صفحه 1:
بررسي حافظه های دیتامیکی و
SDRAM Interfacing
اسمينار كازشتاسى ارشد كامبيوتي -. معماری
علی بهلولی زفره
دكت برنجكوب
lease)
كد از ی
پاییر۱۳۸۱
صفحه 2:
مقدمه (1
2 حافظه های دینامیکی
SDRAM (3
4) ساختار 501۸11
5) طرحی برای کنترلر
6) جمح بندی و نتیجه گیری
صفحه 3:
1 طرحها با حجم پردازش کم
نظیر میکووکنتولوو .|
موارد استفاده از حافظه ها
صفحه 4:
تهای ۱۵۲ 5۸۵
wens Refresh 255 4DRAM (a1
ب) خطوط آدرس 1018/41۷1 ها مالتیپاکس شده است.
esl (c به کنترلر
صفحه 5:
ارصم
آسنکرون. EDO
BEDO) —
Synchronous DRAM) SDRAM 43 5
; oe
صفحه 6:
انواع 591918411 هاى موجود
1) به صورت ماجول
2 به ضورت 100 مجزا
Micron
SRAM
صفحه 7:
2
8
5
2
a
a
صفحه 8:
ظرفیت ]ها بر حسب مگابیت بیان می شود .
دارای سه نوع بسته بندی هستند ( بر خسب تعداد بیتهای دیتا)>
مثلا برای یک آی سی 256بگاییتی :
تعداد كلمه هابى كه
بايد ادرس دهي | تعداد بيتهاى ديتاً
شوند
64M 4
32M 8
16 16M
ظرفیت
256Mbit
256Mbit
256Mbit
Ic
SDAM1
SDAM2
SDAM3
صفحه 9:
صفحه 10:
SDRAM. ‘
۰ خطوط تغذیه
2 خطوط دیتا
خطوط آذرنی
(WE,/CAS,/RAS,/CS, CLK, CKE,DQM/)) خطوط كنترلى ٠ 1
صفحه 11:
خطوط آديس ]510140
با استفاده از sue عم = 0 ۸12و 38۸0و 1۱۸1 کلمه های able
آدرس دهی مى
AL فضا
آدرس سنون 601 ))
تعداد بیتهای قسمت 13621۷ ثابت وبرابر تعداد خطوط آدرس:
آد 4 ۸25
CROW jhe آدرس
cue! SDRAM.
صفحه 12:
نحوه تقسیم آدرس, به آدرس سطر و ستون و بانک
yo 28242902 ino
cand
1 «ستتعيج ممصم عدم عددع حص دوييدت سهد :عد وج وج 27
aa ROW Address مه تست
مود و بر
sud
2 SS a دوجو
aah ROW Address مت تس
25 0 98
son
۳ he are cee eta ee
son ی سس موم
شید مت 0
صفحه 13:
Active, Read, Write, Refresh, recharge Mode”
register set 1 1 1
وظيفه كنترلر صدور فرمانهاى فوق است.
0 00 خطوط کنترلی:
CLK,CKE,DQM , /WE,/CAS,/RAS,/CS
صفحه 14:
SDRAM State Machine
د
صفحه 15:
ماشین حالت SDRAM
——> Automatic sequence
Manual Input مس
صفحه 16:
Mode Register Setting
چم | مد ]جه ] سه ] فم | 0ه | 3 | كه | له [an | as | a2 | an | a0
0000 کب Burst
Lapéncy Leygth
کم ما۸1 ۸۸۸ [| ظس
6 [5 | 4 | Latency 2 [1 | 0 | Length
ololo peo 0100 1
013 1 ۸ 0۱01 2
Burst Type
Pie es 3 YP! 011۰ 4
113 3 0|Sequential| |9}1]1 8
1 | Interleave 1jolo| 16
1lolo Reserv
32 101 ف
0 1110| 64
Reserv Full
111
1 ۱1 10 page
T
, 1,1, | Reserv
صفحه 17:
row Timer
‘comparat
Same ROW
Arbitr 6
mol ator WE
صفحه 18:
استفاده از حافظه دا در
مرق لجاب ENGR
بین حافظه های دینامیکی. در حال حاضر ]510191۷ . بهترین انتخاب است.
eee al Jeera @ SDRAM CL ites شود
با توجه به نیاز, تعدادی از حالت های بدون استفاده در 5118 ۳ حذف وکنترلر
آن طراحی و ساخته شود(به دلیل ساده تر شدن طراحی):
5 او 0012 ها. ن سلهایچدید 51010۸ هستد و میت وزدر
طرحهاییکه به سرعتب | لارین یز ee
صفحه 19:
Se
Bee
ذ
دانشگاه صنعتي اصفهان
دانشكده برق وكامپيوتر
بررسي حافظه هاي ديناميکي و
SDRAM Interfacing
سمينار كارشناسي ارشد کامپيوتر -معماري
علي بهلولي زفره
استاد درس
دكتر برنجکوب
استاد راهنما
دکتر محمد داورپناه جزي
پائيز1381
1
سمينار کارشناسی
ارشد
عناوين اصلی
مقدمه )1
)2حافظه های ديناميکی
SDRAM )3ها
)4ساختار SDRAM
)5طرحی برای کنترلر
)6جمع بندی و نتيجه گيری
2
سمينار کارشناسی
ارشد
مقدمه
)1طرحها با حجم پردازش کم
نظير ميکروکنترلرو...
موارد استفاده از حافظه ها
)2طرحها با حجم پردازش زياد
نظير پردازنده ها و fpgaها
3
سمينار کارشناسی
ارشد
حافظه های ديناميکی
تفاوتهای DRAMبا SRAM
الف) DRAMها نيازمند Refreshهستند.
ب) خطوط آدرس DRAMها مالتيپلكس شده است.
ج) نيازمند به کنترلر
4
سمينار کارشناسی
ارشد
انواع حافظه های ديناميکی
FPM
آسنکرون
EDO
BEDO
انواع DRAM
سنکرون) Synchronous DRAM) SDRAM
5
سمينار کارشناسی
ارشد
SDRAM
انواع SDRAMهای موجود :
)1به صورت ماجول
)2به صورت ICمجزا
6
سمينار کارشناسی
ارشد
SDRAM Module
7
سمينار کارشناسی
ارشد
SDRAM
ظرفيت SDRAMها بر حسب مگا بيت بيان می شود .
دارای سه نوع بسته بندِی هستند ( بر حسب تعداد بيتهای ديتا).
مثال برای يک آی سی 256مگابيتی :
تعداد کلمه هايی که
بايد ادرس دهی تعداد بيتهای ديتا
شوند
8
ظرفيت
IC
64M
4
256Mbit
SDAM1
32M
8
256Mbit
SDAM2
16M
16
256Mbit
SDAM3
سمينار کارشناسی
ارشد
SDRAM
NO Connected Pin
سمينار کارشناسی
ارشد
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
SDRAM
Vdd
DQ0
VddQ
NC
DQ1
VssQ
NC
DQ2
VddQ
NC
DQ3
VssQ
NC
Vdd
NC
#WE
#CAS
#RAS
#CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
Vdd
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
Vss
DQ7
VssQ
NC
DQ6
VddQ
NC
DQ5
VssQ
NC
DQ4
VddQ
NC
Vss
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
9
پين هایSDRAM
.1خطوط تغذيه
.2خطوط ديتا
.3خطوط آدرس
.4خطوط کنترلی ()WE,/CAS,/RAS,/CS,CLK,CKE,DQM/
10
سمينار کارشناسی
ارشد
خطوط آدرسSDRAM
با استفاده از سيگنالهای RASو CASو A0تا A12و BA0و BA1کلمه های حافظه
آدرس دهی می شوند.
…A1
....
آدرس ستون)) COL
کل فضای آدرس
A25 A24
A0
آدرس سطر ) )ROW
شماره بانک
تعداد بيتهای قسمت ROWثابت وبرابر تعداد خطوط آدرس SDRAMاست.
11
سمينار کارشناسی
ارشد
به آدرس سطر و ستون و بانک،نحوه تقسيم آدرس
26
64M=2
25 24 23 22
Bank
Address
25
32M=2
24 23 22 21
Bank
Address
25
16M=2
23 22 21 20
Bank
Address
سمينار کارشناسی
ارشد
………………………
ROW Address
………………………
ROW Address
………………………
ROW Address
…………
1110
0
Column Address
109
…………
0
Column Address
9 8
…………
0
Column Address
12
خطوط کنترلی
SDRAMدارای يک ماشين حالت داخلی است که با توجه به مقادير خطوط
کنترلی بين حالتهای مختلف جابجا می شود.
به هر ترکيبی از مقادير اين خطوط يک فرمان گفته می شود.
نظير فرامين:
Active,Read,Write,Refresh,Precharge,Mode
register set
وظيفه کنترلر صدور فرمانهای فوق است.
خطوط کنترلی:
CLK,CKE,DQM , /WE,/CAS,/RAS,/CS
13
سمينار کارشناسی
ارشد
SDRAM State Machine
SREF
Idle
State
SREF
Exit
R
ACT
K
E
=
1
Self
Refresh
E
F
C
C
K
E
=
0
Mode
Register
CKE=0
Power
Down
Row
Active
W
Auto
Refresh
R
B
S
T
R
D
`
CKE=1
CKE=0
Read
Suspended
CKE=1
Read
Write
CKE=0
CKE=1
WRA
RDA
سمينار کارشناسی
ارشد
PREA
PRE
Read
Auto
CKE=1Precharge
PRE
CKE=0
Read
Suspended
Power on
Write
Suspended
CKE=1
Write
Auto
Precharge
Write
Suspended
CKE=0
PreCharge
14
SDRAM ماشين حالت
MR
S
Mode
Reg.
Idle
State
Auto
ACT
Automatic sequence
Row
Manual Input
Rea
d
Read
Power
On
سمينار کارشناسی
ارشد
Refresh
PRE. All
Bank
Active
Prech
arge
Write
Write
PreCharge
15
Mode Register Setting
سمينار کارشناسی
ارشد
A1
3
A1
2
A1
1
A1
0
A9
A8
A7
0
0
0
0
0
0
0
A6
A5
A4
A3
CAS
Latency
A2
A1
A0
Burst
Length
A
6
A
5
A
4
CAS
Latency
A
2
A
1
A
0
Burst
Length
0
0
0
Reserv
e
0
0
0
1
0
0
1
1
0
0
1
2
0
1
0
2
0
1
0
4
0
1
1
3
0
1
1
8
1
0
0
Reserv
e
1
0
0
16
1
0
1
32
1
1
0
64
1
1
1
Full
page
1
0
1
Reserv
e
1
1
0
Reserv
e
1
1
1
Reserv
e
A
Burst Type
3
0 Sequential
1 Interleave
16
SDRAM طرحی برای کنترلر
SDRAM CONTROLLER
Timer
row
comparat
or
Same ROW
WR
CKE
Refresh
RAS
Arbitr
ator
RD
CAS
WE
CS
Address
سمينار کارشناسی
ارشد
MUX
آدرس
SDRAM
17
نتيجه گيری و پيشنهادات
• استفاده از حافظه های ديناميکی در سيستم هايی که به حافظه بزرگ نياز دارند،
امری اجتناب ناپذير است.
• از بين حافظه های ديناميکی ،در حال حاضر SDRAMبهترين انتخاب است.
• استفاده از آی سی SDRAMبه جای ماجول آن توصيه می شود .
• با توجه به نياز ،تعدادی از حالت های بدون استفاده در FSMحذف وکنترلر آن
طراحی و ساخته شود(به دليل ساده تر شدن طراحی).
• DDRها و QDRها ،نسلهای جديد SDRAMهستند و می توان در
طرحهِايی که به سرعت باالتری نياز دارند استفاده شوند.
18
سمينار کارشناسی
ارشد
با تشکر از:
اساتيد
و
دانشجويان
19
سمينار کارشناسی
ارشد