انواع حافظه

صفحه 1:


صفحه 2:
Dynamic RAM Static RAM Flash Memory Virtual Memory Video Memory BIOS 

صفحه 3:
لا( نبوده و در دستگاههاي متفاوتي نظیر : تلفن 5 ۳۱۵۸۹ ۰ راديو هاي اتومبیل » ۷۲ ۰ تلویریون و در ابعاد وسيعي از آنها استفاده مي شود.هر يَكَ آر 5 هاي فوق مدل هاي متفاوتي از حافظه را استفاده می که 

صفحه 4:
روش ‎a‏ و را سادكّي و به سرعت و بدون نكراني از فضاي فيريكي حافظله ۸۸ ا استفاده نمود. 

صفحه 5:
‎J‏ سره إن يس از خامو ‎oN NG ONY) 

صفحه 6:
© با اينكه مي توان وازه " حافظه : ‎ree‏ ا ار ار مشخص نمودن حافظه هاي سریع با قابلیت دخرر ۶ موقت استفاده مي شود. در صورتيكه يردازنده مجبوا ا ا ا 0 هارد ديسك استفاده كند. قطعا" سرعت عمليات يردارتده ( 5 آن سرعت بالا) كند خواهد كرديد. زمانيكه اطلاعات مَورّد نیاز پردازنده در حافظه ذخیره گردند 

صفحه 7:
1 eee GU Eons ‏ترین نوع حافظه در دنیای کامپیوتر است . رو‎ ۰ . ‏به اين نوع از حافظه ها تصادفى است‎ ‏ا ار در‎ حافظه های ۵۱ ۰ حافظه های(//87)5) ‎RD ORAS (erica loner aie‏ 

صفحه 8:
: aes as eee ۱ ‏ار لح‎ pe ‏وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در‎ < ‏مورد نظر در محل جارى نباشد هر يك از سلول هاى‎ 0 ‏م ا‎ ‏های 5۸ در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت‎ م ‎ol Sr Ep ONC POE TOY‏ ۱ حافظه ۸۱ با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود. 

صفحه 9:
ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است در كك استفاده و بکارگیری یک خازن و یک در ادریتور ۰ 7 سلول را ايجاد كرد. سلول فوق قادر به نكهدارى يك 7 خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بيت را كه يك وانا ك5 ‎ere)‏ ل ل 0 ل ‎Sete‏ ‏ا ل ا ‎a ee‏ 2 تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخيره شده در خازن و يا تغيير وضعيت مربوط به أن » فراهم مى نمايد 

صفحه 10:
علت ۵ ات بر ها مجبور ار ار ‎SS Sent recs Mae eee:‏ نوع حافظه ها باعث مى شود كه زمان تلف و سرعت حافظه كند كردد 

صفحه 11:
‎Uy UCT RTO Srp eel (CHE PIPES)‏ ار ستون بيانكر آدرس سلول حافظه است . = 

صفحه 12:
1 ‏ار رح رز‎ هووز‎ =e » ‏نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد‎ 010 0 ‏ا ا ل‎ ‏شد. مدت زمان انجام عمليات فوق بسيار كوتاه بوده و بر سا‎ ‏ا ار‎ ‏نانو تانیه‎ 720( ٠ ‏حافظه اى كه داراى سرعت (20 نانوثانيه است‎ ‏طول خواهد كشيد تا عمليات خواندن و بازنويسى هر سلول را انجام‎ ‏د هد‎ 

صفحه 13:
5 ۳1 حا تور اطلاعات موجود در سلول ها استفاده ننمایند» ارزش خواهند بود. بنابراين لازم است سلول ‎١‏ ‏داراى يك زيرساخت كامل حمايتى آر راز شاه ‎a‏ ل ل ل 000 

صفحه 14:
<. اعلام خبر به یک سلول که می بایست شارژ کردد ۱ ۱ ۱9 56 ( ‏خواندن و برگرداندن سیکنال 1 يك سلول‎ i ‏ع‎ به شارژ وجود ندارد ( 60016 ۷۷۲16) سایر عملیات مربوط به "کنترل کننده حاف ۱ ‎aes‏ ‎=A‏ ب ‎JE Ne‏ ا ل ررد ‎"es‏ از 

صفحه 15:
تراشه های حافظه در کامییوترهای شخصی در آغاز ار د پیکربندی مبتنی بر 80 با نام (16] 031 )12 تاک ار ار می توانست لحیم کاری درون حفره هانی برروی بر 213 ‎e ey‏ ل ا ا ‎ee‏ ادا ‎rer‏ ال ا ل ‎Ey‏ ‏مورد نيازء فضاى زيادى از برد اصلى را اشغال مى كردند.آزٌ زوش فوق تا زمانيكه ميزان حافظه حداكثر دو مكابايت بود » 0 

صفحه 16:
ء استقرار تراشه های حافظه به 0 ‏با‎ pin oe) eit ‏ها‎ ae ‏(30ع1-[ ) استفاده مى كردند . برخى از توليدكد‎ 50( ۰ ۱ ‏ا رز‎ rece kf eC ‏تا‎ era ‏توا زعاازی یوت‎ 2 0) ‏ا‎ | eee Sa COE ae Tee een ae SuUrface- ‏اين است كه تراشه های [50 و 1501 بصورت‎ ‏را( ار‎ به سطح برد لحيم خواهند شد . ( نه داخل حفره ها ويا سوكت ) . 

صفحه 17:
ها ضربدر ظرفيت هر يك از تراشه هارا كه بر كد ‎TITRE GPW EIS IPS RT|‏ ا ل می توان با تقسیم نمودن آن بر هشت میزان ‎SHES‏ ۱ ماژول مشخص کرد.متلا" یک ماژول 6۵ * بدین معتی ‎Speen peters lore pas Harp erp er rer]‏ در 56 عدد 99 ( مگابیت) بدست می آید . اکر عدد فورق را بر هشت تقسیم نمائیم به ظرفیت 48 مگابایت خواهیم رسید. 

صفحه 18:
‎SIMM Carian in-line aoe‏ تا نوع از بردهاى حافظه از 9300 آن ‎eS) ee eevee sere) SD ps‏ 2/0 سانتیمتر ) .در اغلب کامپیوتر ها می ‎Ufo ESS‏ بصورت زوج هائى كه داراى ظرفيت وا سرعت يكسان باشتد ‎nee)‏ ۳ علت اين است كه يهناى كذركاه داده بير ار يى 1 است . مثلا" از دو /51]1/11 هشت مكابايتى براى داشتن ‎Cen (e)‏ ا ۱ 

صفحه 19:
شده و دارای ابعاد سد ‎is‏ شدند( 610 متر 8 سانتيمتر ) و از ©7 بين براى افزايش يهنا ‎ewe) nece‏ ا ا ‎rent ete NETS‏ د 

صفحه 20:
5“ م ‎haa se I‏ > ‎ane pene ۳‏ الا الا 000۵ ‎mory‏ 1 ا را ر ( <06) سانتيمتر در ©/© سانتيمتر ) بودند.ظرفيت برد هر ماژول ا ال بصورت تك ( زوج الزامى نيست ) استفاده كرد. غلك 4 ‎OT‏ ال ‎re Cee ENTS‏ رز ‎Rene)‏ ل ‎ED ee‏ ل زرزاه زر لاله ‎٠‏ م2001 /7011اع12 10-1156 از نظر اندارة و ا مقایسه است ولی بردهای فوق » از یک نوع ‎pect eye yn Cate Rar ag re CeO USN KOK GRPnES‏ 

صفحه 21:
‎ae‏ سا ‏لمك ۳۰ كامييوتر هاى ‎es‏ 3 الك 313 : ‎6 ‎ne memory . ‏استفاده می تمابن‎ ۲۲۱0 0۱۱۱6( SODIMM 2 (۰ ‏رف رت که‎ | WIV iee=ces ۰ ‏دم‎ ‏ار ور تم رل ار‎ Se ar ve ke been ‏مگابایت تا 060 مگابایت می تواند باشد. ‎ ‎ 

صفحه 22:
FAI tba 2) A) ‏سم‎ SRAM estes. (Static rancdorn ۶ a (AS ‏ور سلرلاز شازن‎ 

صفحه 23:
۲ 01) 511116 121109111 966255 12 eas) ESE OA te ‏ا‎ ‏رار‎ ۰ 

صفحه 24:
ast page mode dynamic random (access memory)FPM DRAM ‏لعاز حافظه هاى/01/81 موياشند.در ترلشه را‎ ‏زمانتكميلفرليند استقرار يكبيتداده توسظط‎ ‏ستونزمورد نظرء مويايستمنتظر و در اذلمه دي‎ ‏خولندم خولهد شد.( قبلاز لينکه عملیاتمربوط به بعیت‎ ]2 te js Sia, (226 jJeleres ested Urs eg rE ON( ee YORE Wet-Vol aT 

صفحه 25:
21918 ۱۱۹/۵۱۲ ۴ FB rerelacl clelte-oue lynernic ‏ل‎ ‎Jal pS ‏كاك‎ il (eimoryyEDO DRAM eS Ah tl ‏تسیل‎ ‎Sel Mot ee Lh) as ‏مررد تعر‎ DIO) ‏ا ا‎ eS ‏ا‎ ‎eae eyes Wey ee 0 seeps ee ‏سل ۲۳5 موسر بر کی اسر‎ 2۶۱9 

صفحه 26:
266655 ۲۵۱۱00۲۱ 6۲۷۱۱۵۱۱۱۱۵ ۱3۳۱۱۲۵۲۱۵۱15 ارت وروت ییا ۱ 7 لفزليشو بهبود كارائىلستفادم مىنمايد .بدينمنظور ره سطر شامل‌داده مورد نظر باشد» بسرعتدر بیس 3 0 پساز ‎en hig e‏ 001 ).1 ره 00 بودم و لمروزه در لكثر كامييوترها لستفادم مى گردد.حدلکثر سرعتارسال‌دادم به 620۳6 12 معلدل 0 مكابايتدر ثانيه لست 

صفحه 27:
111 6117 01۷ ۷ رود يكرد كاملا" ىج 

صفحه 28:
<< — a ۶21 6 Peter ca —_— بوده که دریکنوع خاص‌لسلت در کامیو در ار ۱ ۱ ۱ ‏ار‎ memory card notebook ‏شامل‌ماژول‌های۳۸۷] بودم که در‎ ‏لستفادم می‌شود.‎ 

صفحه 29:
FlashRam -©) 20 نوع خاصوئاز حافظه با ظرفيتكم برلى لستفادم در دستكاههائنظير تلویزیون ۷/۳ بوده و از ‎ee ers ay em‏ دستگاه لستفادم می‌گردد. زمانیکه لین‌نوع دستگاهها خاموش‌ب‌اشند همچنان به میزان‌لندکی‌یرق‌مصرف خولهند كرد. در كامييوتر نيز از ليننوع حافظه ها برلى نگهدار و بطلاعاتی‌در رلبطه با تنظیماتهارد دیسکو ... لستفادم می‌گرند. 

صفحه 30:
VRAM -9 یت ردیر را ‎SNA‏ ‏اكه برلءموارد خاصنظير : آدليتورهاوويدئو و يا شتا ب دهندكان ‎pe ener Rene‏ ا ا لك راردا ‎(dynamic random access memory) MPDRAM‏ نيز كفته موشود. علتفامكذارىفوقيديزدليلاستكه ليننوع از حافظه ها دارلئامكاندستيابويه لطلاعاك بصورنةصادفوو سريالك ا ال ا لت ‎ee)‏ ا ا اك ا لل | ا ‎Berm‏ 

صفحه 31:
باس در ات و 0 ee ne Se eee) ed ene ‏افزايش حافطه یز روی‎ Se ‏ارتتاء کارآنی یت کامپیرتر‎ ‏یک کامپیرتر با توبیه یه تم استنلدد می تراند درب «قاط.‎ ‏زسانی سثارتی انجام گیرد. در صورتیکه از سیستم سای‎ ‏حامل ويندوز 55 ر یا 55 استناده می گردد حدائل به‎ ‏مایت اه نیاز تراد برد, ( 60۳ مایت‎ 9 Gs ea 

صفحه 32:
۳۳ ی 6 | سنوي 1 ‎hey‏ ا ‏7 0 ايل استفاده مى كردد به © مگابایت حافظه نیار ۰ بود.( +6© مكابايت توصيه مى كردد). يزان ‎Wee‏ و ا ا ل ال 3 کاربردهای معمولی ارائه شده است . دستیابی به اینتر نت 6 ۲ ‎Cea tes EERE‏ 7 ‏نرم افزارهاى خاص طراحىء انيميشن سه بعدى و... ‏مستلزم استفاده از حافظه بمراتب بيشترى خواهد يود ‎ ‎ ‎ 

صفحه 33:
حافظه ۲0۱ ‎oleic‏ يك نوع مدار مجتمع (©1) است كه در زمان ساخت ۱ م7 زر ۱ ‎eam e nar cqonne ay amor ptc|‏ ۱ لحاظ تکنولوژی استفاده شده. دارای انواع زیر می باشند: ‎ROM ® ‎PROM ® ‎EPROM * ‎EEPROM ‎Flash Memory 

صفحه 34:
ا ا ا ال 0 | فرار " بوده و يس از خاموش شدن منبع تامين انرژی اطلاعات خود را از دست نمی دهدند. داده های ذخیره شده در این نوع از حافظه ها غير قابل تغيير بوده و يا اعمال تغييرات در آنها مستلزم انجام عمليات خاصى است. 

صفحه 35:
اك ل ونر كشكن » نوج خاصى از اين ‎PROM 0‏ ‎(Hes‏ اناه ‎۳ Memory ‎ ‏پرناسه ریزی گردند. 

صفحه 36:
‎OE ESIEESL‏ ال تا رم را است ؟ در ياسخ مي توان به موارد ديل اشارة انه ‏ا ا ‎C2) Se By aa‏ ‎ew)‏ ا ‎SS‏ ل تامين و دستيابي به داده هاي مورد نياز در زمان مورد نظر نباشد؛. مي بايست عمليات خود را متوقفه و در انتظار تامين داده هاي مورد نيال باشد. 

صفحه 37:
EPROM abs, 54195 alt) EPROM EPROM Stasis 

صفحه 38:
حافظه هاى /801] از بعد استفاده مجدد مى ب کماکن نیازمند بکارگیری تجهیزات خاص و دنیال 0 فرآیندهای خسته کننده بمنظور حذف و نصب مجدد در هر زمانى است كه به يك شارز نياز باشد. در ضمن» فرآیند اعمال تغییرات در یک ا 0 ا ‎ne te‏ ل 0 و در ابتدا می بایست تمام محنویات را پاک نمود.حافظه ‎Electrically Erasable cs‏ ‎Programmable Read Only‏ ل 026 نیازهای موجود است 

صفحه 39:


بسم هللا الرحمن الرحيم موضوع: انواع حافظه استاد ارجمند : سرکار خانم صابریان انواع حافظه RAM ROM Cache · • Dynamic RAM · • Static RAM Flash Memory Virtual Memory Video Memory BIOS · • · • · • · • · • · • · • استفاده از حافظه صرفا" محدود به كامپيوترهاي شخصي نبوده و در دستگاههاي متفاوتي نظير :تلفن هاي سلولي، ، PDAراديوهاي اتومبيل ، VCR ،تلويزيون و ...نيز در ابعاد وسيعي از آنها استفاده مي شود.هر يك از دستگاه هاي فوق مدل هاي متفاوتي از حافظه را استفاده مي كنند • ارزانترين حافظه متداول ،هارد ديسك است .هارد ديسك يك رسانه ذخيره سازي ارزان قيمت با توان ذخيره سازي حجم باالئي از اطالعات است .با توجه به ارزان بودن فضاي ذخيره سازي اطالعات بر روي هارد، اطالعات مورد نظر بر روي آنها ذخيره و با استفاده از روش هاي متفاوتي نظير :حافظه مجازي مي توان به سادگي و به سرعت و بدون نگراني از فضاي فيزيكي حافظه ، RAMاز آنها استفاده نمود. انواع حافظه حافظه ها را مي توان بر اساس شاخص هاي متفاوتي تقسيم بندي كرد . Volatileو Nonvolatileنمونه اي از اين تقسيم بندي ها است . حافظه هاي volatileبالفاصله پس از خاموش شدن سيستم اطالعات خود را از دست مي دهند .و همواره براي نگهداري اطالعات خود به منبع تامين انرژي نياز خواهند داشت .اغلب حافظه هاي RAMدر اين گروه قرار مي گيرند .حافظه هاي Nonvolatileداده هاي خود را همچنان پس از خاموش شدن سيستم حفظ خواهند كرد .حافظه ROM نمونه اي از اين نوع حافظه ها است . مباني اوليه حافظه • با اينكه مي توان واژه " حافظه " را بر هر نوع وسيله ذخيره سازي الكترونيكي اطالق كرد ،ولي اغلب ازاين واژه براي مشخص نمودن حافظه هاي سريع با قابليت ذخيره سازي موقت استفاده مي شود .در صورتيكه پردازنده مجبور باشد براي بازيابي اطالعات مورد نياز خود بصورت دائم از هارد ديسك استفاده كند ،قطعا" سرعت عمليات پردازنده ( با آن سرعت باال) كند خواهد گرديد .زمانيكه اطالعات مورد نياز پردازنده در حافظه ذخيره گردند حافظه RAM حافظه ( Random Access Memory)RAMشناخته ترين نوع حافظه در دنيای کامپيوتر است .روش دستيابی به اين نوع از حافظه ها تصادفی است .چون می توان به هر سلول حافظه مستقيما" دستيابی پيدا کرد .در مقابل حافظه های ، RAMحافظه های(Serial)SAM Access Memoryوجود دارند. حافظه های SAMاطالعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخيره و صرفا" امکان دستيابی به آنها بصورت ترتيبی وجود خواهد داشت ( .نظير نوار کاست ) در صورتيکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر يک از سلول های حافظه به ترتيب بررسی شده تا داده مورد نظر پيدا گردد .حافظه های SAMدر موارديکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتيبی خواهد بود مفيد می باشند .داده های ذخيره شده در حافظه RAMبا هر اولويت دلخواه قابل دستيابی خواهند بود. مبانی حافظه های RAM حافظه ، RAMيک تراشه مدار مجتمع ( )ICبوده که از ميليون ها ترانزيستور و خازن تشکيل شده است .در اغلب حافظه ها با استفاده و بکارگيری يک خازن و يک ترانزيستور می توان يک سلول را ايجاد کرد .سلول فوق قادر به نگهداری يک بيت داده خواهد بود .خازن اطالعات مربوط به بيت را که يک و يا صفر است ،در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزيستور مشابه يک سوييچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخيره شده در خازن و يا تغيير وضعيت مربوط به آن ،فراهم می نمايد خازن مشابه يک ظرف ( سطل) بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است .بمنظور ذخيره سازی مقدار" يک" در حافظه ،ظرف فوق می بايست از الکترونها پر گردد .برای ذخيره سازی مقدار صفر ،می بايست ظرف فوق خالی گردد علت نامگذاری DRAMبدين دليل است که اين نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطالعات بصورت پويا خواهند بود. فرآيند تکراری " بازخوانی /بازنويسی اطالعات" در اين نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد سلول های حافظه بر روی يک تراشه سيليکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بيت ) و سطرها (خطوط کلمات) تشکيل می گردند .نقطه تالقی يک سطر و ستون بيانگر آدرس سلول حافظه است . سلول های حافظه بر روی يک تراشه سيليکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بيت ) و سطرها (خطوط کلمات) تشکيل می گردند .نقطه تالقی يک سطر و ستون بيانگر آدرس سلول حافظه است . باعث حافظه های DRAMبا ارسال يک شارژ به ستون مورد نظر در زمان فعال شدن ترانزيستور در هر بيت ستون ،خواهند شد نوشتن خطوط سطر شامل وضعيتی خواهند شد که خازن می بايست به آن وضغيت تبديل گردد .در زمان خواندن ، Sense-amplifier سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گيری می نمايد .در صورتيکه سطح فوق بيش از پنجاه درصد باشد مقدار "يک" خوانده شده و در غيراينصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد .مدت زمان انجام عمليات فوق بسيار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانيه ( يک ميلياردم ثانيه ) اندازه گيری می گردد .تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانيه است 70 ،نانو ثانيه طول خواهد کشيد تا عمليات خواندن و بازنويسی هر سلول را انجام دهد. سلول های حافظه در صورتيکه از روش هائی بمنظور اخذ اطالعات موجود در سلول ها استفاده ننمايند ،بتنهائی فاقد ارزش خواهند بود .بنابراين الزم است سلول های حافظه دارای يک زيرساخت کامل حمايتی از مدارات خاص ديگر باشند.مدارات فوق عمليات زير را انجام خواهند داد: .1 .2 .3 .4 .5 مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون ) نگهداری وضعيت بازخوانی و باز نويسی داده ها ( شمارنده ) خواندن و برگرداندن سيگنال از يک سلول ( Sense )amplifier اعالم خبر به يک سلول که می بايست شارژ گردد و يا ضرورتی به شارژ وجود ندارد ( )Write enable ساير عمليات مربوط به "کنترل کننده حافظه" شامل مواردی نظير :مشخص نمودن نوع سرعت ،ميزان حافظه و بررسی خطاء است . ما ژول های حافظه تراشه های حافظه در کامييوترهای شخصی در آغاز از يک پيکربندی مبتنی بر Pinبا نام ( DIP(Dual line Packageاستفاده می کردند .اين پيکربندی مبتنی بر پين ،می توانست لحيم کاری درون حفره هائی برروی برداصلی کامپيوتر و يا اتصال به يک سوکت بوده که خود به برد اصلی لحيم شده است .همزمان با افزايش حافظه ، تعداد تراشه های مورد نياز ،فضای زيادی از برد اصلی را اشغال می کردند.از روش فوق تا زمانيکه ميزان حافظه حداکثر دو مگابايت بود ،استقاده می گرديد. راه حل مشکل فوق ،استقرار تراشه های حافظه بهمراه تمام عناصر و اجزای حمايتی در يک برد مدار چاپی مجزا (Printed circut )Boardبود .برد فوق در ادامه با استفاده از يک نوع خاص از کانکنور ( بانک حافظه ) به برد اصلی متصل می گرديد .اين نوع تراشه ها اغلب از يک پيکربندی pinبا نام Small Outline ) J-lead ) sojاستفاده می کردند .برخی از توليدکنندگان ديگر که تعداد آنها اندک است از پيکربندی ديگری با نام Thin )Small Outline Package )tsopاستفاده می نمايند. تفاوت اساسی بين اين نوع پين های جديد و پيکربندی DIPاوليه در اين است که تراشه های SOJو TSORبصورت surface- mountedدر PCBهستند .به عبارت ديگر پين ها مستقيما" به سطح برد لحيم خواهند شد ( .نه داخل حفره ها و يا سوکت ) . تراشه ها ی حافظه از طريق کارت هائی که " ماژول " ناميده می شوند قابل دستيابی و استفاده می باشند ..شايد تاکنون با مشخصات يک سيستم که ميزان حافظه خود را بصورت , 8 * 32يا * 16 4اعالم می نمايد ،برخورده کرده باشيد.اعداد فوق تعداد تراشه ها ضربدر ظرفيت هر يک از تراشه ها را که بر حسب مگابيت اندازه گيری می گردند ،نشان می دهد .بمنظور محاسبه ظرفيت ، می توان با تقسيم نمودن آن بر هشت ميزان مگابايت را بر روی هر ماژول مشخص کرد.مثال" يک ماژول ، 4 * 32بدين معنی است که ماژول دارای چهار تراشه 32مگابيتی است .با ضرب 4در 32عدد ( 128مگابيت) بدست می آيد .اگر عدد فوق را بر هشت تقسيم نمائيم به ظرفيت 16مگابايت خواهيم رسيد. نوع برد و کانکتور استفاده شده در حافظه های ، RAMطی پنج سال اخير تفاوت کرده است .نمونه های اوليه اغلب بصورت اختصاصی توليد می گرديدند .توليد کنندگان متفاوت کامپيوتر بردهای حافظه را بگونه ای طراحی می کردند که صرفا" امکان استفاده از آنان در سيستم های خاصی وجود داشت .در ادامه ( SIMM (Single in-line memoryمطرح گرديد .اين نوع از بردهای حافظه از 30پين کانکتور استفاده کرده و طول آن حدود 3/5اينچ و عرض آن يک اينچ بود ( يازده سانتيمتر در 2/5سانتيمتر ) .در اغلب کامپيوترها می بايست بردهای SIMM بصورت زوج هائی که دارای ظرفيت و سرعت يکسان باشند، استفاده گردد .علت اين است که پهنای گذرگاه داده بيشتر از يک SIMMاست .مثال" از دو SIMMهشت مگابايتی برای داشتن 16مگابايت حافظه بر روی سيستم استفاده می گردد. هر SIMMقادر به ارسال هشت بيت داده در هر لحظه خواهد بود با توجه به اين موضوع که گذرگاه داده شانزده بيتی است از نصف پهنای باند استفاده شده و اين امر منطقی بنظر نمی آيد.در ادامه بردهای SIMMبزرگتر شده و دارای ابعاد 1 * 4 / 25شدند( 11سانتيمتر در 2/5سانتيمتر ) و از 72پين برای افزايش پهنای باند و امکان افزايش حافظه تا ميزان 256مگابايت بدست آمد. بموازات افزايش سرعت و ظرفيت پهنای باند پردازنده ها، توليدکنندگان از استاندارد جديد ديگری با نام dual in-line )memory module)DIMMاستفاده کردند.اين نوع بردهای حافظه دارای 168پين و ابعاد 5/4 * 1اينچ ( تقريبا" 14سانتيمتر در 2/5سانتيمتر ) بودند.ظرفيت بردهای فوق در هر ماژول از هشت تا 128مگابايت را شامل و می توان آنها را بصورت تک ( زوج الزامی نيست ) استفاده کرد .اغلب ماژول های حافظه با 3/3ولت کار می کنند .در سيستم های مکينتاش از 5 ولت استفاده می نمايند .يک استاندارد جديد ديگر با نام Rambus in-line memory module ، RIMMاز نظر اندازه و پين با DIMMقابل مقايسه است ولی بردهای فوق ،از يک نوع خاص گذرگاه داده حافظه برای افزايش سرعت استفاده می نمايند. اغلب بردهای حافظه در کامپيوترهای دستی ()notebook از ماژول های حافظه کامال" اختصاصی استفاده می نمايند ولی برخی از توليدکنندگان حافظه از استاندارد ‏small outline dual in-line memory module) SODIMMاستفاده می نمايند .بردهای حافظه SODIMMدارای ابعاد 2 *1اينچ ( 5 سانتيمنتر در 2/ 5سانتيمنتر ) بوده و از 144پين استفاده می نمايند .ظرفيت اين نوع بردها ی حافظه در هر ماژول از 16مگابايت تا 256مگابايت می تواند باشد. انواع حافظه RAM 1- SRAM . ))Static random access memoryاين نوع حافظه ها از چندين ترانزيستور ( چهار تا شش ) برای هر سلول حافظه استفاده می نمايند .برای هر سلول از خازن استفاده نمی گردد .اين نوع حافظه در ابتدا بمنظور cacheاستفاده می شدند. DRAM-2 . ))Dynamic random access memoryدر اين نوع حافظه ها برای سلول های حافظه از يک زوج ترانزيستورو خازن استفاده می گردد . FPM DRAM-3 ‏Fast page mode dynamic random . )access memory)FPM DRAMشکل اوليه ای از حافظه های DRAMمی باشند.در تراشه ای فوق تا زمان تکميل فرآيند استقرار يک بيت داده توسط سطر و ستون مورد نظر ،می بايست منتظر و در ادامه بيت خوانده خواهد شد (.قبل از اينکه عمليات مربوط به بيت بعدی آغاز گردد) .حداکثر سرعت ارسال داده به L2 cacheمعادل 176مگابايت در هر ثانيه است . EDO DRAM -4 ‏Extended data-out dynamic random access . )memory)EDO DRAMاين نوع حافظه ها در انتظار تکميل و اتمام پردازش های الزم برای اولين بيت نشده و عمليات مورد نظر خود را در رابطه با بيت بعد بالفاصله آغاز خواهند کرد .پس از اينکه آدرس اولين بيت مشخص گرديد EDO DRAMعمليات مربوط به جستجو برای بيت بعدی را آغاز خواهد کرد .سرعت عمليات فوق پنج برابر سريعتر نسبت به حافظه های FPMاست .حداکثر سرعت ارسال داده به L2 cache معادل 176مگابايت در هر ثانيه است . SDRM -5 ‏Synchronous dynamic random access )memory)SDRMاز ويژگی "حالت پيوسته " بمنظور افزايش و بهبود کارائی استفاده می نمايد .بدين منظور زمانيکه سطر شامل داده مورد نظر باشد ،بسرعت در بين ستون ها حرکت و بالفاصله پس از تامين داده ،آن را خواهد خواند SDRAM .دارای سرعتی معادل پنج برابر سرعت حافظه های EDOبوده و امروزه در اکثر کامپيوترها استفاده می گردد.حداکثر سرعت ارسال داده به L2 cacheمعادل 528مگابايت در ثانيه است . RDRAM -6 )Rambus dynamic random access memory )RDRAMيک رويکرد کامال" جديد نسبت به معماری قبلی DRAMاست .اين نوع حافظه ها از )Rambus in-line memory module)RIMM استفاده کرده که از لحاظ اندازه و پيکربندی مشابه يک DIMM استاندارد است .وجه تمايز اين نوع حافظه ها استفاده از يک گذرگاه داده با سرعت باال با نام "کانال " Rambusاست . تراشه های حافظه RDRAMبصورت موازی کار کرده تا بتوانند به سرعت 800مگاهرتز دست پيدا نمايند. Credit card memory -7 Credit card memoryيک نمونه کامال" اختصاصی از توليدکنندگان خاص بوده و شامل ماژول های DRAM بوده که دريک نوع خاص اسالت ،در کامپيوترهای noteBookاستفاده می گردد . . PCMCIA memory cardنوع ديگر از حافظه شامل ماژول های DRAMبوده که در notebook استفاده می شود. FlashRam -8 FlashRamنوع خاصی از حافظه با ظرفيت کم برای استفاده در دستگاههائی نظير تلويزيون VCR ،بوده و از آن به منظور نگهداری اطالعات خاص مربوط به هر دستگاه استفاده می گردد .زمانيکه اين نوع دستگاهها خاموش باشند همچنان به ميزان اندکی برق مصرف خواهند کرد .در کامپيوتر نيز از اين نوع حافظه ها برای نگهداری اطالعاتی در رابطه با تنظيمات هارد ديسک و ...استفاده می گردد. VRAM -9 ) VideoRam(VRAMيک نوع خاص از حافظه های RAMبوده که برای موارد خاص نظير :آداپتورهای ويدئو و يا شتا ب دهندگان سه بعدی استفاده می شود .به اين نوع از حافظه ها multiport )dynamic random access memory) MPDRAM نيز گفته می شود.علت نامگذاری فوق بدين دليل است که اين نوع از حافظه ها دارای امکان دستيابی به اطالعات ،بصورت تصادفی و سلاير می باشند VRAM .بر روی کارت گرافيک قرار داشته و دارای فرمت های متفاوتی است .ميزان حافظه فوق به عوامل متفاوتی نظير " : وضوح تصوير " و " وضعيت رنگ ها " بستگی دارد. به چه ميزان حافظه نياز است ؟ حافظه RAMيکی از مهمترين فاکتورهای موجود در زمينه ارتقاء کارآئی يک کامپيوتر است .