صفحه 1:

صفحه 2:
ار ‎CO)‏ ۱ aera) en Prey Ope Fe ل M_motaei@yahoo,com

صفحه 3:
ft ‏و علمناه صنعه لبوس لكم لتحصنكم من باسكم ف‎ ‏انتم شاكرون‎ )4٠هيآ ‏سوره مباركه انبيا‎ ( و ماه او(حضرت داود عليه السلام ) ساخت زره را ‎oe)‏ ا ‎ee‏ ل ل ‎RMD me BME ee‏

صفحه 4:
فهرست 5 م 06002 سار سوت - تاثیرات - راه های محافظت -راه های محافظت

صفحه 5:
۳ Rasy reer mom rs ere ser) ف رکانسی را با دامنه زیاد می پوشاند. طرز عمل این پالس شبیه یک صاعقه است اما به مراتب موثر تر و سرب Parameter__| Rada/EWEMI| HEMP Lightning [ 10۳۷) ] 7 Typical 200 kHz DC to 100 7 1001 00 MHz to 3 Frequency 135 MHz | DC to 10 MRz GHz pom rek | upto 10 (at 650 Upto 750(at 1 | Upto 10* (att pron 10m) kn) km) َ 16 موس field produced 7 5 = 8 1۳ Welt) Typical Puke undreds of Width 10nst0CW | nanoseconds to seconds Spee Emer | Tatererenee, | tet and Upsetand 3 35 damage damage mission upset Figure 9 - Comparison between RadariEW/EMI, Lightning, HEMP, NB HPM, and WB HPM (Source: Defense Technical Information Center)

صفحه 6:
تقسيم بندى عملكردى الف: انفجارات هسته اى: 00 ‏م ا ا ا‎ ee ne ee) ل ا ل گستره تخریب بسیار وسیعی در حدود چند صد کیلومتر ذارند. ب: بمب های الکترومغناطیسی انفجاری: ‎NCB) lla ed‏ سح ‎OMSL a he crear eh‏ ۱ ‎Coad ahd Ol IS) hal.)‏ سس( هرد اد مس ‏ب ‎gale lide 9 OLS gi‏ با تغذ به الكتر يكى: ل ا ا ا و و اس و و ‏رت ‎Ba era bam Od Ed A ad een od EARS CB Ira‏

صفحه 7:
بمب الكترو مغناطيسى اخلا كر الكترونيكى: eet pee Oy cree eT ee A ne Bee Lae ۱ ‏ا ل ار‎ 000 Tar] ‏سارت ازیو سردم‎ در جنگ خلیج فارس, از بمب های الکترمغناطیس "6006 با توان حدود ۱۱ مگاوات بر علبه تجهيز ات الكترونيكى عراق استفاده شده اسستد ابالات ل م ا ‎Pe‏ ‏سلاح های الکترومغناطیسی تهاجمی استفاده نعود. در ا های الکترو مغناطیسی بر علیه ابرابانه های. آمریکا استفاده کردند.

صفحه 8:

صفحه 9:
N ogToNATION ‏مه‎

صفحه 10:
Oy ‏ها:‎ 2) Ie eat tered One oe OLE dT Sle ae | ‏باشد.‎ ۱ ‏ا ا ا‎ ee ioe ie 52-00 ‏پایه از آن را می توان‎ الات لت لت با سرعت نور حر کته می کنندا * عموما به وضيعت آب و هوابى حساس نيستند ۱ Ete ener ال ا ا ‎ese‏ 00 ‎need‏ را ‎ieee Ia Ro SO Lace‏ ی ‏فيسسته ). ‏* امکان حمله هم زمان 50

صفحه 11:
هسته اصلی بمب های الکترومغناطیسی : - مولد هاى شارزٌ فشرده ( 6048 ) ‎١‏ ينا ‎۱ ‏مولد هاى 309 ‎nec poesia ENT]‏ ا ا 000 مغناطیسی همراه با ال آنوژٍی زیاد از انفجار به میدان متناطیسی می بآشد. ‏موف

صفحه 12:
(شکل شماره 0۱ بس سم 7 5 سم سس وه ریت ‎a‏ ا ‎“tte‏ ۱۲۸۵ 1 ‎aoe‏ [PLUS PAMFLOEUEAL AIECOMeMESION ENEMA نمای ظاهری و شمانیکی مراحل تولید موج الكترومغناطيسى در يك مولد ©1706

صفحه 13:
سلاح های 1,۳0 که به آنها سلاح های 0۴ و سلاح های با بهْنای ‎ee mn) BE ole es‏ ا ‎Cee ie nen‏ ‎cel eee eT Rae el Sor‏ ‎pn BEC Ay oc)‏ ۱ ‎eee ie tent. Rel ee eed en) a)‏ زمان ايجاد كرده و سطح توانى در حدود ‎٠٠١‏ مكاوات تا ‎٠٠١‏ كيكا وات دارند .

صفحه 14:
Dielectric Nosecone Rasome Antenna Feed Ports (is phase) ~~ feaon Vircator Foed Stab 25 Backfire Retector” ] Conical Het Antenna, EXAMPLE OF VIRCATORIANTENMA ASSEMBLY (شکل شماره ‎CVF‏ ‏نمای کلی ویر کیتور و مجموعه آنتن

صفحه 15:
2 2 ‏ا ل ا ا ل لا‎ Se te ‏ل‎ tered j YI Bis p Rood ‏ا ا‎ eS Ped PL KOS ret ee Ree Leer ere psi ese p rere ale 5 ترانسفورماتور ها در اثر داغ شدن يا ذوب عایق اطراف سیم. آسیب می بینند. ‎PI) aod)‏ ال ‎od NS cede ISS‏ CONE er CS Rake ew enone EetS Cee tr et Tels teres ie POPE See Mee OE EC eOP CEE PB ONY Ieee Ce We eRe) ۱ we) mee Ee oro و

صفحه 16:
۳ ده در مخت نا از و نوی هبی مه ۵[ استفاذه مى شود 08 اكر در معرض تابش مستقيم (1/0:0 قرار بكيرند سيار حساس و آلديا !0189| ‎ee Nee MCE BL IL Nee LeeLee‏ ار ‎Rome Re ees re ie meen (eT Sy‏ ‎ee ee ll ne BN een RC) ‏ا‎ ts koe ea ‎cel Ie)‏ در و ‎Fade eM iced head |) Qrseez) Sh AEC‏ ‎res) eyed ers)‏ ۱ ‎Bole 95 5585 Ol 0 Foc‏ ۱ » پیشتر است. ‎۱ eerie cle Ses be eae ‎

صفحه 17:
© FES pecs corer n oH dk) Mee pane ee re eC) 1/7 ‏حفاظ سازى زير سيستم هاء كابل ها و سيم ها.‎ )١ | COI Ne). eae ee an erode ‏ار تباط دادن زیر سستمم ها بوسیله کابل های فیبر نوری.‎ ۲ ‏؟) استفاده از محدود كننده هاى ولتازٌ و جريان زياد‎ ۱ ‏آنهاء‎ ‏كم كردن عاصرص به2) فرستنده ها و گیرنده های حساس-‎ )” ۱ Nts) er el Og ‏فا‎ eS iC oad ۱ ‏ا‎ ere eeRUIC!

صفحه 18:
Re Pee eh eee ae ne ere oll Be eros ee ee ke Pet BCE Weel ug ney ean ated ‎ne Toll ae eRe eee Ti tere en Te ened‏ تا ‏برش و لتاژ انحراف سیکنال به زمین.انتخاب محل بهینه روزنه ها در حد امکان و همچنین از مواد مغناطيسى براى» تغيير نحوه توزيع ميدان داخل محفظه و ... استفاده كرد . ‎BOC IT ad a ne ee ee ‏ا ال‎ CL ‏لم‎ ‏وی ‏قرار دادن كل تجهيزات در داخل يك محفظه. كه به قفس فارادى معروف مى باشد. در تکنولوژی مدرن برای انتقال اطلاعات به داخل و خارج محنظه از فیبرهای نوری استفاده می

صفحه 19:
+> DATA FEED” POWER FEED DOORS WITH ELECTROMAGNETIC SEALS (شکل شماره 0۸ ‎Rigas‏ قساتیکی ایک قن فارادء

صفحه 20:
Mains Power Feed ws Standing Waves ~ } / oe C Standing Waves ۰ 2 | “Spikes” pS Network OA gles Ju, ‏حفات یک مرکزرایاته ای دریرایر تهاجم الکترومفتاطیسی‎

صفحه 21:
اصول اساسی در مقابله : ا ا لآ اصل جداسازی زیرسیستم ها (عهمسجیح) ‎j‏ ‏لأ رت ‎Ne Seen Sint etme Pent Syeel me‏ 0 ‎(Ce eer ae eae‏ ‎ere See Um pee one er ty ee pe‏ ‎eer eee Sree‏ ا ‎(ee‏ ‎(COLOR Pee NE eC ee Ken ee‏ لا بوشش براى كابلها ‎Te ey Sema cote‏ ۳ لا فيلترهاى :08000

