کاربردهای گرافن در سلول های خورشیدی

صفحه 1:
Dy aCe ee eee RCSL ناستاد دکتر محمدنژاد ٩۵ ‏خرداد‎ يبيج ربيب 11772 ‎SST‏ 

صفحه 2:


صفحه 3:
Global energy consumption 2014 ۱۱۳۱۵۵۵ 5 سیله ‎٩62‏ ها جذ, 

صفحه 4:
ی 1 ‎Oe seen er ee eo ned oe‏ ورقه دوبعدی ایجاد می شوه که گرافن آنامید می شود 09000 

صفحه 5:
he ‏ی‎ nis ۱ ل ود شش وجهیگرفن مج مقطمی مقاومت شکست ۳ استحکام گرافن ۱۰۰ برابر فولاد است. 

صفحه 6:
۳ ‎eae Cre Tiler) eae ern nnn‏ یی الکتریکی را متوقف کند و «عاموش شوده بنابرین نمی‌توان که گرافن همه خواصی را که از آن انتظار می كاريردهاى الكترونيكى است. ندارد به لين معتى كه كرافن نمىتواندا 0 ee ١ شناخته شده است. برخى از لين راءها عبارتدد الكودار و سوير شبكههاى فشارى 

صفحه 7:
لوانت | تولید نازک ترین لا ۳ 

صفحه 8:
B sy 9 | he تسم ‎ee‏ وه ‎ ‎ ‎RI 

صفحه 9:
در این سلول بدلیل موبلیتیبلا و رسانایی لکتریکی خوب گرافن. ‎eee cu ier) eee‏ Re erm rere cr- Cait antares) ‏درون ساخت مناسبی شکل کیرد‎ 

صفحه 10:
J_-measured J_-calculated 

صفحه 11:
Graphene/GaAs ~. a Eta measured = Eta-caloulated ‎ae ot‏ 5 7۳77 و و و ‎Graphene layer number Graphene layer number Graphene layer number‏ ‎ ‎0 ene eee ee ae beeen oe ae ees ene ‏می‌ناید که بدلیل سهم بزرگ این دو مقاومت در تشکیل ول به عنوان مهمترین عامل محدود کننده "۳ ضریب پری افزایش بافته ‎ ‎2001000100 

صفحه 12:
1 }— Device without doping Doped devi oa 06 08 35008 0 Voltage(V) Voltage(V) با لايش ككرافن توسط 15/۸ چکالی حامل ها فزایش می یابد فا »و را بدنیال دارد با بهینه سازی مناسب آلایش و لایه ضد بات بزده 1۳۵/۸ طبق ا 51000 

صفحه 13:
ا هه Graphene/ aaa ae ‏گرافن در سلول های خورشیدی اس الکترود شفاف‎ ‎rere nS SOS Mee Te ae |‏ سم ‎ ‎| Pee eee eer een e rome 0 ‏ا ا‎ ‎“UR eee oe ere Ra mee ‎ ‎ ‎— 

صفحه 14:
۱ eae forces Ss els Oa Cee ‏عايج ی‎ ND graphene 10 ينابراين از روش عامل دار كردن غير كووالاتسى با ا ل د اا سا ا انليج 

صفحه 15:
هه Graphene/ on aa ١ ‏جمع‎ Bed ‏گرافن در سلول های خورشیدی‎ ۱ ۱ Ee Pes Pe 2 (0 Te 0 Heriot em NC NEST Toa] | جایگزینیبرایش یافت م 0 C10)] 110) ee cate are ‏ری هاى خو‎ ao oan ere “WS WWE ‏سوج‎ ae 

صفحه 16:
2 لح :1 پذیرنده الکترون ۳ ‏به‎ eee ۷ ance peso ات Auminum 

صفحه 17:
AEE ت Graph: Ga. ‏کرافن در ۵۹565 رت الکترود مقابل‎ ania ra ‏مس سس‎ ۳ 00 one EN] 7 1 2222-6 Recaro een ne eRe a ‏در ی مس دنت‎ ۲ ie 1 بخش مادون قرمز طیف خورشیدی است و ع 1 shu ATR 

صفحه 18:
Vv ۱ RC PL 007) Teen ‏موتری جریان اتصال کوتاه و ۴۴ را افزایش می دهد که بدلیل مساحت سحی زیاد‎ ‏و نقص های شیمیایی چندتایی موجود در ورقه هایگرافنی بسیر ناک است که‎ Premera meen car errane gen ry 

صفحه 19:
janic | Graphene/ SCs Gans بدليل نرخ انتقال بايين الكترون از (01 به 1102 يازتركيب الكترون و حفره افزاية eae fee eee acne] ‏تله اندازی حفره ها در‎ ‏اشود‎ —_ 

صفحه 20:
see AEE 09 ganic | Graphene/ ۳/۳ | 565 GaAs با افزایش تعدادلایه های گرافن- 080 اتصال آنها بهبود می یبد ولی ا ا و تور مى رسد كه سيب كاهش جكالى جريان مى كردق 

صفحه 21:
سلول های ی" دیا نقو: تماره ۰06 1966 Dea eet Cw ew Ler areas Nae MEL eel yo a Ey APPLICATIONS", DE GRUYTER OPEN 2015 Deuce RU eee eee eke eed Pee ‏ل‎ hee eC eee) (WJIRAE) ,Issue 1, Volume 2 (January 2015) ۱ eee eRe uae Ra eu Ren an) (IOSRJMCE), Nov- Dec. 2014 Geen eee ‏ل ا‎ 0 wees Ee Cu Ru eur ane ame Le er cae} Sree emer ai rue aca ue ee nod ۱ eta el Teed 

صفحه 22: