صفحه 1:
بهمن ماه ۹٩
صفحه 2:
ا.مقرمه
ل تاريفهه
or
۴طر زکار
2
Wp KF
aL =a ia
ora
5
رت
صفحه 3:
اک ۰
Fee ee 8 5 ل
توسیف می گنر له بر اساس طرامی ترانژیستور تك لیت
ا ا اح ا
JOS eeu! yi] FINFET pegs se Shs
۳
ms iz 8
0
صفحه 4:
تاریخچه ۴۱۱۱۲2۲
0 ب
Pao DET w/e eh MOL FU One wCRNE
PONE Cz WIN mia) Oana apa ye oe)
daugt) SOW) Gil (59, Woliw «lie! (sly FINFET Ju, *
راره شره است.
صفحه 5:
اثر کانال کوتاه
حا ل 0000
00 0 0 ee geen
7
سورس ایبار می گنر
ee
Double-gate Quadruple-gate
صفحه 6:
8 ا ام
8
صفحه 7:
4
Planarizatio
0
5. Recess
etch
6(
تاک(
صفحه 8:
Deposition of the gate .7
در Pere ye eh. Re
سه كيت به دور لا سس سس ذروازه سوم در
JL
صفحه 9:
2 9
۱ ol 5 aR
۱ فقو مضه
Me 00 7 0و
4 كانال زمانى خراكثر هرايت را نشان) مى رهر له هيج
ap, رل زر ۳
ولتاژی در ترمینال لیت وجور نرارر.
صفحه 10:
6 ا 2 00 ترام
۹ 1
0
| رمع ع ۲۷۳۱۸۱ ه
(لااع 5۱۱16۱6)عرنشترنزستر - ۷۷ 0
ا ا ا كك بت ©
۷ - 2 - ۷۷ :۱۵۵۱5۱۴-6۸۲۲ ۴۵۴ 0
o FOR TRI-GATE: W = 2: HFIN + ۲
وا
Se er de Ord ae eae ا
o WEFF=N:-W
o N = NUMBER OF FINS
صفحه 11:
5 00 ا
(SCE) fw), we *
ae 0
ON Ed
ولتارٌ سوئیپینک پایین تر
* مصرف بر قكم
جمع و جور ثر
جريان نشتى استائي ككمتر
0 0
a ۳ AES
لاهش تفرك برای اللترون ها *
مقاومت بالاتر سورس و «رین *
1
صفحه 12:
كاربردهاى 81 "الااا| در صنعت
7NM SOC ططمل51 1011/0 81-60لا0 ربميريب 866010 855
7NM «jj MEDIA TEK HELIO X30 CHIPSET .w;),, >
0
0000
۱
سس
SS
صفحه 13:
كاربردها
nie FA 7 ee 7
1
کنترل باشر.
رك 5 و
|
A ae جر 3 ره مر
Cia) ل ا IO ر ريك طرف وكاهش جريان هاى نشتى زمائ ىكه
مرارها غيرفعال هستئر را هى رهر.
آارر نهایت رسترسی برآلانه به هر رو ررواژه نیژ می توانست برای طرامی ساره
Psy 5000 Pie < 2
لیت های منطقی مورر استفاره قرا رگیرر. این نیژ قررت راگاهش می رهر, و
۳ موس ۳ ۳ ee 9 0 .
صرغه جویی در منطقه تراشه, منمر به طرح ها یکویلتر و مقرون به صرفه تر است.
لابه همراه سامسوئك, ايل, اينتل و :511/1 1 تا سال /اءنا فناورى 1801/1 14
Pies 4 oe rs 7 3 4
را استفاره می لننر. این فناوری سرعت لوشی را تا هر زیاری افزایش می رهر.
صفحه 14:
eee اد
وا
eae نرارر و بسرایترا
نيلز رارر. بل اينهاءل با بيشرفمهنلويى برفىاز شركدطط ممكن
لایل قتصلریت_صمیع ب کی رن رکه مررحطولاثیترو ی همان a
men Cir fae ee as ana 9 1 هه ce
Date 1 cat Ome ay مجبور به استفلره
mca ma = ae = ols, GAT-ALL-AROUND (GAA) 5.431
بانئین ۴۲ ۴۱0۱۴ به طور قابل توبهی مقیاس پزیر قاهر می شور.
00000000000101
Paro)
صفحه 15:
8
ا ا ا ل ل
موبور را می توان تسلط دار و راه پثران های چریر را می توان با نوآوری در
Pa. 0 Ge Se)
BT We ee RS Sp me oe
صفحه 16:
منابع
1.https://www.computerhope.com/jargon/f/finfet.htm
2.https://en.wikipedia.org/wiki/FinFET
3. http://www.radio-electronics.com/info/data/semicond/fet-field-
effect-transistor/finfet-technology-basics.php
4. https://www.electronicsnotes.com/articles/electronic_compone
nts/fet-field-effect-transistor/finfet-transistor-technology.php
5.https://eepower.com/technical-articles/what-is-a-finfet/#
صفحه 17:
8 تشر از توکو