افزايش حافظه بر روی يک کامپيوتر با توجه به نوع استفاده می تواند در مقاطع زمانی متفاوتی انجام گيرد .در صورتيکه از سيستم های عا گردد حداقل به ويندوز 95و يا 98استفاده می مل 32مگابايت حافظه نياز خواهد بود 64 ( .مگابايت توصيه می گردد) اگر از سيستم عامل ويندوز 2000استفاده می گردد حداقل به 64مگابايت حافظه نياز خواهد بود128 (. مگابايت توصيه می گردد) .سيستم عامل لينوکس صرفا" به 4مگابايت حافظه نياز دارد .در صورتيکه از سيستم عامل اپل استفاده می گردد به 16مگابايت حافظه نياز خواهد بود 64 (.مگابايت توصيه می گردد) .ميزان حافظه اشاره شده برای هر يک از سيستم های فوق بر اساس کاربردهای معمولی ارائه شده است .دستيابی به اينترنت ،استفاده از برنامه های کاربردی خاص و سرگرم کننده ،نرم افزارهای خاص طراحی ،انيميشن سه بعدی و ...مستلزم استفاده از حافظه بمراتب بيشتری خواهد بود حافظه ROM حافظه ROMيک نوع مدار مجتمع ( )ICاست که در زمان ساخت داده هائی در آن ذخيره می گردد .اين نوع از حافظه ها عالوه بر استفاده در کامپيوترهای شخصی در ساير دستگاههای الکترونيکی نيز بخدمت گرفته می شوند .حافظه های ROMاز لحاظ تکنولوژی استفاده شده ،دارای انواع زير می باشند: ‏ ‏ ‏ ‏ ‏ ‏ROM ‏PROM ‏EPROM ‏EEPROM ‏Flash Memory حافظه های فوق در موارد زيردارای ويژگی مشابه می باشند: داد های ذخيره شده در اين نوع تراشته ها " غير فرار " بوده و پس از خاموش شدن منبع تامين انرژی اطالعات خود را از دست نمی دهدند. داده های ذخيره شده در اين نوع از حافظه ها غير قابل تغيير بوده و يا اعمال تغييرات در آنها مستلزم انجام عمليات خاصی است. حافظه PROM توليد تراشه های ROMمستلزم صرف وقت و هزينه باالئی است .بدين منظور اغلب توليد کنندگان ،نوع خاصی از اين نوع حافظه ها را که PROM )Programmable )Read-Only Memoryناميده می شوند ،توليد می کنند.اين نوع از تراشه ها با محتويات خالی با قيمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده از دستگاههای خاصی که Programmerناميده می شوند ، برنامه ريزی گردند. نياز به سرعت دليلي بر وجود حافظه هاي متنوع • چرا حافظه در كامپيوتر تا بدين ميزان متنوع و متفاوت است ؟ در پاسخ مي توان به موارد ذيل اشاره نمود: • پردازنده هاي با سرعت باال نيازمند دستيابي سريع و آسان به حجم باالئي از داده ها به منظور افزايش بهره وري و كارآئي خود مي باشند .در صورتيكه پردازنده قادر به تامين و دستيابي به داده هاي مورد نياز در زمان مورد نظر نباشد ،مي بايست عمليات خود را متوقف و در انتظار تامين داده هاي مورد نياز باشد. حافظه EPROM بمنظور باز نويسی يک EPROMمی بايست در ابتدا محتويات آن پاک گردد .برای پاک نمودن می بايست يک سطح از انرژی زياد را بمنظور شکستن الکترون های منفی Floating gateاستفاده کرد.در يک EPROMاستاندارد ،عمليات فوق از طريق اشعه ماوراء بنفش با فرکانس 253/7انحام می گردد.فرآيند حذف در EPROMانتخابی نبوده و تمام محتويات آن حذف خواهد شد .برای حذف يک EPROMمی بايست آن را از محلی که نصب شده است جدا کرده و به مدت چند دقيقه زير اشعه ماوراء بنفش دستگاه پاک کننده EPROMقرار داد. حافظه های EEPROMو Flash ‏Memory با اينکه حافظه ای EPROMيک موفقيت مناسب نسبت به حافظه های PROMاز بعد استفاده مجدد می باشند ولی کماکن نيازمند بکارگيری تجهيزات خاص و دنبال نمودن فرآيندهای خسته کننده بمنظور حذف و نصب مجدد آنان در هر زمانی است که به يک شارژ نياز باشد .در ضمن ،فرآيند اعمال تغييرات در يک حافظه EPROMنمی تواند همزمان با نياز و بصورت تصاعدی صورت پذيرد و در ابتدا می بايست تمام محتويات را پاک نمود.حافظه های Electrically ‏Erasable Programmable Read Only )Memory)EEOPROMپاسخی مناسب به نيازهای موجود است