea‏ high-speed read & write ‏ود‎ ‎ron-voiatle ‏و‎ unlimited endurance low cost 00 

صفحه 18:
کوانتوم مولکولی < دانشمندان در سال ۲۰۱۴ با آزمایشی بر روی رشته‌های 00000 0100 es ey TY ‎ede ia!‏ مه ‎Sg ‏< از نتایج لین آزملیش میتوان در ساخت ادوات بیو برای ساخت ترانزیستور و یکسو کننده‌های اسپینی استفاده کرد. ‏“ با توجه به سازكارى دىاناى با بدن انسان اين قطعه ل ا ل ‎unde ‎ ‎ 

صفحه 19: