تکنولوژی ساخت حافظه DRAM غیر فرار

صفحه 1:
00 

صفحه 2:
ip has eile (ROM) =p 8ROM (PROM) ای “لجع 00 فيل نوسن و باك كردن الك “ممع ۳۸ حفله :تب تمادفی قفا ای 0 poate حافظه إيسنا ب دسترسي (SRAM) ظ يي يالل حفه پا “لخم 

صفحه 3:
۱۳ Ce * فناوری حافظه های پویا به این صورت است که از میلیون ها ترانزیستور بعلاوه خازن تشکیل ی سلول حافظه يويا زا يك تراننريستور ويك خازن تشكيل شده است * خازن دادهى بيت يعنى مقدار صف يا يك را نكّهدارى مى كند و ترانزيستور به عنوان يك سوبيج ۱ ۱ * حافظه های پویا به طور مداوم باید در حال تازه سازی داده های خود باشند در غیس اینصورت داده ‎yey ome DET‏ ۳[ ‎ea‏ تازه سازی حافظه ی پویا مقدار هم سلول قبل از خالی شدن خوانده می شود و سپس همان ‎ros i‏ 0 

صفحه 4:
| 

صفحه 5:
DRAM MEMORY ARRAY Oe eee Clee ۱ a a ۳۹ | oJ ۰ 1 5 ‏لا‎ I ۳ | 13 J J 5 1 1 9 — 2 5 1 | 1 I i ot ۱ 0 4 4 ls es 5 J 5 4b DRAM ase Jo. 0 5 5 ١ 1 1 1 

صفحه 6:
DRAM alasl> Jol 

صفحه 7:
Orlvwus خواندن و نوشتن 

صفحه 8:
pee ‏ا‎ res Pere aeea) ‏فراهم مى كند كه سلولهاى حافظه دسترسى تصادفى و غير ضرار وويويا را يكيارجه كرده است. اين اختراع را مى توان‎ ۱ ‏ا ا ل ا‎ 00 ‏م ا‎ er eC ‏شود. 14101 ]5به طور معمول كانت از 0]8/41/1] است. با اين وجود يك /51881 به طور معمول داراى زهان‎ 00 ‏ل‎ eer Yee se at Toe eB Caren beer ‏ا الل ا ا ل ل‎ ‏فتن داده ها به دليل قطع برق يا خاتمه كار غير_قابل قبول باشد از يك حافظه غير ضرار برا. اى ذخيسره داده استفاده مى‎ ‏ا ا 0 بنابراين , در مواردى كه‎ 0 ‏ذخیره و بازیایی سریع اطلاعات مورد نیاز است » معمولاً از حافظه غير ظرار استفاده نمى شود. علاوه بس اين» حافظه‎ ‏فرار اغلب براى ولتاذ بالا » به عنوان مثال: ؟١ ولت براى برنامه رمزى يا ياك كردن نياز دارد. جنين ولتاذهاى‎ ers ۱ ‏ا ا‎ Dt ‏تغذيه مى كندء كوتاه مى سازد. ولتاث بالا ممكن است به دليل تتزريق الكترون كم » توانايى حفظ حافظه در‎ 2 ‏حافظه را كاهش دهد. ولتاث بالا ممكن است باعث شود سلولهاى حافظه بيش از حد در طول دوره هاى ياك كردن ياك‎ 8 شوند. ياك كردن بيش از حد سلول منج, به خوانش معيوب داده هاى ذخيره شده در سلول هاى حافظه مى شود. 

صفحه 9:
BIT LINE ۱۷۱/۱ ۱۱ VAR YO IE ELON TIE eee 7 

صفحه 10:
۱9۳7 ۱۶۰ ۷ ۱۱ 191۰۱۵۱۸۵ ۱/۸ ۳۱۱ ۱ ۱۱ ‏۷۱و7۸‎ ۷۱ ۱۸۵۹ E 

صفحه 11:
‎Pag TAY]‏ نتر ثيمه شادعر است. 

صفحه 12:
0111117 اكسيد بر روعا آن است. 

صفحه 13:
را ار ۱ يد اكسيد است. 