صفحه 22:
در سیستمها با دو هدف صورت 9 ere ene Meee Benin أزمين كردن براي امنيت يرسنل بیشتر در مقابله با صاعقه و نقصهاي سیستم توان میباشد که ‎SEES LO Ts Ste Deke e Laps‏ 1 Lightning protection Power egpt ground grounding All grounding system bonded together 77 Multiple ground electrodes = د 0 +

صفحه 23:
. درهای ورود و خروج Ste oN ck NAA oe) ‎ct on‏ 6 سل ‎Bean arate sy ae ‎(Gils & Gale Bgl) Slab Sly TIF 99999 pommw ‎ee rT Rell le Wed boat ESS) eres ‎Fok Bee ESN cea Reel ee NO MCE cd Dae oe dO hee toe eee ‏ا‎ >? ‎

صفحه 24:
درهای ورود و خروج: ‎oe ene eee Cane "| poy‏ ل لت ‎Reser e eres enome Teh Recipes hee ee ant a ee Reece yn fer eit Ss ere ie ROT One SO TNC ye eae ‏عایق صوتی باشد‎ 7 velo LETS) eee geen Cae ‏در مقانل قش مقاومت باشد‎ ” 0 ‏انواع درهای اتاق پوشش:‎ ‏ا‎ ‏درهاى دو لنكهاى‎ )١ 22 ‎ ‎

صفحه 25:
مناسبترین نوع هو کشهاء هوا کش های موج بری می باشند. ابعاد سطح مقطعى جنين موج برى كوجك استء لذا فركانس قطع هر كدام از ابن موج برها تا ری وا ۰۳ ۱۳ کلنس‌ها احتمآادلمند را

صفحه 26:
برای این منظور از ادواتی با نام 3 جما و و QO ل و

صفحه 27:
‎cored‏ سا ‎1 ‎Se SECS, TOS eRe a Le ‏کمتر حامل امواج 1۲ میشوند و آنها را با خود ‎¥ ‎3 ‎۰ ‎۳ ‎1 ‎+ ‏داخل پوشش ثمیبرند. لیکن چنانچه با مکانیزم ‎1 ‎ ‎۱ epi! «Gass BUT os1g29 39 ‎Pepe gre Tee SRC mS Te a rab aiken ey re] ‎ ‎۲ 5 1 Ce 01 ۱ ‏مسیرو3 كردن ,سوراخ هاى اضافى از بيجهاى ويزه اين سوراخها إستفاده ميشوت.

صفحه 28:

صفحه 29:
© LL sly Guba ۹ ۱ ‏را‎ CUED Ay Wa erence Ng Pear a ume Tb) CS te MC ed ec ee ‏ا ا‎ Sieh) Reems Ie STO ere ton CLE CST wane [ Pree ee re ar eee on ere ene p es eae ‏حفاظت ميشود.‎ 1:11 ۱۳ و و۳

صفحه 30:
: ‏محدود كنندههاى ولتازٌ (موازى با سيستم حفاظت شده)‎ -١ 0 ‏ا‎ We ney | (eto ERNEST SLE TC Some | nore Mo mes etry he ‏سرعت متوسط)‎ ا ا ل ار جربان بالا) ۱ ey ye) eee) eke) Ik ‏عکسالعمل بسیار بالا)‎ : ‏محدود كنندههاى جريان (سرى با سيستم حفاظت شده)‎ -١ 00000 NOn Rte Tt Tes STOR ۲ فیوزهای شیثه ای (تحمل جریان بزر کتر) انواع ادوات محدود کننده جریان با ولتاژ: © 0 ‎a‏

صفحه 31:
وریستورها به طور کستردهای در حفاظت در برابر ‎eS eae ee een eee ST)‏ Rice Sp MB TO Sees eRe Nee) ‏ضخامت متناسب با ولتاز است.‎ - ped fom ee ee ‏حجم متناسب با انرژي است‎ - در Peak Power Stops Power Short Pulse Solid State 10 kW Device

صفحه 32:
كاتكتورهاى مقاوم در برابر 111/11: 0 ۱ sir eet CTRL Sy el mee PRY eC eS) ee Lis momen Se Irs) || در Yee Te onl per coe I] Peer a Pree ee ey) CRs Cte eee rere Tre er ere bier cy eS ere ge ere nS ‏شود. میتوان با المان گسسته آن را‎ ‏جایگزین کرد.‎

صفحه 33:
کانکتوری. که از مدارات متعدد موازی برای حفاظت در برابر ی بهره میبرد و فيلتر 6001 سادهاى نيز دارد. در فر كانسها: بالاى. 1001/1117 كار ميكنند, دص سس تمرح ۱ eo) ‏انجام دهد‎ و قابلیت مهم اين وسیله آنست که ‎od‏ ای خرابى ديودها انها را تعويض كرد ‎

صفحه 34:
01007 17 RL Pe Ser SPE ee ‏ا ا ل‎ | Rew WW ‏ا‎ eee me ECA] eet ier nea انوا فیلترهای 01 (Co ‏ا‎ Ege ne Sard فيلترهاي خطوط توان و آنالو گت) ار اه ‎ces ace]‏ ا ا ۳ براي انتقال خطوط تنیگنال و توان به داخل یک محفظه پوشش» حتمً باید از فیلترها استفاده كنيم.

