ترانزیستور BJT

صفحه 1:
BUT ‏ترانزیستور‎ دکتر سعید شیری تم ‎MICROELECTROOICAS [‏ ج/ © 018001۳۵ Gedral Gavi: 

صفحه 2:
© امقدمه © دراین فصل المان سه ترمینالی دیگری با نام ترانزیستور پیوند دو قطبی (صصه<) منسل علسم()) و یا 9 را بررسی میکنیم. در سال96*0) لختراع شده و با معرفی‌دستگام هانی‌که با ترلنزیستور نیمه هدیک ار میکردند لنقالی‌در دنیا پدید آورد. ترلنزیستور () برلی‌ساهایمتمادیانتخاب اولبرلی‌لنواع دستگاههای‌دیجیتا لو آناوگبود لما در دهه لخیر ببسرعتبا ‎Gaul abd So: Fula DOGREN‏ ۶ لمروزه در مداراتآنا وگو ب خصوص ف رکانسب الا کاربرد زیادودارد. 

صفحه 3:
© یک ترانزیستور 90) از نوع مب از سه قطعه نیمه هادی متصل به هم تشکیل میشود: * یک نیمه هادی ب با نام امیتر ۴ یک نیمه هادی م با نام بیس * یک نیمه هادی ب با نام کلکتور Metal ‘contact Collector 0 موسر Collector ‘region Collector—base junction (CBD) p-type Base region @) netype Emitter Emitter ۳ region Emitter—base junetion (EBD در ناحیه اتصال نیمه هادی ها یک پیوندمم تشکیل میشویمن درم ‎Figure 5.1 A simplified structure of the‏ 

صفحه 4:
# یک ترانزیستور 9) از نوع چم از سه قطعه نیمه هادی متصل به هم تشکیل میشود: * یک نیمه هادی م با نام امیتر ۴ یک نیمه هادی ب با نام بیس © یک نیمه هادی م با نام کلکتور Metal contact ‏م‎ n 7 5# Emitter Base Collector oC region region region B Figure 5.2 A simplified structure of the pnp transistor. 

صفحه 5:
طرز کار ترانزیستور ببس درناحیه فعال ۶ در ناحیه فعال پیوند بیس- امیتر با اعمال ولتاژ خارجی درگرایش مستقیم بایاس شده و پیوند بیس-کلکتور در ‎GULLS‏ ‏معکوس بایاس میشود. Forward-biased Reverse-biased لاع ةلوط 6 ca as ماه || ‏لحت‎ ‎= Yaw + Vea + Figure 5.3 Current flow in an npn transistor biased to operate in the active mode. (Reverse current ‘components due to drift of thermally generated minority carriers are not shown.) 

صفحه 6:
عبور جریان * گرایش مستقیم پیوند بیس-امیتر باعث میشود تا یک جریان نفوذی الکترونها را از ناحیه امیتر به بیس کشانده و متقابلا حفره ها را از بیس به امیتر جذب نماید. © معمولا نسبت ناخالصی امیتر بسیار بیشتر از بیس در نظر گرفته میشود تا نسبت جریان الکترون به حفره بیشتر باشد. *۶ الکترونهانی که از پیوند عبور کرده و وارد بیس میشوند در بیس بعنوان ناقل اقلیت محسوب میشوند که غلظت آنها در مرز امیتر بیشتر و در مرز کلکتور کمتر خواهد بود. در مرز امیتر اين غلظت برابر خواهد بود با ‎age‏ = (0), ۲ تاره _ * تجمع الکترونها در بیس باعث بوجود آمدن ‎near‏ یک جریان نفوذی به سمت کلکتور میشود. ) کارا )ره = © البته تعدادی از الکترونها در بیس با حفره ها ترکیب میشوند که باعث میشود تا جریانی که به کلکتور میرسد کمتر از جریانی باشد که از امیتر می آید. 

صفحه 7:
:* اجريان کلکتور © بعلت اينكه ولتاز كلكتور مثبت است الكترونهائى كه به مرز بيس و كلكتور ميرسند توسط اين ولتاز جذب شده و از ناحيه تخليه كلكتور-بيس عبور كرده و به ناحيه كلكتور ميرسند. * اين جريان تقريبا برابر با جريان بوجود آمده در ناحيه بيس خواهد بود: ۸0۲ < ول دز © دقت شود که مقدار جریان و مستقل از ولتاژ کلکتو است. فقط باید ولتاژ کلکتور مثبت باشد تا پیوند کلکتور-بیس در گرایش معکوس قرار گیرد. 

صفحه 8:
جریان بیس * جریان بیس دارای دو مولفه است: ‎a‏ ‏و ۵ * یکی حفره هائی که از بیس وارد امیتر میشوند: ‎im = NL,‏ * و دیگری جریانی که باید از ببرون تامين شود تا جبران حفره هائی که با الکترونهای جمع شده دربیس ترکیب میشوند را بنماید. ‎LW epee‏ ۷ لوط = 1,{PeNaW 1 7 2 2D,% * از مقایسه جریان بیس با جریان کلکتور به یک رابطه مهم در ترانزیستور میرسیم: ‎ip = i‏ © مقدار ضریب 6 برای یک ترانزیسنور بخصوص تابت بوده و در حد 0 تا 00000 میباشد. این ضریب را بهره جریان امیثر مثترک مینامند. 

صفحه 9:
جریان امیتر © از آنجائيكه جریانی که وارد ترانزیستور میشود با جریانی که از آن خارج میشود برابر است داریم: ‎ig = ictip‏ ۳1۹ و لذا: الخلا - رز og ig = aig =~ 0.99 ‏و با تغییراتی:‎ * 

صفحه 10:
مدل ترانزیستور در ناحیه فعال * دیدیم که در ناحیه فعال یعنی وقتی که پیوند بیس-امیتر در گرایش مستقیم قرار دارد ولتاژ ورم() مقدار آن بطور نمانی با ولتاژ بستگی دارد. ,,() مستقل است. لذا کلکتور ترانزیستور را میتوان بصورت یک منبع جریان | 17 در این لت جویان بیس ضرییی از ‎Br Buby Kl‏ * از اینرو میتوان مدل ترا يستورارا ذراين ناجیه بصورت زیر در نظر گرفت. اين مدل در واقع یک منبع جریان غیر خطی کنترل شونده با ولتاژ است. ۹۳ 7 be ‏زد‎ 2 le = bey) VUE Had @ ty Figure 5.5. Large-signal equivalent-circuit models of the npn BJT operating in the forward active mode. 

صفحه 11:
+ ساختار تراتزیستور & 52 عمل ناحیه کلکتور مطابق شکل زیر ناحیه امیتر را بطور کامل در برمیگیرد تا بتواند تمامی الکترونهای نفوذی به بیس را جمع کند. © بعلت نامتقارن بودن امیتر و کلکتور نمیتوان با عوض کردن آنها به عملکرد مشابهی رسید. 5 

صفحه 12:
‎ss‏ علائم مداری ‏© ترانزیستور با علامت مداری زیر نشان داده میشود. جهت پیکان علاوه بر مشخص نمودن جهت جریان در امیتر جهت ‏جریان را نیز مشخص مینماید. 8 0 ‎B‏ 8 ‎apn pnp ‎@ (b) Figure 5.13 Circuit symbols for BITS. 

صفحه 13:
: ولتاژ لازم برای بایاس کردن ترانزیستور ‎٩‏ شکل زیر نحوه اعمال ولتاژ به ترمینالهای ترانزیستور جهت قرار دادن آن در ناحیه فعال را نشان میدهد. ‏توجه شود که برخلاف ‏۲ که جریان گیت آن صفر بود در 69 جریان بیس صفر نيست از ايفو _/ عب ‎fe‏ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎Figure 5.14 Voltage polarities and current flow in transistors biased in the active mode. ‎ 

صفحه 14:
:: امثال * برای ترانزیستور شکل زیر ‎B=100‏ 5۷ بوده و مقدار .200602-00 در جريان 09 است. مدار را بنحوی طراحی کنید ‎Re‏ ‏که وقتی ولتاژ کلکتور 6 ولت است جریان آن 708 شود. ال ‎Re‏ ‏15۷ (a) Figure 5.15 Circuit for Example 5.1 

صفحه 15:
گرایش معکوس قرار داشته و لذا ترانزیستور در ناحیه فعال قرار خواهد گرفت. ‎٩‏ مقدار مقاومت ‎)٩0(‏ برابر خواهد بود با: :00 ‏جریان‎ Gl? Ogg Ss ‏مقدار‎ * زير بدست مى أيد: ‎ics 2 mA‏ ‎EDC)‏ يبر )مار +07 رو 077415 ۳ ‎tpn le = 2. = 202 mA Ba = vine ‎ 

صفحه 16:
مشخصه ترانزیستور © مشخصه ءرسع: درشکل زیر نشان داده شده است. برای ‎OWE <O.GO‏ جریان بسیار ناچیز است. . رز = ‎ic‏ * در اغلب ‎OOE bas‏ حد (2.26) در نظر گرفته ميشود. ۶ مقدار ‎wd Ll‏ در حه حرارت تغيير ‎Sait‏ م كلا oe OF 7 me) Figure 5.17 Effect of temperature on the 1--Vse characteristic. Ata constant emitter current Figure 5.16 The i-Vae characteristic for an npn transistdPTOKe line), Vaz changes by -2 mV/'C. 

صفحه 17:
:؟ ارابطه جریان و ولتاژ کلکتور با افزایش 0000 از حدی Saturation ‏سس سس مج‎ Active rogion pees ata Le ‏وله‎ an 4 == expands vee ترانزيستور دجارٌ شكست ميشود. برای مقادير ‎O08=-0.F‏ ‏نیزپیوند هنوز وارد ناحیه هدایت نشده است. Figure 5.18 The i.-Vc» characteristics of an npn transistor. 

صفحه 18:
رابطه جریان و ولتاژ 006 ۶ با افزایش ولتاژ ‎Saturation dye OCE‏ 17 هم اندكى تغيير مي ‎see ais‏ / Active region — ‎OOGE JH; 48 Syne &‏ از حدود *4.() كمتر شود ترانزیستور وارد ناحيه اشباع ‏ميشود. ‎Figure 5.19 (a) Conceptual circuit for measuring the i,-Vae characteristics of the BJT. (b) The ic-Vee 

صفحه 19:
مدار معادل ترانزیستور در آرایش امیتر مقلترک Figure 5.20 Large-signal equivalent-circuit models of an npn BIT operating in the active mode in the common. ‘emitter configuration. 

صفحه 20:
نواحی کاری ترانزیستور * در فصلهای قبل دیدیم که هر پیوند دارای سه ناحیه کاری مختلف است: ‎٩‏ ناحیه شکست چندان مطلوب نبوده و از آن اجتناب ميشود. پس با در نظر گرفتن دو ناحیه برای هر یک از پیوند های ترانزیستور میتوان برای آن ۳ ناحیه کاری مختلف در نظر گرفت. با توجه به مطلوب نبودن ناحیه فعال معکوس ‏ترانزیستور فقط در سه ناحیه کار خواهد کرد. ‎CBI ‎Reverse ‎Reverse ‎Forward ‎ ‎Forward ‎ ‎EBS ‎Reverse ‎Forward ‎Reverse ‎Forward ‎ ‎forwardbiased 0 ‘reversebiased © breakdown .O ‎MODE ‎Cutoff ‎Active ‎Reverse Active ‎Saturation ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ ‎ 

صفحه 21:
:* ترانزیستور در ناحیه قطع ۶ در ناحیه قطع هر دو پیوند در حالت گرایش معکوس قرار دارند و داریم: 0< 2000 ۵۵4۵0 , ر6> ۵60۵6-00606 ۶ در اين ناحیه هیچ جریانی از ترانزیستور عبور نخواهد کرد. Ig = he =f, < 0.0 for a BJT in Cutoff 

صفحه 22:
ی ۷-۷ ۶ در اين ناحیه هر دو پیوند ترانزیستور بصورت كراية قرار میگیرند: ۷ 05- یلاخ ۷-۷ 6۳ ۷ 07 2 پور * از اینرو در پیوند کلکتور-بیس علاوه بر جریان دریفت مولفه بزرگی از جریان نفوذی نیز بوجود می آید که با جریان دریفت مقابله میکند. ., “af, ) ae © اين امر باعث ميشود تا جريان +ؤ كمتر از مقدار آن در ناحيه فعال كردد. يعنى در اين ناحيه داريم: | > ‏و1‎ for BIT in SAT 

صفحه 23:
:: اشباع ترانزیستور © وقتی که هر دو پیوند ترانزیستور در حالت هدایت باشند. ترانزیستور وارد ناحیه اشباع خود میگردد. در اینحالت رابطه ‎Bis‏ = ۶ برقرار نمی باشد و ولتاژ 626020۶ در حدود 0.6 باقی خواهد ماند. مدار معادل زیر را میتوان برای اين ناحيه بکار برد: 

صفحه 24:
ترانزیستور 96) بعنوان تقویت کننده * ايده اصلى استفاده از ترانزیستور بعنوان تقویت کننده بر اين پایه است که درناحیه فعال تغییرات ولتاژ 6968() باعث تغییر در مقدار جریان کلکتور ‎Ie‏ ميشود. © بنا براین میتوان از آن بعنوان یک تقویت کننده سحههسل عمج استفاده نمودکه با قرار دادن مقاومت ‎)٩6(‏ درمسیر جریان کلکتور میتوان به یک تقویت کننده ولتاژ نیز دست یافت. © بعلت رابطه غير خطى جريان _1 با 00960 ناكزير بايد ابتدا 00868 را در يك مقدار ‎LL DC‏ نمود تا يك مقدار 06) برای ,1 بدست آید. سپس میتوان سیگنال کوچک ,ره را به بیس اعمال نمود تا جريان ترانزيستور در ناحیه کوچکی ار منحنی ,رز بصورت تفریبا خطی تغییر نماید. 

صفحه 25:
* ابایاس 0)تقویت کننده امیتر مشترک * در یک نقویت کننده امیتر مشترک ولتاژ ورودی بین بیس وامیتر اعمال شده و خروجی بین کلکتور و امیتر گرفته میشود. * مقاومت (80) دو کاربرد دارد: تامين نقطه کار 06) و تبدیل جریان به ولتاژ * ولتاژ خروجی از رابطه زیر بدست می آید: U9 = Uce = Vec~Reic ‏برای ورودی کمتر از 2)0.9,, ولت ترانزیستور قطع بوده‎ * ‏و 0< ميشود لذا خروجى برابر با -ج() خواهد شد.‎ 1 Re eS 8 Figure 5.26 (a) Basie common: emitter amplifier circuit. 

صفحه 26:
‎en ۰ soe‏ ت کننده امیتر ‎ah‏ کت ‏با افزایش ورودی ترانزیستور هدایت کرده و در ناحیه فعال شروع به کار میکند. در اين حالت جریان کلکتور از رابطه زیر بدست می آید. ‎ur‏ سك ‎Tye = Tye‏ ‎5 ‎it ‏و برای خروجی داریم: "ول سيولا > ود با افزایش ورودی بر مقدار و افزوده و مقدار ولتاژ خروجی و یا (6() کاهش می پابد. در صورتی که ولتاژ 068) از .0) کمتر شود پیوند بیس- کلکتور روشن شده و ترانزیستور وارد ناحیه اشباع ميشود. در اینحالت خروجی در حد ‎ts OO Brat‏ ۱ میماند. ‎ ‎ ‎The Teo, = VEE —V cost ‏زم‎ 3 Ro ‎Figure 5.26 Transfer characteristic ofthe circuit in (a) ne ampiner'is biased at a point Q, and a small voltage ‎signal v, is superimposed on the de bias voltage V,. The resulting output signal v, appears superimposed on the de ‎“Gatha=tise villain: Vis gould ‏وا ی بای‎ oF ay ta ne GK, 

صفحه 27:
‎٩‏ برای داشتن یک رابطه خطی بین ورودی سیگنال کوچک و خروجی تقویت کننده ابتدا تقویت کننده در نقطه ای مثل ) بایلس میشود و سپس سیگنال کوچک به ورودی اضافه میگردد. ‏© مقدار كين تقویت کننده برابر است با شیب منحنی مشخصهد تقویت کننده در نقطه کار: ‎۱ ‏اسم‎ = { Vor = Veo-Rele 1 ‎Yael Vac isthe de voltage drop across Rs Wee = Veco — Veg ‏ل‎ at room temperature) ‎ ‎Ie = Ie ‎ ‏توجه شود که این تقویت کننده بصورت ,»سرهعمل میکند. ‏برای اقزایش بهره باید افت ولتاژ روی (86) را افزایش داد. اینکار باعث ميشود تا 6065( کاهش یافته و به ناحیه اشباع نزدیک شود که اینکار باعث حذف قسمتهانی از نوسان منفی خروجی شود که مطلوب نیست. نذا نقطه کار باید طوری انتخاب شود که ضمن بالا نگه داشتن بهره اجازه نوسان کافی به خروجی هم داده شود. 

صفحه 28:
۸۷-۷ 1013 وا * برای یک نقویت کننده امیتر مشترک داریم: ‎Re =6.8kQ‏ ‎(Lill ©‏ مقدار ولتاژ بایاس برای اینکه ۷ ۲۶:32 باشد چقدر است. مقدار جریان 16 در اینحالت چقدر خواهد بود. ‏© ب) مقدار بهره ولتاژ در اين نقطه چقدراست. اگر یک سیگنال سینوسی کوچک با دامنه رم به ورودی اضافه شود نوسان خروجی چقدر خواهد بود. ‎٩‏ ج) حداکثرمقدار مثبتی که با اضافه شدن به 26908) باعث رسیدن ترانزیستور به ناحیه اشباع میشود را پیدا کنید. 0.37 -ي» ‏۰ حداکثر مقدار منفی که با اضافه شدن به 0600 باعث رسیدن ترانزیستور به ناحیه قطع میشود را بدنیی090۷-م» 

صفحه 29:
2 sacral ‏الف)‎ ۶ ‎mV‏ 6908 < ور ‎۷ ‎ ‎15 ae! Vr 3 ‎Ig = Ise —1x10° = 10 ‎ ‎ ‎= = -272 VIV 0.025 ‎Vo = 272< 0.005 - ۷ ‎ ‎= 1.617 mA ‎For uce=03 V, 5 68 ‏ازع این 0۱6۲۲۳۸ 9۸ هی سس و‎ Auge = Vn ‎7 ‎17 ‎ ‎For ty = 0.99Vec=9.9V, ic = ‏شید‎ = 0.0147 mA ‎Todaro cfm mAWOOIE MA ‏مر پر‎ ‎ 

صفحه 30:
تحلیل گرافیکی © رابطه جریان ,زو ,ر, را میتوان بصورت یک خط راست Figure 5.28 Graphical construction for the determination of the de base current in the circuit of Fig. ۳ 1 9 Figure 5.29 Graphical construction for determining the de ‏و و‎ Circuit whose oparadion i to be analyzed prepaitieligar ctirrant 77nd tha'collector ‏ای ات‎ 

صفحه 31:
نیش گرافیکی اعمال سیگذال کوچک Figure 5.30 Graphical determination of the signal components ‏وا‎ J, J, and v,, when a signal component vis ‘paperimpoaed on the do voltage Vag (see Fig..5.27). 

صفحه 32:
ترانزیستور ‎Ol sis DUT‏ سوئیچ برای استفاده از ترانزیستور بعنوان سوئیچ آنرا در ناحیه قطع و اشباع بکار اگر ورودی کمتر از (06.() باشد داریم: .. ‎ig =O, tc =O, and te = Veo‏ اگر ,.0909<00() باشد ترانزیستور وارد ناحیه فعال شده و جریان بیس برابر میشود با Vieeos) = Fe@osRe + Var با افزایش جریان بیس مقدار ولتاژ (6() کاهش می یابد تا ترانزیستور به مرز اشباع( مودسیه۵) ۴) 4())برسد: ‎Leroy 3 1 .‏ = ‎ic = Big‏ باحك = ‎“EPS ip‏ - وممءا 8 با افزايش ورودى از اين مقدار ترانزيستور بيشتر در ناحيه اشباع فروخواهد رفت. مو ار اس 2 رومعه ‎Re ‎ ‎Figure 5.32 A simple cireuit used to illustrate the different ‘modes of operation of the BJT. 

صفحه 33:
مثال 0 * برای ترانزیستور مدار زیر مقدار 8 بین 600 تا 490 استء .© را بنحوی پیدا کنید که ترانزیستور در ناحیه اشباع قرار بگیرد. ۶ وقتی ترانزیستور در اشباع است داریم: ۷ 02 یی م۷ <۷ * در این حالت: ‎low = =98mA‏ * برای اينکه با کمترین مقدا ‎By‏ ترانزیستور ‎any‏ به لشباع برود : ای ای ‎3p = 0.196 ma‏ = و مسا ور © با در نظر گرفتن ضریب 00 دلريم: ‎Ry‏ ‎mA‏ 1.96 = 100.196 = * در اینصورت مقدار مقاومت ,م٩)‏ برابر ‎٩‏ است با: 196 = ‎Mt‏ = ماود Figure 5.33 Circuit for Example 5.3. 

صفحه 34:
‎dal ys)‏ آنالیز 00)ترانزیستور ‎٩‏ ابتدا با توجه به مقادیر بسیار معلوم مسئله ناحیه کاری ترانزیستور را حدس بزنید. ‎٩‏ از روابط اين ناحیه استفاده کرده و مدار را آنالیز کنید. ‏#برای آزمودن صحت فرض اولیه نامعادله ها و شرایط مربوط به آن ناحیه را بررسی کنید. ‏۶ اگر روابط مربوط به ناحیه فرض شده برقرار بود آنالیز خانمه می یابد. در غیر اینصورت باید فرض اولیه را تغییر داده و مستله را از نو حل کنید؛ 

صفحه 35:
:* مثال © * مقادير جريان هاى مختلف مدار زير را مشخص كنيد. * فرض میکنیم که ترانزیستور در ناحیه 0 فعال باشد. با نوشتن را(6) برای بیس داریم: »-O.? —8 (GOH) ,=0 (0 -S.? Therefore iy = CO.O pO لذا براى ساير جرياتها خواهيم داشت: ‎wv free‏ ‎WO ut‏ 995 2 و 99 2 را هب 6960 2 م: 2000 مج 100۷ 

صفحه 36:
** ادامه مثال 6 * برای اینکه از صحت فرض در ناحیه فعال بودن ترانزیستور مطمئن شویم ‎ub‏ این فرض را امتحان کنیم: 20 ما 9 - وی - 001 - 008 لك - - (©6)6.6 - (©00)26.6 - 00.8 < بر 52> :02-958 مى بينيم كه فرض ما صحيح نبوده است. لذا فرض را عوض كرده و جنين مى ينداريم كه ترانزيستور در ناحيه اشباع باشد 

صفحه 37:
ادامه مثال © © برای اینکه ترانزیستور در اشباع باشد شرایط زیر به مدار تحمیل میگردند: ‎Vee = 0.2 V‏ ۷ ۷۵2 07۷ < ولا * برای ‎DO sel‏ مدار نیاز به معادله های ختلفی داریم: 0 عا <عا + وا اي ع 107 ,\-57 ‎GS‏ ‏20 1 تس ‎Vee = Ve - Ve = 0.2 VezVe+02‏ Vec=Ve-Ver0.7 MM Vs =Ve+0.7 

صفحه 38:
ادامه مثال © © با ترکیب معادلات فوق داریم: 57-007 + , 107-02۰10 ۷ ۷ 10 10 10 © با جایگزینی مقدار فوق خواهیم داشت: ‏ ۷۰24۷ ۷-29۷ © و مقادیر جریان: 11154 ديز 02۵۸و 04 083 یز © می بینیم که همه مقادیر جریان مثبت بوده و بعلاوه شرط زیر برقرار است لذا فرض در اشباع بودن ترانزیستور صحیح بوده ‎ic = 083 0۸ ۰۲ 92 277 ۸ ad‏ 

صفحه 39:
:* مثال © * برای تقویت کننده اميتر مشترك زير مقادير زير را بدست آورید: ‎Le, Ie, Te Vee, Veo, Vee‏ * ياسخ: © فرض ميكنيم ترانزيستور در ناحيه فعال باشد. 101 براى اين ناحيه: ‎a‏ ‏و9972 - و 22-2 همه لا 07 - ويلا با نوشتن يك معادله را(6) برای ناحیه ‎INE‏ ا بيس-اميتر داريم: 0- ج22 - عي - ي5:7-103 ‎1M‏ 299+2272-0 - 1022-07 - 57 ل ال تك 210 20K 

صفحه 40:
: ادامه مثال 6 * برای سایر جریانها داریم: 4م 356 - ی - .7 I, = (f +1) I, = 2.380mA mmm Vic= Ve- Ve= 3.58V * برای ولتاژها داریم: ۷ 834 (7,)1- ۷2107 ‎V‏ 2-476 (12)2 +20 ۷ Vee= Vea+ Vee >Veg= Vee- Vog= 2.88 V ‎Vee = 8‏ * در نهايت صحت فرض اوليه را بررسى ميكنيم: 0.21 / 3.58 > مم ‎Tp = 23.8 A>0.0 Be Ss co Ct Oe ‏فزن .در للعية‎ 

صفحه 41:
:: مثل 6 برای مدار شکل زیر جریان و ولتاژ کلکتور را بدست آورید. 100۷ 107۷ ‏پاسخ:‎ e ‏فرض میکنیم ترانزیستور در ناحیه فعال باشد.‎ * براى اين ناحيه: یا ۱-۵ 6۳0 ۷ 0.7 2 ويلا ‎ae‏ ‏برای اينکه بتوانیم معادله را(6) را در بیس-امیتر 2 و 5 ‎erat‏ 7 95 ۱2 بنویسیم» معادل تونن مقسم ولتاز را بدست مى أوريم. 

صفحه 42:
coo 2.۰ 1: 4 ‏ادامه مثال ۰ معادل تونن‎ 99۷ 10K ‏جک‎ ‏مه‎ [x= 22 = 40 ‏مك مه‎ = 8.0 Vand Rin = Vec/Tue = 8/1 = 8K Equivalent Circuit ‘Original Circ! 10.0 Vv 10K 40k Where Vin = Voc 10.0 V 10K 40K 

صفحه 43:
22 ادامه مثال 6 ۶ بنابراین با جایگزینی مدار تونن میتوان معادلات رابصورت زیر نوشت: 8-80 پیلا- 107-21 7۷ | 2k 10.7 - 2(96)ig - 0.7- 8 ig = 8.0 | 0 ra 1 ‏لد‎ . _ 10.7 - 0.7 - 8.0 2 80۷ ۱-5 = 0 2(96) +8 200 ۵ +» ‏یا ۸ عیأ‎ 95)0.01( - 095 mA ۷ < 00+ 41 - ۷ onittercallestor KM 10,7 - 2 ‏بايد صحت فرض اولی بررسی شود: ۰۰ 0 - یز 4 - پرلا- ی‎ ‎V>02 VV‏ 4.98 = )4(0.95 - )0.01( )2(96 - 10.7 د معلا 

صفحه 44:
در شکل زیر ولتاژ کلکتور ترانزیستور ها را بدست آورید. © ياسخ: * فرض ميكنيم هر دو ترانزيستور در ناحيه فعال باشند: 2 100 ديرا همه , نز 100 عه ,لا 0.7 - ينا - ولا 100۷ 17۷ رابطه زیر را برای جریان داریم: ‎baht he‏ از طرفی معلومات مسئله: ۷ - :۱۷ ‎Ver = 5.3V‏ که با استفاده از آن خواهیم داشت: ۷ -0.7 + 5.3< میا + یلاع ۷ ۷ 0.72 - 27.7 ی -ریلا<بیلا 

صفحه 45:
:: ادامه مثال © ۶ با استفاده از روابط بدست آمده داریم:[ ‏ مر 10-6 10-6 2 ‎ig, =i, + ig2 = 4.0 +0.02 = 4.02 mA‏ >—— 7-6 ابا ۶ با دانستن یکی از جریانهای ‎OUT‏ بقیه را نیز میتوان بدست آورد: ‎nz a bi pal in = Se 4.02 = 3.98 mA‏ ۸ 2 (100)0.02 ریا ۸ ديا ‎٩‏ به همین ترتیب برای ولتاژها: ‎Ver = 0.0 + 1 icy = 0.0 + 1(3.98) = 3.98 V‏ ‎icg = 0.0 + 1(2.0) = 2.0 V‏ 1+ 0.0 = م۷ 

صفحه 46:
:: ادامه مثال 6 # در نهایت صحت فرض اولیه یعنی فعال بودن ترانزیستور ها را جك ميكنيم: ‎OM ict = 3.98 mA > OV‏ د 4ر2 يما بلا 0,2 </ا 2.02 - 3.98 - 6.0 - یلا - باعلا م0 < 50۷ < 2.0 - 7.0 ع يلا - ,یلاع 

صفحه 47:
:: |شباهتهای 90۳) و ‎COOG‏ © این دو ترانزیستور از جهات مختلفی به هم شبیه هستند. جدول زیر یک مقایسه مفهومی بین آنها بعمل آورده تا به فهم ساده تر مسائل مربوطه کمک کند. BIT MOSFE Base is analogous to Gate Collector 2 Drain Emitter ۳ Source Cutoff + Cutoff Saturation ۴ Triode Active t Saturation Ua 1 to ‎Ves‏ 5 عو ‎Vos Vee 

صفحه 48:
COOG » OUT cleats “ما جيم 2-6[ يقد ينل د ع4 5050077200 1 0/105 4 1 

صفحه 49:
COOG » OUT cleats vee analogous 3۵ vos SATURATION analogous to TRIODE