صفحه 14:
201 ee) Deg CBee WY Teepe] ae) m1 t eT) ee Cee ‏بط نندم است‎ 

صفحه 15:
اا ل ا ا ا ‎[aay en ee a‏ مواد دعا لكتريكيسر شده لست 

صفحه 16:
iy ene Peavey) ee ‏لل ا ل‎ 0 fv eed CR] ee Pe ID VI pee weve ane, eet YT ee 

صفحه 17:
| ‏ا‎ Vee WePYaN pe) mg Be PY eves a] RR) 3 

صفحه 18:
ان تور اه ار له ی 

صفحه 19:
Tippee 1) Wwe [rte] Pee ae We Yeap] eel md Y we eT Mere en 

صفحه 20:
ل ا ل ل 0 7 7 ۱ ار ‎Pan Pye pee‏ 

صفحه 21:
) ا الا ل ل لا لل ‎Peer‏ ‎freer‏ 7 3 

صفحه 22:
مقطعمساختار نيمه هدى 216.13 يسازجاه 8 دوم و جاه [ا! سوم لسدتو لانياد هلى 

صفحه 23:
146. 146, 146 UN TF ‏سس‎ ۲ 140 112 FIG, 154 ‎٠.‏ !يكميد مقطعموساختار نيمه هنحعر4 1. )| ايسراز يسوبلا يم يلرو ماسكهاى ‎ay eet ity, we]‏ ال ا ل 0 للك 5 ل ا ا ل ل ل 10 ‎ 

صفحه 24:
548 FIG, 15B ‎tEle 158‏ ی ل ‎Te‏ ل ل ا ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ 

صفحه 25:
152A 1528 150 453A As 15 158 / 159 186 \ ١ ¢ fe! 2 Prirew 2 eed (CRN ‏براجت شکیره ناملوک یتز ترانزیستوبهاوب | ولتاژ ب لاو کمهلتاژ ۱۱05و‎ ۲۲۱۷۱۵ رف ی ‎Pee‏ ‏لست 

صفحه 26:
—— ~156 0 سم ‎152A 1528 1587‏ 434 لِل-138 1548 154۸ 4 34 == 150 148 + [ \ 1004 140 FIG. 16B PRVFET ‏ل‎ eT wT) ed CsA) 3} ۳ 2 ‏یت‎ camo aed ‏ا ا زه ين‎ 

صفحه 27:
555A 160A ~152A 1528-08 3 fabs 1S ei ye Oo ۱ FIG. 17A Paar ev eg) ewe ‏رب‎ mel wT eed CRN EN eee ‏شوتورزیستسرلءجذفقیشته هاوپ لیس یلیکون اس‎ um/LDD 

صفحه 28:
12 FIG. 17B ۳۶ ‏ل ا‎ erg ad we ee eed Co sy at ‏برلءجذفدر معرفرهاسكف وتو رنيسسقرار مسقيرد. نير لايم ع‎ ‏إلا ارش ا‎ a 

صفحه 29:
1352۸ 152B 150 ‏ا‎ 154۸ 1548 156 162 164 164 166 ‏حل‎ 166 ١ 6 ies 4 166170 ۸ 0 1 ey AD So ee a ‏لل‎ 560 oi 7 were Peep) | ee Ay CR Ey ‏ی کمید متمعیاز سافة‎ 8 ‏سس‎ 

صفحه 30:
172 172 172. 172 172 ra ara are? 0 172 565 ۳ 1 f 179 178] ۳ | 178 | 178 178180) 180 / Ay VEN IAA Ae ‏ف‎ سس سس د 114 116 00000 ‏را ل ا‎ Cee) 0 ‏لکسید دمم و لت ا‎ 

صفحه 31:
20 0. )| أيكميد مقطعياز ساختار نيعم هادعر9 1 . )|| يسراز تشكيلع_كلفيه سا ليسيد 39 

صفحه 32:
Eva) Wea ‏العا ل‎ WT YEN Te) Tg) eT a eT. eed (Ca aI BE YE Stree Smee) 

صفحه 33:
184 14 196 108 ann 18 agg 580 = \ / مر pal Sy | FIG, 22 ‎(CRP‏ ا يتعيد مقطعراز ساختار نيعم هحور[ 2 . |:| يسراز تشكيلهد يلمرسيليكون 5 ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ 

صفحه 34:
‎Ja 196 8‏ 192 190 ل ۳ سس -188 ربج ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ape | ‎ ‎(e}‏ أيتميد مقطعراز ساختار نيمهم محى2 2 . )|:أايسراز بسوبيمكشيعماز 010/0 در ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ 

صفحه 35:
7 7 Teel dC Mee Tee mT) mT eee el geet 35 

صفحه 36:
۱ 

صفحه 37:
سباس از تو جه شما