صفحه 35:
اور سب EMI/EMC/EMP/TEMI PEST ‘Communfeations shelter

صفحه 36:
استفاده از پوشش روی ۳613ها: استفاده از پوشش در روی 00*)ها برای قطعات حساس و کاهی نیز برایب تمام ۷ پر ۲ Minimise apertures in shield by solgering it to the ‘ground plane frequently PCB with ground plane Guar tra perimater of ‏اك‎ ‎‘can (ceally)

صفحه 37:
Condut for at least a fow motes ‘of the incoming cable A 2-circuit CM A 3-circuit CM choke with % turn choke with 1% turns

صفحه 38:
‎Pero Re coer we ie eee ane es ee eee es ea)‏ رگ سيستمهاي نظامي هوشمند 1381 ‎aie‏ ‎eel eae yee eee oes Uc er Enea‏ 00 0 0 ‎Tei OePay Pan Lt rer perros A‏ ‎۲ ‏مويله‎ ۱ ERP Seo Se perce ee 020 ‎eee‏ ا الل لا ا ا ‎Ce‏ ‎0# ‏إن‎ esr Cerne ens ese res a] ‎ee ee ee er eae) ۱ ON ne Cr i nee ace ee ev eee ‎100 ۱ ‏ا‎ hi 960 ۰ | eee ean oon Cee Oe ee a eo aed +9 ere one a Cee a ey ۱3 RS ie ele ee .e (Kee. ‎aed coe I ‏ل‎ a eo ‎ ‎ ‎

صفحه 39:

1 آشنايی با تسليحات غير کشنده ارائه كننده : مصطفي مطاعي ‏M_motaei@yahoo.com و علمناه صنعه لبوس لكم لتحصنكم من باسكم فهل انتم شاكرون ( سوره مبارکه انبيا آيه ) 80 و ما به او(حضرت داود عليه السالم ) ساخت زره را تعليم نموديم تا شما را از آسيب جنگ در امان بدارد ،پس آيا از شكر گزارانيد؟ 3 فهرست مطالب ‏EMP معرفی منابع تاثیرات راه های محافظت------------------------------------بمب های گرافیتی معرفی تاثیرات -راه های محافظت معرفی منابع EMP ، EMPت77اب7شن77اگه7ان7يم7وج ا7لکترم7غناط7يسي در زمان بسيار کوتاه است که طيف بزرگ فرکانسي را با دامنه زياد مي پوشاند. طرز عمل اين پالس شبيه يک صاعقه است اما به مراتب موثر تر و سريعتر 5 تقسيم بندي عملکردي الف :انفجارات هسته اي: پالس هاي ناشي از انفجارات هسته اي که از نوع باند پايه مي باشند .در صورت انفجار در ارتفاعات باالتر از جو زمين ،گستره تخريب بسيار وسيعی در حدود چند صد کيلومتر دارند. ب :بمب هاي الکترومغناطيسي انفجاري: در نوع انفجاري و يا اصطالحا يکبار مصرف ،دو نوع پالس در باند پايه و مايکرويو بر حسب تنوع سيستم ها وجود دارد که در هر صورت سيستم تنها يک پالس از خود صادر مي کند .بکار گيري اين نوع سالح عمدتا بصورت بمب و راکت و يا پرتابه اي مي باشد. پ :توپ هاي الکترو مغناطيسي با تغذيه الکتريکي: توپ الکترومغناطيسي بعنوان يک سالح چند بار مصرف است که پالس خروجي در اين سيستم مي تواند از هر دو نوع باند پايه و مايکرويو باشد ( فرکانس هاي مايکرويو اين سالح از حدود GHZ 1تا حدود GHZ 15گزارش شده است ) . 6 بمب الکترو مغناطيسي اخال گر الکترونيکي: امواج قدرتي منتشر شده با نفوذ به قسمت هاي مختلف سيستم مانند آنتن ها ،محفظه ها و سيستم ها و کابل ها و مدارات چاپ7ي و نيمه هادي ها مي توانند باعث 7تخريب 7قطعات و اختالل در سيستم هاي الکترونيکي شو7ند . در جنگ خليج فارس ،از بمب 7هاي الکترمغناطيس EMPبا توان حدود 16مگاوات بر عليه تجهيزات الکترونيکي عراق استفاده شده است.7 اياالت متحده در سال 1999از تاسيسات استراتژيک يوگسالوي به عنوان يک ميدان آزمايش براي سالح هاي الکترومغناطيسي تهاجمي استفاده نم7ود .در نقطه مقابل ،روس ها نيز از بمب 7هاي7 الکترو مغناطيسي بر عليه ابررايانه هاي 7آمريکا استفاده کردند. 7 8 ویژگی ها: ‏ ‏ ‏ ‏ ‏ ‏ ‏ ‏ هر کشوري 7حتي با تکنولوژي در سطح دهه ،1940قادر به ساختن اين نوع بمب ها مي باشد. استفاده آنها در سطح کشور ها و حتي توسط تبهکاران با صرف مبلغ حدود 400دالر يک مدل پايه از آن را مي توان ساخت.7 با سرعت نور حرکت 7مي کنند سه اثر حرارتي و بيولوژيکي و الکتريکي عموما به وضيعت 7آب و هوايي حساس نيستند دستگاه هاي الکترونيکي حتي هنگامي که خاموش 7هستند نيز ممکن است 7در برابر اين سالح ها آسيب پذير باشند. با کوچک شدن اندازه دستگاه هاي 7الکترونيکي و فشرده تر شدن آنها ،حساسيت 7شان نسبت7 به HPMزيادترمي شو7د7. بنابر اين سيستم هاي الکترونيکي پيشرفته ،آسيب پذيرترين دستگاه ها هستند. احتمال زياد اصابت به هدف در مقايسه با سالح هاي معمولي ( نيازي به هدف گيري 7دقيق نيست.) 7 امکان حمله هم زمان به چند هدف 10 هسته اصلي بمب هاي الکترومغناطيسي : - مولد هاي شارژ فشرده ( ) FCG - مولد هاي هيدروديناميکي مغناط7يسي () MHD - منابع مايکرويو توان باال () HPM مولد هاي : FCG ايده اصلي ساخت ، FCG 7استفاده از يک انفجار سريع براي فشرده سازي لحظه اي يک ميدان مغناطيسي همراه با انتقال انرژي زياد از انفجار به ميدان مغناطيسي مي باشد. هاي77لکترو7م7غناط7يسيم7يب77اشد. 7ل7ستفاد7ه 7در ط7را7ح7يب777مب ا 7ي77اب ا ، FCGک77ام7لت77رينت77کنولوژ ق 11 12 سالح هاي HPMکه به آنها سالح هاي RFو سالح هاي با پهناي طيف فوق العاده زياد نيز گفته مي شود ،اغلب شامل يک منبع تغذيه اوليه انفجاري يا الکتريکي ،يک مولد RFو يک آنتن مي باشند. محدوده فرکانسي اين سالح ها 10مگاهرتز تا 100گيگا هرتز است و با تابش باند باريک و باند پهن چندين فرکانس هم زمان ايجاد کرده و سطح تواني در حدود 100مگاوات تا 100گيگا وات دارند . 13 14 اثر بر قطعات الكتريكي و الكترونيكي آسيب 7هاي مقاومتي ناشي از جريان هاي 7پالسي سطح باال به وسيله فشار بيش از حد حرارتي القاء شده توسط انرژي 7و شکست ولتاژ ايجاد مي شود. آستانه آسيب براي 7خازن هاي الکتروليتي در جهت مثبت 7آنها 3الي 10برابر نرخ ولتاژ DCآنها مي باشد. ترانسفورماتور ها در اثر داغ شدن يا ذوب عايق اطراف سيم ،آسيب مي بينند. سوئيچ ها و رله ها نيز در اثر جرقه زني بين شکاف ها معيوب مي شوند. در بررسي ميزان نفوذپذيري محفظه ها ،پديده تشديد بسيار حائز اهميت است .فرکانس هاي تشديد، فرکانس هايي هستند که در آنها ميزان نفوذ به محفظه ها به بيشترين مقدار ممکن مي رسد. خطوط نواري و مدار هاي چاپي به عنوان يکي از مهمترين بخش هاي يک سيستم الکتریکی ،لزوم حفاظت از آنها در برابر امواج الکترومغناطيسي خارجي از مهمترين گام هاي طراحي مي باشد. 15 قطعات ديجيتالي پيشرفته که در ساخت آنها از تکنو لوژي هایی مانند CMOS استفاده مي ش7ود، اگر در معرض تابش مستقيم HPMقرار بگيرند ،بسيار حساس و آس7يب پذيرند. توان مايکروويوي مورد نياز براي ايجاد آشفتگي در قطعه ديجيتال بيشتر از توان مورد نياز براي ايجاد اغتشاش در يک قطعه آنالوگ است . کابلها از نفوذپذيرترين قسمتهاي يک سيستم در مقابل امواج الکترو مغناطيسي مي باشند. در يک دسته بندي کالن کابل ها به چهار دسته تک سيم و زوج سيم و چند رشته اي و کابل شيلد و کواکسيال تقسيم مي شوند. تقسيم بندي از جنبه ديگر :تغذيه اي و اطالعاتي. عمدتا ميزان نفوذ در هاديها در فرکانس هاي پايين ،بيشتر اس7ت. در فركانس هاي باال سيم هاي كوتاه هم مانند يك آنتن گيرنده خوب عمل مي كنند. 16 اقدامات موثر در کاهش اثرات HPMدر سيستمهاي الکترونيکي: ) 1حفاظ سازي زير سيستم ها ،کابل ها و سيم ها. ) 2فيلترينگ مناسب در کابل هاي اطالعاتي و تغذيه. ) 3ارتباط دادن زير سيستم ها بوسيله کابل هاي فيبر نوري. )4استفاده از محدود كننده هاي ولتاژ و جريان زياد ) 5جايگزين کردن قطعات حساس مثل تراشه هاي منطقي MOSبا معادلهاي مقاوم شده آنها. )6کم کردن Duty cycleفرستنده ها و گيرنده هاي حساس.7 ) 7بهينه سازي و اصالح کردن مدارهاي بزرگ و کم کردن تعداد عناصر آنها. ) 8استفاده ازسيستم هاي تطبيق و محافظ براي ورودي تغذيه برق سيستم . ) 9باندينگ مناسب در محل اتصاالت (کانکتورها )... 17 استفاده تو7ر هاي فلزي seدر حدود 20dbافزايش مي يابد. محفظه ها امواج مخرب فرکانس باال را تا حد زيادي حذف مي کنند اما در فرکانس هاي پايين اين عمل به سادگي قابل انجام نمي باشد و براي حذف اين امواج مي توان روش هاي برش و لتاژ ،انحراف سيگنال به زمين،انتخاب محل بهينه روزنه ها در حد امکان و همچنين از مواد مغناطيسي براي 7تغيير نحوه توزيع ميدان داخل محفظه و ...استفاده کرد . استفاده از خم هاي ربع دايره بجاي خم قائم و پوشش عايقي جهت 7حفاظت 7خطوط نواري و مدار هاي چاپي قرار دادن کل تجهيزات در داخل يک محفظه ،که به قفس فارادي معروف مي باشد. در تکنولوژي مدرن براي انتقال اطالعات به داخل و خارج محفظه از فيبرهاي نوري استفاده می کنند. 18 19 20 اصول اساسي در مقابله : انواع ادوات محدود کننده جريان يا ولتاژ اصل جداسازي زيرسيستم ها ()Segregation اصل زمين کردن ()Grounding کانکتورهاي متوقف کننده ولتاژها و جريانهاي بزرگ گذرا اصل پوش7ش ()Shielding طراحي اتاق هاي پوشش مناسب براي کاربردهاي مختلف استفاده توأم از فيلترينگ و پوشش استفاده از درزگيرها ()Gasket طراحي مناسب بردهاي مدار چاپي براس7اس اصول EMC پوش7ش براي کابلها متوقف کردن ولتاژها و جريانهاي بزرگ گذرا فيلترهاي EMC 21 زمين کردن( )Groundingدر سيستمها با دو هدف صورت ميپذيرد: يکي تضمين امنيت پرسنل حفاظت 7از سيستمها و دستگاههاي 7مختلفزمين کردن براي امنيت پرسنل بيشتر در مقابله با صاعقه و نقصهاي سيستم توان ميباشد که حتي گاهي باعث جاري شدن جريانهاي دهها کيلوآمپري به زمين ميشوند. 22 طراحي اتاق هاي پوشش: .1درهاي ورود و خروج .2نصب هواکش با موج بر و جداساز .3موج بر براي ورود و خروج هوا .4ورود خروج هوا با جدا ساز .5سيستم ورود و خروج براي مايعات (لوله هادي با عايق) .6سيستم ورود و خروج براي 7مايعات (لوله غيرهادي) .7ورودي 7سيگنال ،سيستم ورود و خروج براي کابل داراي 7پوشش و سيستم ورود و خروج براي 7کابل ها غير هادي 23 درهاي ورود و خروج: شرايطي که يک در اتاق پوشش ،بايد برآورده سازد: ‏ ‏ ‏ ‏ ‏ ‏ ‏ ‏ از آلياژ مناسب 7ساخته شده باشد با ديوارههاي 7اتاق اتصال مناسب داشته باشد از درزگيرهای مناسب استفاده شده باشد در برابر نفوذ هواي آلوده و گازهاي سمي مقاوم باشد عايق صوتي باشد قابليت 7تحمل فشار بسيار باال را داشته باشد در مقابل آتش مقاومت باشد عايق حرارتي باشد شمايي از يک در تک لنگهاي انواع درهاي اتاق پوشش: )1درهاي يک لنگهاي7 )2درهاي 7دو لنگهاي7 )3درهاي 7کشو7يي 24 مناسبترين نوع هواکشها ،هواکش هاي موج بري 7مي باشند. ابعاد سطح مقطعي چنين موج بري کوچک است، لذا فرکانس قطع هر کدام از اين موج برها :نمونهاي از هواکش براي اتاق پوشش بسيار باالست و امواج EMPدر آنف77رکان7سها ا7ح ً 7تما7الدا7م7نه7 کوچکي دارند. 25 سيستم ورود لولهها و کابلهاي پوشش دار : براي 7اين منظور از ادواتي با نام بوشينگ استفاده ميشود. بوشينگ براي لوله آب : بوشينگ براي کابلهاي پوششدار : 26 سيستم ورود کابلهاي غيرهادي: کابلهاي غيرهادي نظير فيبرهاي نوري اگرچه خود کمتر حامل امواج EMPميشوند و آنها را با خود داخل پوشش نميبرند ،ليکن چنانچه با مکانيزم درستي وارد اتاق نشوند 7،از فواصل ايجاد شده در ديواره اتاق پوشش ،اين امواج وارد اتاق ميشوند. این وسيله تعدادي سوراخ روي خود دارد که به ابعاد استاندارد خطوط غيرهادي 7نظير فيبرهاي نوري 7در آن تعبيه شدهاند ،تعداد سوراخ ها معموً 7 ال بيش از حد نياز ميباشد ،براي مسدود کردن سوراخ هاي اضافي از پيچهاي ويژه اين سوراخها استفاده ميشود. 27 Gasket-(: استفاده از درزگيرها )Fingerstock 28 پوشش براي کابلها: از آنجا که امواج حاصل از يک حمله EMPدر مجاورت محل وقوع حمله بسيار پرتوان ميباشند ،به راحتي ميتوانند از پوش7ش روي کابل عبور کرده، سيگنال عبوري از آن را تحت تأثير قرار داده و همراه با آن وارد سيستم شوند، براي جلوگيري از اين پيشامدها با استفاده از پوششهاي اضافي ،از کابل در برابر EMPحفاظت ميشود. پوششهاي زيپي براي تقويت پوشش کابلها 29 انواع ادوات محدودکننده جريان يا ولتاژ: -1محدود کنندههاي ولتاژ (موازي با سيستم حفاظت شده) : المپهاي تخليه گازي (ظرفيت انتقال جريان بسيار باال ،ولتاژهاي برش بزرگ و سرعت پايين) محدود کنندههاي پالسما (ظرفيت انتقال جريان باال ،ولتاژهاي برش متوسط و سرعت متوسط) ادوات سراميکي (وريستورهاي اکسيد فلزي)(سرعت بسيار باال ،ظرفيت انتقال جريان باال) ادوات حالت جامد (ديودهاي زنرSidactor ،ها و ( )...سرعت هاي عکسالعمل بسيار باال) -2محدود کنندههاي جريان (س7ري با سيستم حفاظت شده) : فيوزهاي هوشمند يا PTCها (عکسالعمل باالتر) فيوزهاي شيشه اي (تحمل جريان بزرگتر) 30 وريستورها به طور گستردهاي در حفاظت در برابر ولتاژهاي 7گذرا استفاده شدهاند و در ساختارهاي بستهبندي شده تجاري 7مختلف در دسترس هستند ضخامت متناسب با ولتاژ است. سطح متناسب با جريان -حجم متناسب با انرژي است محدود کنندههاي توان 31 کانکتورهاي مقاوم در برابر :EMP امروزه استفاده از ادوات حفاظت در برابر Surgeبه قدري توسعه يافتهاند که در