میکروسکوپ الکترونی عبوری

صفحه 1:


صفحه 2:


صفحه 3:


صفحه 4:
لته میکروسکوپ های الکترونی از سال ۱۹۳۶ توسط شرکت موجود بودند. اما از سال ۱۹۵۰ به صورت وسیعی در بررسی فلزات مورد استفاده قرار گرفتند. امروزه با پیشرفتهای وسیعی که در زمینه خود دستگاه و نيز تهیه نمونه حاصل شده است. میکروسکوپ الکترونی خود را به عنوان یک ابزار ارزشمند در مطالعات متالورژیکی مطرح نموده است. 

صفحه 5:
] چرا باید از الکترون استفاده کرد؟ ۱ ازنظر تاريخى به علت محدوديت تفكيك ميكروسكوب هاى نورى كه از طول موج نور مرئى حاصل مى شود ميكروسكوب هاى الكترونى ارلئه شده لند اما بعدها مشخص شد که استفاده از الکترون باعث بهبود همزمان قدرت تفکیک و عمق میدان می شود. 

صفحه 6:
:برخی از تعاریف * قدرت تفکیک: کوتاهترین فاصله بين دو نقطه که بتوان آنها را در میکروسکوپ به صورت دو جزء جداگانه دید. "اعمة 35 عمق ميدان: محدوده اي که شی در لن قرار مى كيرد و جشم تغييرى در كيفيت تصوير أن تشخيص ثمى دهد لا ‎x‏ د عمق فوكوس: محدوده ای که در آن تصویر واضح تشکیل می شود. در ‎dle‏ ‏که جسم در جای مشخص و ابتی نسبت به عدسی قرار دارد. 

صفحه 7:
بر هم کنش نمونه و الکترون در اثر برخورد الکترون به نمونه ۵ حالت مختلف ‎(go‏ تواند روی دهد. ۱. بدون هیچ گونه اثری از نمونه عبور کند. ۲ به صورت الاستیک پخش شود (فقط جهت الکترون تغییر می کند) از متفرق شده و انکسار می یابند. ۴. به صورت غیر الاستیک پخش می شوند (هم میزان انرژی و هم جهت الکترون تفییر می کند) ۵.جذب می شوند. 

صفحه 8:
بر هم کنش نمونه و الکترون ‎Incident electron beam‏ Backscatted electrons arava Secondary electrons ‎VY Cathodaluminescence‏ ا ‎Auger electrons > oe‏ ‎Interaction volume Sample Inelastically scattered Elastically scattered electrons electrons ‎Unscattered electrons ‎Sie ‎Transmitted electrons 

صفحه 9:
تفرق غیر الاستیک به هر فرایند ی که باعث می شود الکترون مقدار محسوسی از انرژی خود را از دست بدهد اطلاق می شود. فرایندهای مختلف تفرق غیر الاستیک عبارتند از ۴ تفرق فنون (561]671700 صمصمطاص) فنون کوانتومی امواج الاستیک ارتعاشات شبکه اتمی در یک جسم جامد است. * تفرق پلاسمون (56116171۳00 «محصمعهای پلاسمون یک موج در دریای الکترونها در باند هدایت فلز است. " تهییج تک الکترون ظرفیت * تهییج مدار داخلی 

صفحه 10:
اثرات ثانوبه اين اثرات توسط يرتو اوليه بوجود آمده و مى تواند در خارج از نمونه آشكار .شود :اين اثرات عبارتند از odor latron boar ‏الکترونهای انویه‎ = {Backscatted electrons #الکترونهای برگشتی رامش اتمهای تهییج شده Inalastcaly ‏اهمه‎ lastically scattered 3 electrons LUnecattorad electrons ‘Trangmited efsctrons 

صفحه 11:


صفحه 12:
] میکروسکوپهای الکترونی عبوری (175[18) ۱ استفاده هاى عمومى: * تصویر گرفتن از ریز ساختار در بزرگنمایی های ۱۰۰۰ تا 1 برابر جزئیات ساختاری با قدرت تفكيك 0< "" آنالیز عنصری کیفی و کمی اجزایی به کوچکی 07660 # تعيين ساختار و جهت كريستالى اجزايى به كوجكى 557000 

صفحه 13:
نمونه هایی از کاربرد: ۱ # تعیین خصوصیات ریز ساختاری فلزات. سرامیکهاء مواد زمین شناسی؛ پلیمرها و مواد بیولوژیکی در بزرگنمایی های بسیار زیاد # شناسایی (ترکیب شیمیایی و ساختار بلوری) فازهای غیر آلی. رسوبات و آلودگی ها 

صفحه 14:
نمونه ها: # شکل: جامدات (فلزات» سرامیک هاء مواد معدنی؛ پلیمرها و غیره) * اندازه: دیسکی با قطر ۳01116 و ضخامت تقریبی ‎PMS‏ ‏آماده سازی نمونه: باید برشهایی از نمونه تهیه شده و به کمک الکتروپولیش پا آسیاب پونی نازک شود تا مناطقی از نمونه اجازه عبور الکترونها را بدهد. مناطق شفاف نسبت به پرتو الکترونی نوعا کمتر از 11117616060 ضخامت دارند 

صفحه 15:
] :محدود بت ها "ا نمونه سازى بسيار خسته كننده است. 8 حداقل ناحیه آنالیز شده در حدود 111716060 است و شناسایی ساختار بلوری به فاز ها و ترکیباتی محدود می شود که در جدول فایل پراش پودری ذکر شده اند (تقریبا ۴۰۰۰۰ فاز و ترکیب)در کل قابلیت امروزی 1 را می توان مرهون چهار پیشرفت زیر دانست. . استفاده از چند عدسی جمع کننده ۲ پراش الکترونی سطح انتخابی ۴ نازک کردن نمونه ها برای تهییه نمونه های شفاف در برابر الکترونها ۴ تهییه نمونه به روش ماسک برداری 

صفحه 16:
مزیت های میکروسکوپ الکترونی(۱۶ 8 قابلیت دسترسی به بزرگنمایی های بسیار بالا ببه دلیل به کار گیری انرژی بالای الکترونها و درنتیجه طول موج کمتر پرتوها) * قابلیت مشاهده ساختمان داخلی فلزات و آلیاژها به دلیل قدرت عبور الکترونهای پر انرژی از نمونه ۴ قابلیت بررسی سطوح انتخلبی نمونه به دلیل وجود حللت بررسی با پراش الکترونها 

صفحه 17:
ساختمان میکروسکوپ الکترونی(/117):____ ليب تب ‎gun‏ سمه عدو |( ~ <2>—condenser lens 5 ‎specimen —_ /‏ =< عب ۲ له ‎~ objective lens — ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎eyepiece projector ۲ ۷ ‏وی‎ ۶ lens 1 2 image viewed viewing vy directly ‎ ‎screen or photographic, film ‎Figure 9-22. Molecular Biology of the Cell, 4th Edition. ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ 

صفحه 18:
: تفنک های الکترونی ۱ تفنگ الکترونی. سیستم تولید کننده الکترون در میکروسکوپ الکترونی است.این تفنگ ها بردو نوع هستند: (thermionic emission gun) (3,),> ji! Sai» field emission gun) (liye Lisi! Sua " 

صفحه 19:
thermionic ‏تفنک انتشار حرارتی(‎ emission gun از سیم تنگستنی» سیستم گرم شده الکترون و نور ش می کند. نهایتاً الکترونها در لثر اختلاف پتانسیل بین تنگستن یل بب و آند ام مر و Cera suletor Tungsten te Flamont lesan Gn Weel Cap nade روش بالا يردن دماع قيلامنت 

صفحه 20:
هر چه ولتاژ بالاتر و نوک سیم تنگستنی اشد آزاد شدن الکترون راحت ت است.افزایش جریان باعث افزایش جریان الکترونها می شود. 

صفحه 21:
۱ :۳۳ & (field emission gun) (slow jlisl ‏تفنك‎ سطح فلز (معمولاً تنگستن) را تحت ولتاژ بالایی قرار می دهند لذا الکترون می تواند سطح فلز را ترک کند or شمانیک تفنک انتشار مبدانى (۴۵ ‎field emission gun,‏ ۱ انوك بسيار نيز منبع الكترونى استخراج می‌شوند و توسط آند دوم.به کمک ولاز 

صفحه 22:
نفاوت بین تفنگ های انتشار حرارتی و انتشار میدانی: ۱ اروشنایی تفنگ انتشار میدانی بیشتر است. #ادر تفنكهاى انتث الى ات رای علخ ای انتشارمیدانی | خلاف تفن 5 یه الکترونها برخلاف تفنگهای حرارتی دارای 

صفحه 23:
عدسی: یک عدسی مشتمل بر یک پوسته آهنی و سیم پیچ های مسی است که در میدان مغناطیسی خودیبه دسته الکترونهای وارد شده نیرو وارد می کند و بو آنتابی قانون:جست ‎ofl easly‏ وا از مسیر خودمتجرق هی کند: optical axis 8 tower 2 b polepicce lens coil a) schematic representation ofthe magnetic field lines around a circular current carry= ing coil: b) a magnetic yoke concentrates the field lines near the center of the coil and provides « particular geometry tothe field, 

صفحه 24:
] چگونگی حر کت الکترون از درون عدسی مغناطیسی: تنب ‎Light source‏ ۳ Source of electrons: Axis Electron trajectory Copper windings tron shroud Magnetic lens field 

صفحه 25:
انواع نواقص: * نقص رنگی ‎(chromatic aberrations)‏ این تقصها ناشی از طول موجهای متفاوت برای رنگهای مختلف یک طیف است. برای از بين بردن نقص رنگی می توان از عدسی های متفاوت و ترکیبی از عدسی های مختلف بهره گرفت یا از لامپ های مخصوص و یافیلتر استفاده کرد. 

صفحه 26:
monochromatic of) eS) eS (ai achromatic لا نقص كروى . نقص آستيكمات a ‏نقص اعوجاج‎ 

صفحه 27:


صفحه 28:
] سیستم متمر کز کننده: سيستم متمركز كننده دسته الكترون را بر روى نمونه متمركز مى كند. جهت این کار از دو سرى عدسى استفاده می شود عدسی سری اول (61): میزان باریک شدن پرتو خروجی از تفنگ الکترونی را تنظیم می کند. عدسی سری دوم (02): جهت تنظیم شدت پرتو استفاده می شود. دریچه متمرکز کننده نیز جهت کنترل مقدار زاویه همگرایی استفاده می شود. 

صفحه 29:
1 عدسی شیی: 5 ivi 

صفحه 30:
ft se ers | # عدسی مخروطی: این عدسی بیشتر در میکروسکوپهای ]8۳1۷ استفاده می شود. فى قرؤي اين عدسى بيشتر در ميكروسكويهاى 11711/1' استفاده مى شود. 

صفحه 31:
عدسی تصویری: ‎Image from objective lens.‏ به ‎mm‏ 0.02 اين عدسى جهت حصول بزركنمايى الهم هاى بالاتر استفاده مى شود. 000 01 ی ‎0.4mm >‏ = bese (alignment)s; » ous ‏ردیف‎ i هنگامی که پرتو های روشن کننده ‎Projectoriens2‏ قمر با محور عدسی شییع تطابق داشته ۱ باشند بهترین تصویر ایجاد خواهد شد. ۰ 6006 ۱ ۱ 1 جهت ایجاد این هم راستایی از یک ‎200mm x500‏ سری کویل (6031) استفاده می شود. ا مب ‎Fra inage‏ 500000 Final magnification 500000 لالع 

صفحه 32:
۱. سیستم تصویری - تصویر ۲ سیستم تصوبری - الگوی پراش 

صفحه 33:
نستتم ‎REPOS RSS‏ اولین تصویر توسط عدسی شبی تشکیل می شود این تصویر توسط یک سری عدسی میانی و تصویری به بزرگنماپی های بالاتر می رسد. تصاویر در میکروسکوپ ‎TEM‏ به دو صورت است. * تصوير میدان روشن "" تصوير میدان تاربک 

صفحه 34:
تصوير میدان روشن Incident beam Diffracting ¥ ¥ Y plane: specimen Objective 195 ‏بر‎ Diffracted beam ‘Transmitted beam \ Objective aperture Bright Field Imaging 

صفحه 35:
تصوير ميدان تاريكك om Incident beam Diftiucing Y Y 7 specimen ‏ان‎ ‎NS Ha ‏عم ول‎ ‏تلام‎ wr Objective len; ‏مااع‎ 0 ‏سس‎ / ۱/2۳ = Objectiv \ gperture Off-axis Dark Field 

صفحه 36:


صفحه 37:
] سیستم تصویری-الگوی پراش ۱ براش در سطح انتخابى (Kikuchi) (2935 ‏الكوى‎ Double Condenser Lens 

صفحه 38:
پراش در سطح انتخابی: پراش در سطح انتخلبی مهمترین نوع پراش قلبل اجرا در میکروسکوپ الکترونی است در مطالعه پلورها از پراش در سطح انتخابی اطلاعات بیشتری نسبت به خود تصویر حاصل می شود. مخصوصا هنگامی که اندازه گیری جهت و ايعاد شبکه مورد نظر باشد. 

صفحه 39:
Analysis of the diffraction pattern: Itis PbTiO, ! And it is oriented (111) ! =P t 111)”, cor.c2p.409 hick white circles) “PbTiO, (111) (201), (110), (112), 211), 219,412), @a)) (black circles) Random in-plane orientation: Diffraction spots form “powder rings” 

صفحه 40:
الگوی کیکوچی گاهی اوقات در الگوی پراش یک سری خطوط موازی دیده می شود که این خطوط به علت تفر مجدد الکترونهاست که به لن الگوی کیکوچی می گویند 

صفحه 41:
او رل 

صفحه 42:


صفحه 43:


صفحه 44:


صفحه 45:
۴ گرد آوری: محمود شریفی تبار احمد کیاستی مهدی مقصودی سرتشنیزی 

صفحه 46:
] تعر يف كنتراست بحث های صورت گرفته تا کنون بر اساس اپتیک هندسی بوده يتيك هندسى برای توجه به بزرگنمایی عمق میدان و شرایط کانونی بسیار مفید است اما برای تفسیرتصویر بدست آمده تقریبا بی فایده است. 8 لذا می باید مکانیزم های کنتراست که بیانگراین هستند که چه چیزی در تصویر روشن و چه چیزی در تصوی بررسی قرار داد. ریک است را مورد 

صفحه 47:
منشا شکل کیری کنتراست در ‎TEM‏ زاویه ی حرکتی الکترون هلیی که از قسمت فوقلنی وارد نمونه می شوند و از قسمت تحتلنی خارج می شهند و هم چنین انرژی انها تحت تفرق الاستیک و غیر الاستیک در داخل نمونه قرار دارد. لذا وظیفه ی دریچه ی شیثی که در صفحه ی کانونی پشتی عدسی شيئى ‎(back focal plan)‏ قرار دارد اين است که تمامی الکترون هایی که با زاویه ی بزرگتر از ( 4 ) متفرق می شوندرا متوقف كندر 1 > ) 

صفحه 48:
] مکانیزم های کنتراست ۱ 8 کنتراست ناشی از ضخامت- جرم * کنتراست ‎aly‏ * کنتراست فازی 

صفحه 49:
] کنتراست ناشی از ضخامت - جرم مناطقى از نمونه كه ضخيم تر هستند و يا جكالى بالا ترى دارند تری متفرق می کنند (به عبارتی تعداد بیشتری از الکترون ها تحت زاویه ی بزرگتر از ۵ متفرق می شوند ) و در تصویر تاریک تر دیده خواهند شد. Objective Onjective aperture 

صفحه 50:
کنتراست پراشی ‎-١‏ کنتراست پراشی - سینماتیکی ‏دست یابی به چنین کنتراستی زمانی ایجاد خواهد شد که نحوه ی جهت کیری کریستال بگونه ای باشد که فقط پرتو منحرف نشده ی عبوری و یکی از پرتو های پراشیده در الگوی پراش حاضر باشند. 

صفحه 51:
۲-کنتراست پراشی - دینامیکی اگر طی عواملی الکترون های تفرق یافته بتوانند دوباره به جهت پرتو اصلی باز گردند این کنتراست تشکیل خواهد شد . روابط -01716 0 که در جا مطرح نشده است بیان می کند که دامنه ی هر ‎plas‏ از پرتو ها به هنگام عبور از کریستال به دلیل تا ثیر پذیری ازدیگری نکته: امکان دارد هر دو مکانیزم جرم و پراش در یک زمان وجود داشته باشد . هم چنین چندین گونه بروز از یک اثر در هر نمونه محتمل است و جون اين دو نوع كنتراست دامنه ى موج متفرق شده را بکار می گیرند 

صفحه 52:
] کنتراست فازی هر كاه به الكترون هاى فاز هاى مختلف اجازه داده شود كه از دريجه ى شيئى عبور كنند كنتراست فازى به وجود خواهد امد . جنين كنتراستى زملنى مفيد است كه به جند يرتو يراشيده اجازه ى عبور از دريجه ى شيئى داده شود. هر جفت يرتويى كه تداخل می کنند یک سری رکه در تصوير ایجاد می کنند که لین امر با چرخاندن نمونه بهتر صورت می گیرد. 

صفحه 53:
مزبت کنتراست ها در ‎TEM‏ تمام نمونه های بلورین .آمورف. بیولوژیک و غیر بیولوژیک حاوی کنتراست جرم خواهند بود. همچنین هر چیزی که موجب تغییر در صفحات که پراش براگ را ایجاد می کنند بشود توسط کنتراست پراش قابل مشاهده است. همچون نابجایی هاء نقص چیده شدن و دیگر عیوب کریستالی که در زیر به چند مورد اشاره خواهد شد. 

صفحه 54:
" عيوب صفحه اى " عيوب خطى " ذرات كوجك بلورين 8 حفره ها 

صفحه 55:
عبوب صفحه ای: نقایص چیده شدن (۵10106؟ 601600 مرز دانه ها و مرزهای بین فاز ها از اين عيوب هستند. #اكنتراست ناشى از عيوب جيده شدن: به صورت يك سرى ركه كه موازى با تقاطع عيب با سطح نمونه هستند بروز مى كند كه ناشى از تداخل يرتوى يراشيده از بخش بالاى عيب با بايين عيب است. لين يرتو يراشيده در عيب از لحاظ فاز با هم متفاوتند که ایجاد کنتراست فازی می کنند. 

صفحه 56:


صفحه 57:
سطح دیده خواهند 3 2 3 3 5 سری ر اطع مرز به صورت یک كه 8 کنتراست ناش از مرز دانه ها یا مرز بین فازها: 

صفحه 58:
:عيوب خطى 8 نابجایی ها: در نزدیک نابجایی ها صفحات شبکه به صورت نسبتا شدیدی خمیده هستند. صفحات خمیده با جهت براگ منطبق بوده نتیجتا بسیار قویتر از صفحات اطراف خود باعث پراش پرتو الکترونی می گردند. لذا نابجایی های لبه ای در تصویر 1171۷ به صورت یک خط تيره ديده مى شوند. تصویر نابجایی های پیچی هم به همین صورت می باشد. 

صفحه 59:


صفحه 60:
ذرات کوچک بلورین: این ذرات همچون نابجایی ها ایجاد کرنش در زمینه می کنند و باعث خمیده شدن صفحات شبکه می شوند و اثری همچون نابجایی به دلیل داشتن جرم اتمی» چگالی و ... مختص به خود ایجاد کنتراست جرمی خواهند کرد. ها در تصویر خواهند داشت. 

صفحه 61:
حفره ها: وجود حفره ها باعث تغییر موضعی شدید در چگللی نمونه می شود. نتیجتا تصویر حفره از طریق کنتراست جرم ایجاد خواهد شد. لذا در تصاویر میدان روشن حفره روشن تر از بقیه نقاط دیده خواهد شد. 

صفحه 62:
Contrast in TEM Images 

صفحه 63:
1 ۵0-03 

صفحه 64:


صفحه 65:
آماده سازی نمونه در ‎TEM‏ ۱ "1 نمونه مورد استفاده در 1171۷1 ضخامت بسیار کمی (درحد نانومتر) داره برای این متظور (ساختن نمونه با ضخامت کم ) از تکنیک های گوناگونی استفاده می کنیم که عبارتند از : The 28 mm diameter rod ۱ i¢placod witin 93 mm 2۵ 100 ‏قير‎ (0 mot ube 3.0mm Oross-Gentioas oF Mira Pics 

صفحه 66:
. | * الکتروپولیش پولیش شیمیایی پولیش مکا نیکی سايش يونى و اتمى ميكروسكب هاى يرتو يونى ‎(PIB) 55 pote‏ شكست در امتداد صفحات كريستالى كليواز(21.1.417111)3)) ‎(ULTRAMICROTOMY), 2655 <0 | No!‏ * استفاده از ‎(REPLICATION) .u,‏ 

صفحه 67:
الکتروپولیش در نمونه های آهنی نمونة به صورت آند در سلول الکترولیت قرار می يرد. وبا عبور جريان 5 نازک شده وبر روی کلتد رسوب می کند اين عمل تا مرحله سوراخ شدن نمونه يد [0 + Pumped ‏اماه‎ jet ‏ی‎ Dise specimen Electro chemical Thinning 

صفحه 68:
‎guile dg paws‏ روی:دیشکت:ملیی وروی کل که در آنالین تداغل نمی کنند قرار می گیرد تا نمونه تقویت شود. درلین روش ضخامت نمونه ها از 0.1 میلیمتر به 0.1 میکرو متر می رسد. ‏"" ‏سر 9 . ‎Grading =, 70-100m ‎ ‏مه کت ارم ‎ ‎on Mil Polishing ‏تا‎ Blecton Transparent > 

صفحه 69:
بوليش شیمیایی درنمونه ها ی غیر فلزی از نا زک کردن شیمیایی با اسید ها بدون اعمال پتانسیل استفاده ميشود. نمونه را در اسید قوطه ور می کنیم ویا اسید رابه مر کز نمونه می پاشیم که نمونه تا مرحله سوراخ کردن پیش برود. 8 این روش غالبا در نیمه هادی هابه کار می رود و از نسبت ابه ۵ اسید هیدروفلوریک نیتریک برای 1 یا *131 و سأن) در متا نول برای نیمه هادیهای دیگر به کار می رود. 

صفحه 70:
توش فعا ‎cone‏ در اولین مرحله از فرایند نمونه سازی از لین روش استفاده می کنیم. در اين روش ازكاغذ هليى با ذرات 5100 استفاده میکنیم لین کاغذ ها بر مبناى اندازه ذرات از كسرى ازميليمتر تا ميكرون درجه بندى شده اند که بر روی صفحات چرخان نصب میشوند و نمونه ها را در نمونه گیر قرار میدهیم وبر روی این صفحات میگیریم تا پولیش شوند در نهايت ازپودر ۱ میکرونی الماس که در روفن معلق است استفاده میکنیم .اين فرایند در دو طرف نمونه اجرا ميشود. نوع دیگر این فرایند به گونه ای می باشد که یک دستگاه وسط نمونه ی دیسک مانند را تا مرحله سوراخ شدن نازک می کند. 

صفحه 71:
الالح تسا Dinple ging ce Trepanning of @ Sr 7 diameter disc Tin ‘2907 Pana tnering j maa Holder ‘Mechanical thiming fo a thickness of ca 100 um Wee searaton Mechanical Thinning 

صفحه 72:
سایش یونی و اتمی در این روش از دو نوع تفنگ استفاده مى كنيم. يكى از نوع كاز آرگون و دیگری که در میکروسکوپ های پرتو یهنی متمرکز به کار می رودکه موسوم به تفنگ یونی انتشار میدان از گالیم مایع است. * لین تفنگ با تاباندن یونها پا لتم با انرئی بالا تحت زاویه کمتر از ۱۰ درجه به نمونه باعث بیرون انداختن لتم های نمونه می شهند. در اين روش از دو تفنگ در دو طرف نمونه استفاده مى شود. لين كار تا مرحلة سوراخ شدن نمونه ادامه می یابد 

صفحه 73:


صفحه 74:
Glass Container Pump. Mechanical rinding Mechanical 100-2001 punch Insulated Container a) Mechanical grinding and mechanical punching are used to obtain a 100 ~ 200m thick 3mm diameter thin foil; b) schematic illustration of the double-jet electro-polishing, pro- cess, oa ecce Mhicrcicy 

صفحه 75:
میکروسکوپ های پرتو یونی متمر کز ((۳112 در این روش پون های گالیم به صورت پرتویی از گالیم مایع از طریق آعمال میدان جدا می شوند و بعد در خلاء شتاب داده می شوند با برخورد این پرتو یینی به نمونه الکترون های ثانویه منتشر می شوند. بتابرلین با حرکت روبشی پرتو یهنی می توان تصویری از نمونه بدست آورد. که این همان 113 می باشد. با لین روش پرتو یینی می توان مقاطع دقیق ‎TEM‏ را بدست آورد. و در نیمه هادی ها کاربرد دارد. در این روش برای جلوگیری از اسیب دیدن نمونه توسط پرتو پونی یک لایه بر روی نمونه قبل از قرار دادن نمونه در 3 می کشند. " 

صفحه 76:
چون نرخ برداشت نمونه در این روش کم است. نمونه ابتدا توسط روش مکانیکی تا چند ده میکرون نازک می شود. 

صفحه 77:
Procedure of FIB a. Select an area of interest, b. Make “trench” using Coat with a layer of metel (Pt) high current ion beam ۱11۱2 peaa rari a sess ©. Thinning the vall d. Cut the wall and remove 

صفحه 78:
] شکست در امتداد صفحات کریستالی با کلیواژ ۱ # در صورتی که نمهنه مورد نظر یک تک کریستال باشد با شکستن ‎sy, a Cleaving 51‏ یک سری صفحات خاص می باشد می توان به مقادیر کوچکی از مواد شفاف در برابر پرتو الکترونی دست یافت. وقتی کریستال روی این صفحات می شکند به دلیل زاویه ‎٩۰‏ ‏درجه صفحات نسبت به هم یک منطقه نازک در لبه هابه وجود می آید و قابل بررسی در ‎cul TEM‏ 

صفحه 79:
اولترا میکروتمی در این روش نمنه ای با سطح یک میلیمتر مربع که ثلبت است از مقابل کاردی الماسی عبور می کند. برش ها تهیه شده در یک ظرف حاوى مليع جمع آوری شده. و برای بررسی بر روی پلیه نگهدار قرار می گيرند. این روش برای نمونه های پلیمری به کار می رود. Polymers and bio-samples + Mount the sample using resin + slice sample to 50-100 nm thick using the ultra-microtome + stain the sample to increase contrast + see the instrument instruction detail procedure 

صفحه 80:
‘Ultramicrotomy and sample mounting ULTRAMICROTOMY)) 

صفحه 81:
استفاده از رپلیکا در این روش بجا ی آنکه تمام نمنه تا حد شفافیت در مقابل الکترون نازک شود این کار را با قرار دادن یک لایه نازک کربن در خلاء انجام می دهیم. یعنی از سطح نمونه , يلكا تهبه مم , كنبم. Negative plastic Carbon replica replica سح كم Hoavy metal shadow Extracted particle Indirect Replication 

صفحه 82:
8 براى تهيه كربن اتمى از دو ميلة کربنی که در بين أنها قوس الكتريكى به وجود أورده شده استفاده مى كنيم. كرين اتمى را روى تمام سطوح محفظة خلاء كه در ديد مستقيم منبع باشند از جمله نمونه نشانده مى شود. اين لايه در حدود چند نانومتر است. در مرحلة بعد لين لايه به قطعات یک میلیمتر مربعی تقسیم و لین قطعات را در مایع شناور می کنیم. تا لین لایه از سطح جدا شود. و بعد برای بررسی روی نگهدارنده قرار می گیرد. # در این روش از طریق اختلاف ضخامت کربن نشانده شده روی سطوح مختلف و یابا لایه نشانی مجدد یک فلز سنگین مثلا پلاتین تحت زاویه نسبت به سطوح ساختار سطح نمونه تعیین می گردد. 

صفحه 83:
the replica is floated onto the surface of a powerful solvent to dissolve away the specimen the replica is washed and picked up on acopper grid for examination specimen support heavy metal evaporated from a filament “shadows” the specimen ۱ 2 a strengthening film of carbon evaporated from above | 8 ع | Figure 9-32. Molecular Biology of the Cell, 4th Edition. 

صفحه 84:
رپلیکای استخراجی رپلیکای استخراجی از مشتقات لین روش است. شیوةْ کار در این روش به گونه ای است که اگر نمونه حاوی ذرات ریز فاز ثانویه قابل آشکار شدن توسط اچ باشد می توان این ذرات را از نمونه بر روی رپلیکا استخراج كرد. بنابرلين ريليكا استخراجى حاوى اطلاعاتى در مورد اندازه شكل و توزيع ذرات در نمونه اصلى مى باشد. اين ذرات روى ريليكا را مى توان توسط روش هاى كوناكون آناليز كرد. 0000 0053 wee ‏يمه‎ ۰ 

صفحه 85:


صفحه 86:
منابع اطلول و کاربرد میکروسکوپ های الکترونی و روش های نوین آنالیز دکتر پیروز مرعشی-دکتر سعید کاویانی-دکتر حسین سرپولکی-د کتر علیرضا ذوالفقاری روش شناسایی و آنالیز مواد دکتر گلستانی-د کتر بهره ورسد کتر صلاحی ‎iM‏ ‏الاار شناسایی ساختار مواد ‎IMIS‏ ‏یوسف خرازى-امير شيخ غفور مع لاما موی الول متالورزى فيزيكى ريد هيل-رضا عباسجيان 

صفحه 87:
http://www2.gsu.edu/~mkteer/semfaq.htm] hittp://www.uq.edu.au/ http:// www.scharfphoto.com/ http://micro.magnet.fsu.edu/primer/java/electronmicroscopy/magn: index.html http://www.unl.edu/CMRAcfem/ semoptic.htm http:// www.matter.org.uk 

صفحه 88:
09 با تشكر از كليه ى كسانى كه ما را در تهيبه ى اين يروزه يارى كردند. بهار ۸۵