بعضي موارد ،ديگر نيازي نيست که از آنها به صورت مجزا استفاده شود 7،بلکه کانکتورهايي ساخته شدهاند که از محدود کنندههاي ولتاژ و جريان در يک بستهبندي کامل سود ميبرند ،به عالوه در اين بسته بنديها معموً 7 ال از هيتسينک نيز استفاده ميشود. کانکتوري که از مدارات متعدد موازي براي حفاظت در برابر Surgeبهره ميبرد، هرگاه الماني در اين کانکتور خراب شود ،ميتوان با المان گسسته آن را جايگزين کرد. 32 کانکتوري 7که از مدارات متعدد موازي براي حفاظت 7در برابر Surgeبهره ميبرد و فيلتر EMIسادهاي نيز دارد .در فرکانسهاي باالي 100MHz 7کار ميکنند، ميتواند به خوبي عمل فيلترينگ و حفاظت در برابر EMPرا همزمان انجام دهد و قابليت 7مهم اين وسيله آنست که ميتوان آنرا بالفاصله باز کرده و درصورت خرابي ديودها انها را تعويض کرد. 33 فيلترهاي :EMI فيلترها براي 7اتالف و تضعيف سيگنالهاي 7موجود در روي 7هاديها در فرکانسهاي ناخواسته طراحي ميشوند ،در حاليکه فرکانسهاي 7سيگنالهاي اصلي را از خود عبور ميدهند. انواع فيلترهاي :EMI فيلترهاي مد مشترک (چوکهاي مد مشترک و هستههاي فريتي) فيلترهاي خطوط توان فيلترهاي خطوط سيگنال يا مد تفاضلي(انواع فيلترهاي ديجيتال و آنالوگ) استفاده توأم از فيلترينگ و پوشش: استفاده از پوشش بدون استفاده از فيلترهاي ويژه ،کامل نميشود. براي انتقال خطوط سيگنال و توان به داخل يک محفظه پوشش ،حتما ً بايد از فيلترها استفاده کنيم. 34 نکته مهم حين استفاده از فيلترها براي اتاق پوشش اينست که فيلتر حتم ًا بايد روي ديوار خارجي اتاق پوشش نصب شده و بدنه فيلتر ،حتم ًا بايد زمين شود. 35 اس7تفاده از پوشش روي PCBها: استفاده از پ7وشش در روي PCBها براي قطعات حساس و گاهي نيز براي 7تمام PCBبکار ميرود ،استفاده از پوشش در روي PCBها نيز احتياج به فيلترينگ دارد. 36 فيلترهاي خط توان فيلترهاي مد مشترک 37 :منابع و ماخذ اولين همايش، " "اصول تجهيز پرتابه هاي نظامي به سرجنگي الكترومغناطيسي، دانايي. م، مطاعي. م، فكركن. م،چلداوي. ] ا1 1381 سيستمهاي نظامي هوشمند. پايان نامه،" "تحليل و شبيه سازي مولدهاي پالسي شار فشرده با در نظر گرفتن اثرات پوستي و همسايگي، چلداوي. ا، فكركن. ] م2 1382 دانشگاه علم و صنعت، دانشكده برق، .Thomas holt "Explosively-Driven Helical Magneto-Cumulative Generators" Thesis, TTU 2002 ]3[ 1382 دانشگاه علم و صنعت، دانشكده برق، پايان نامه،""مولدهاي توان باالي پالسي فركانسي،چلداوي. ا، مطاعي. ] م4[ 5]MagnetocumulativeGenerators, NewYork:Springer-VerlagNewYorkInc.,2000.L. Altgilbers, M. Brown, I. Grishnaev, B. Novac, I. Smith, I. Tkach, and Y. Tkach, 82 مهر ماه، دانشگاه صنعتي شريف، ] سمينار جنگ الکترو نيک6[ 80 زمستان، ] گزينه هايي از مقاالت دکتر دانايي محمد مهدي7[ A. A. smith “coupling of external electromagnetic fields to transmission lines” new york : wiley 1977 -8 9- C.D. talor.R.S.satterwhile and c. w harrison the response of a terminated two – wire transmission line exited by anon – unifrom electromagnetic feld : ieee trans . Antennas propagate . Vol 13 pp 987-989 nov 1965 . 10- E.F. vance . Coupling to shielded cables . New york wiley interscience 1987 11- S.A. Schelkunoff electromagnetic wave . New york : van nostrand , 1945 12- High power microwave sources and technologies robert j.brker . 13- v. dwyer , a. franklhn and d. campbell , thermal failure in semiconductor devices solid state electronics , vol 33 , no , 5 , pp , 553 – 560 , 1990 . 14- The electromagnetic bomb – a weapon of electrical mass destruction 38 http ://www . Cs . Monash . Au / carlo . صلوات بر محمد و آل محمد 39

62,000 تومان