میکروسکوپ الکترونی عبوری

میکروسکوپ الکترونی عبوری

اسلاید 1: میکروسکوپ الکترونی عبوریTransmission electron microscopyTEM

اسلاید 2: گردآوری: محمود شریفی تبار احمد کیاستی مهدی مقصودی سرتشنیزی استاد راهنما: دکتر مهدی شفیعی آفارانی

اسلاید 3: میکروسکوپ های الکترونی از سال 1936 توسط شركت موجود بودند. اما از سال 1950 به صورت وسیعی در بررسی فلزات مورد استفاده قرار گرفتند. امروزه با پیشرفتهای وسیعی که در زمینه خود دستگاه و نیز تهیه نمونه حاصل شده است. میکروسکوپ الکترونی خود را به عنوان یک ابزار ارزشمند در مطالعات متالورژیکی مطرح نموده است.مقدمه:

اسلاید 4: ازنظر تاریخی به علت محدودیت تفکیک میکروسکوپ های نوری که از طول موج نور مرئی حاصل می شود میکروسکوپ های الکترونی ارائه شده اند اما بعدها مشخص شد که استفاده از الکترون باعث بهبود همزمان قدرت تفکیک و عمق میدان می شود.چرا باید از الکترون استفاده کرد؟

اسلاید 5: قدرت تفکیک: کوتاهترین فاصله بین دو نقطه که بتوان آنها را در میکروسکوپ به صورت دو جزء جداگانه دید. عمق میدان: محدوده ای که شئ در آن قرار می گیرد و چشم تغییری در کیفیت تصویر آن تشخیص نمی دهد.عمق فوکوس: محدوده ای که در آن تصویر واضح تشکیل می شود، در حالی که جسم در جای مشخص و ثابتی نسبت به عدسی قرار دارد.برخی از تعاریف:

اسلاید 6: بر هم کنش نمونه و الکتروندر اثر برخورد الکترون به نمونه 5 حالت مختلف می تواند روی دهد. 1. بدون هیچ گونه اثری از نمونه عبور کند. 2. به صورت الاستیک پخش شود (فقط جهت الکترون تغییر می کند) 3. متفرق شده و انکسار می یابند. 4. به صورت غیر الاستیک پخش می شوند (هم میزان انرژی و هم جهت الکترون تغییر می کند) 5.جذب می شوند.

اسلاید 7: بر هم کنش نمونه و الکترون

اسلاید 8: تفرق غیر الاستیک به هر فرایند ی که باعث می شود الکترون مقدار محسوسی از انرژی خود را از دست بدهد اطلاق می شود. فرایندهای مختلف تفرق غیر الاستیک عبارتند از: تفرق فنون (phonon scattering) فنون کوانتومی امواج الاستیک ارتعاشات شبکه اتمی در یک جسم جامد است. تفرق پلاسمون (plasomon scattering) پلاسمون یک موج در دریای الکترونها در باند هدایت فلز است. تهییج تک الکترون ظرفیت تهییج مدار داخلی تفرق غیر الاستیک

اسلاید 9: اثرات ثانویهاین اثرات توسط پرتو اولیه بوجود آمده و می تواند در خارج از نمونه آشکار شود.این اثرات عبارتند از: الکترونهای ثانویه الکترونهای برگشتی آرامش اتمهای تهییج شده

اسلاید 10: آرامش اتم های تهییج شده:1.اشعه ی ایکس2. الکترون اوژه

اسلاید 11: میکروسکوپهای الکترونی عبوری (TEM)استفاده های عمومی: تصویر گرفتن از ریز ساختار در بزرگنمایی های 1000 تا 1000000 برابر جزئیات ساختاری با قدرت تفکیک nm1≤ آنالیز عنصری کیفی و کمی اجزایی به کوچکی nm30 تعیین ساختار و جهت کریستالی اجزایی به کوچکی nm30

اسلاید 12: نمونه هایی از کاربرد: تعیین خصوصیات ریز ساختاری فلزات، سرامیکها، مواد زمین شناسی، پلیمرها و مواد بیولوژیکی در بزرگنمایی های بسیار زیاد شناسایی (ترکیب شیمیایی و ساختار بلوری) فازهای غیر آلی، رسوبات و آلودگی ها

اسلاید 13: نمونه ها:شکل: جامدات (فلزات، سرامیک ها، مواد معدنی، پلیمرها و غیره)اندازه: دیسکی با قطر mm3 و ضخامت تقریبی µm5 آماده سازی نمونه: باید برشهایی از نمونه تهیه شده و به کمک الکتروپولیش یا آسیاب یونی نازک شود تا مناطقی از نمونه اجازه عبور الکترونها را بدهد. مناطق شفاف نسبت به پرتو الکترونی نوعا کمتر از nm100 ضخامت دارند

اسلاید 14: محدودیت ها: نمونه سازی بسیار خسته کننده است. حداقل ناحیه آنالیز شده در حدود nm30 است و شناسایی ساختار بلوری به فاز ها و ترکیباتی محدود می شود که در جدول فایل پراش پودری ذکر شده اند (تقریبا 40000 فاز و ترکیب)در کل قابلیت امروزی TEM را می توان مرهون چهار پیشرفت زیر دانست.1. استفاده از چند عدسی جمع کننده 2. پراش الکترونی سطح انتخابی3. نازک کردن نمونه ها برای تهییه نمونه های شفاف در برابر الکترونها 4. تهییه نمونه به روش ماسک برداری

اسلاید 15: مزیت های میکروسکوپ الکترونی(TEM) قابلیت دسترسی به بزرگنمایی های بسیار بالا (به دلیل به کار گیری انرژی بالای الکترونها و درنتیجه طول موج کمتر پرتوها) قابلیت مشاهده ساختمان داخلی فلزات و آلیاژها به دلیل قدرت عبور الکترونهای پر انرژی از نمونه قابلیت بررسی سطوح انتخابی نمونه به دلیل وجود حالت بررسی با پراش الکترونها

اسلاید 16: ساختمان میکروسکوپ الکترونی(TEM):

اسلاید 17: تفنگ انتشار حرارتی (thermionic emission gun) تفنگ انتشار میدانی (field emission gun)تفنگ های الکترونی : تفنگ الکترونی، سیستم تولید کننده الکترون در میکروسکوپ الکترونی است.این تفنگ ها بردو نوع هستند:

اسلاید 18: تفنگ انتشار حرارتی( thermionic emission gun) با عبور جریان از سیم تنگستنی، سیستم گرم شده الکترون و نور تابش می کند. نهایتاً الکترونها در اثر اختلاف پتانسیل بین تنگستن و آند مثبت شتاب می گیرند.

اسلاید 19: هر چه ولتاژ بالاتر و نوک سیم تنگستنی تیزتر باشد آزاد شدن الکترون راحت تر است.افزایش جریان باعث افزایش جریان الکترونها می شود.

اسلاید 20: تفنگ انتشار میدانی (field emission gun) یا FEG: سطح فلز (معمولاً تنگستن) را تحت ولتاژ بالایی قرار می دهند لذا الکترون می تواند سطح فلز را ترک کند

اسلاید 21: تفاوت بین تفنگ های انتشار حرارتی و انتشار میدانی: روشنایی تفنگ انتشار میدانی بیشتر است. در تفنگهای انتشارمیدانی الکترونها برخلاف تفنگهای حرارتی دارای انرژی مشخص هستند.

اسلاید 22: یک عدسی مشتمل بر یک پوسته آهنی و سیم پیچ های مسی است که در میدان مغناطیسی خود به دسته الکترونهای وارد شده نیرو وارد می کند و بر اساس قانون دست راست آن را از مسیر خود منحرف می کند. عدسی:

اسلاید 23: چگونگی حرکت الکترون از درون عدسی مغناطیسی:

اسلاید 24: انواع نواقص: نقص رنگی (chromatic aberrations) این تقصها ناشی از طول موجهای متفاوت برای رنگهای مختلف یک طیف است. برای از بین بردن نقص رنگی می توان از عدسی های متفاوت و ترکیبی از عدسی های مختلف بهره گرفت یا از لامپ های مخصوص و یافیلتر استفاده کرد.

اسلاید 25: نقص تک رنگ (monochromatic of achromatic): نقص کروی نقص آستیکمات نقص اعوجاج

اسلاید 26: انواع عدسی ها: عدسی جمع کننده عدسی شیئ عدسی تصویری

اسلاید 27: سیستم متمرکز کننده دسته الکترون را بر روی نمونه متمرکز می کند.جهت این کار از دو سری عدسی استفاده می شود. عدسی سری اول (c1):میزان باریک شدن پرتو خروجی از تفنگ الکترونی را تنظیم می کند.عدسی سری دوم (c2): جهت تنظیم شدت پرتو استفاده می شود. دریچه متمرکز کننده نیز جهت کنترل مقدار زاویه همگرایی استفاده می شود.سیستم متمرکز کننده:

اسلاید 28: این عدسی جهت ایجاد تصویر اولیه بزرگ شده استفاده می شود. عدسی شیئ:

اسلاید 29: انواع عدسی شیئیعدسی مخروطی: این عدسی بیشتر در میکروسکوپهای SEM استفاده می شود.عدسی فروبر: این عدسی بیشتر در میکروسکوپهای TEM استفاده می شود.

اسلاید 30: این عدسی جهت حصول بزرگنمایی های بالاتر استفاده می شود. هنگامی که پرتو های روشن کننده با محور عدسی شیئ تطابق داشته باشند بهترین تصویر ایجاد خواهد شد. جهت ایجاد این هم راستایی از یک سری کویل (coil) استفاده می شود.ردیف کننده پرتو(alignment):عدسی تصویری:

اسلاید 31: سیستم تصویری: 1. سیستم تصویری – تصویر 2. سیستم تصویری – الگوی پراش

اسلاید 32: سیستم تصویری-تصویر اولین تصویر توسط عدسی شیئ تشکیل می شود این تصویر توسط یک سری عدسی میانی و تصویری به بزرگنمایی های بالاتر می رسد. تصاویر در میکروسکوپ TEM به دو صورت است. تصویر میدان روشن تصویر میدان تاریک

اسلاید 33: تصویر میدان روشن

اسلاید 34: تصویر میدان تاریک

اسلاید 35:

اسلاید 36: سیستم تصویری-الگوی پراشپراش در سطح انتخابی الگوی کیکوچی (Kikuchi)

اسلاید 37: پراش در سطح انتخابی: پراش در سطح انتخابی مهمترین نوع پراش قابل اجرا در میکروسکوپ الکترونی است. در مطالعه بلورها از پراش در سطح انتخابی اطلاعات بیشتری نسبت به خود تصویر حاصل می شود. مخصوصا هنگامی که اندازه گیری جهت و ابعاد شبکه مورد نظر باشد.

اسلاید 38:

اسلاید 39: الگوی کیکوچی گاهی اوقات در الگوی پراش یک سری خطوط موازی دیده می شود که این خطوط به علت تفرق مجدد الکترونهاست که به آن الگوی کیکوچی می گویند

اسلاید 40:

اسلاید 41:

اسلاید 42:

اسلاید 43:

اسلاید 44: گردآوری: محمود شریفی تبار احمد کیاستی مهدی مقصودی سرتشنیزی استاد راهنما: دکتر مهدی شفیعی آفارانیبهار 85

اسلاید 45: تعریف کنتراست بحث های صورت گرفته تا کنون بر اساس اپتیک هندسی بوده است.اپتیک هندسی برای توجه به بزرگنمایی عمق میدان و شرایط کانونی بسیار مفید است اما برای تفسیرتصویر بدست آمده تقریبا بی فایده است. لذا می باید مکانیزم های کنتراست که بیانگراین هستند که چه چیزی در تصویر روشن و چه چیزی در تصویر تاریک است را مورد بررسی قرار داد.

اسلاید 46: منشا شکل گیری کنتراست در TEM زاویه ی حرکتی الکترون هایی که از قسمت فوقانی وارد نمونه می شوند و از قسمت تحتانی خارج می شوند و هم چنین انرژی انها تحت تفرق الاستیک و غیر الاستیک در داخل نمونه قرار دارد. لذا وظیفه ی دریچه ی شیئی که در صفحه ی کانونی پشتی عدسی شیئی (back focal plan) قرار دارد این است که تمامی الکترون هایی که با زاویه ی بزرگتر از ( ά ) متفرق می شوندرا متوقف کند( 1 ≥ ά )

اسلاید 47: مکانیزم های کنتراستکنتراست ناشی از ضخامت- جرمکنتراست پراشیکنتراست فازی

اسلاید 48: مناطقی از نمونه که ضخیم تر هستند و یا چگالی بالا تری دارند الکترون ها را به صورت شدید تری متفرق می کنند ( به عبارتی تعداد بیشتری از الکترون ها تحت زاویه ی بزرگتر از ά متفرق می شوند ) و در تصویر تاریک تر دیده خواهند شد.کنتراست ناشی از ضخامت- جرم

اسلاید 49: کنتراست پراشی 1- کنتراست پراشی – سینماتیکی دست یابی به چنین کنتراستی زمانی ایجاد خواهد شد که نحوه ی جهت کیری کریستال بگونه ای باشد که فقط پرتو منحرف نشده ی عبوری و یکی از پرتو های پراشیده در الگوی پراش حاضر باشند.

اسلاید 50: 2-کنتراست پراشی - دینامیکی اگر طی عواملی الکترون های تفرق یافته بتوانند دوباره به جهت پرتو اصلی باز گردند این کنتراست تشکیل خواهد شد . روابط howie-wehlan که در جا مطرح نشده است بیان می کند که دامنه ی هر کدام از پرتو ها به هنگام عبور از کریستال به دلیل تا ثیر پذیری ازدیگری تغییر می کند. نکته: امکان دارد هر دو مکانیزم جرم و پراش در یک زمان وجود داشته باشد . هم چنین چندین گونه بروز از یک اثر در هر نمونه محتمل است و چون این دو نوع کنتراست دامنه ی موج متفرق شده را بکار می گیرند امکان خطای تشخیص وجود خواهد داشت.

اسلاید 51: کنتراست فازی هر گاه به الکترون های فاز های مختلف اجازه داده شود که از دریچه ی شیئی عبور کنند کنتراست فازی به وجود خواهد امد . چنین کنتراستی زمانی مفید است که به چند پرتو پراشیده اجازه ی عبور از دریچه ی شیئی داده شود. هر جفت پرتویی که تداخل می کنند یک سری رکه در تصویر ایجاد می کنند که این امر با چرخاندن نمونه بهتر صورت می گیرد.

اسلاید 52: مزیت کنتراست ها در TEM تمام نمونه های بلورین ،آمورف، بیولوژیک و غیر بیولوژیک حاوی کنتراست جرم خواهند بود. همچنین هر چیزی که موجب تغییر در صفحات که پراش براگ را ایجاد می کنند بشود توسط کنتراست پراش قابل مشاهده است. همچون نابجایی ها، نقص چیده شدن و دیگر عیوب کریستالی که در زیر به چند مورد اشاره خواهد شد.

اسلاید 53: عیوبعیوب صفحه ایعیوب خطیذرات کوچک بلورینحفره ها

اسلاید 54: عیوب صفحه ای: نقایص چیده شدن (stacking faults)، مرز دانه ها و مرزهای بین فاز ها از این عیوب هستند.کنتراست ناشی از عیوب چیده شدن: به صورت یک سری رگه که موازی با تقاطع عیب با سطح نمونه هستند بروز می کند که ناشی از تداخل پرتوی پراشیده از بخش بالای عیب با پایین عیب است. این پرتو پراشیده در عیب از لحاظ فاز با هم متفاوتند که ایجاد کنتراست فازی می کنند.

اسلاید 55:

اسلاید 56: کنتراست ناشی از مرز دانه ها یا مرز بین فازها:به صورت یک سری رگه موازی با محل تقاطع مرز دانه ها با سطح دیده خواهند شد

اسلاید 57: عیوب خطی: نابجایی ها: در نزدیک نابجایی ها صفحات شبکه به صورت نسبتا شدیدی خمیده هستند. صفحات خمیده با جهت براگ منطبق بوده نتیجتا بسیار قویتر از صفحات اطراف خود باعث پراش پرتو الکترونی می گردند. لذا نابجایی های لبه ای در تصویر TEM به صورت یک خط تیره دیده می شوند. تصویر نابجایی های پیچی هم به همین صورت می باشد.

اسلاید 58:

اسلاید 59: این ذرات همچون نابجایی ها ایجاد کرنش در زمینه می کنند و باعث خمیده شدن صفحات شبکه می شوند و اثری همچون نابجایی ها در تصویر خواهند داشت. همچنین به دلیل داشتن جرم اتمی، چگالی و ... مختص به خود ایجاد کنتراست جرمی خواهند کرد.ذرات کوچک بلورین:

اسلاید 60: حفره ها: وجود حفره ها باعث تغییر موضعی شدید در چگالی نمونه می شود. نتیجتا تصویر حفره از طریق کنتراست جرم ایجاد خواهد شد. لذا در تصاویر میدان روشن حفره روشن تر از بقیه نقاط دیده خواهد شد.

اسلاید 61:

اسلاید 62:

اسلاید 63:

اسلاید 64: آماده سازی نمونه در TEMCross-Sections of Thin Films نمونه مورد استفاده در TEM ضخامت بسیار کمی (درحد نانومتر) دارد برای این منظور (ساختن نمونه با ضخامت کم ) از تکنیک های گوناگونی استفاده می کنیم که عبارتند از :

اسلاید 65: الکتروپولیش پولیش شیمیاییپولیش مکا نیکیسایش یونی و اتمی میکروسکپ های پرتو یونی متمرکز (FIB)شکست در امتداد صفحات کریستالی کلیواژ(CLEAVING)اولترا میکروتمی(ULTRAMICROTOMY)استفاده از رپلیکا(REPLICATION )

اسلاید 66: الکتروپولیش در نمونه های آهنی نمونه به صورت آند در سلول الکترولیت قرار می گیرد. وبا عبور جریان آند نازک شده وبر روی کاتد رسوب می کند این عمل تا مرحله سوراخ شدن نمونه پیش می رود. Electro chemical Thinning

اسلاید 67: معمولا نمونه ها بر روی دیسک هایی توری شکل که در آنالیز تداخل نمی کنند قرار می گیرد تا نمونه تقویت شود. دراین روش ضخامت نمونه ها از 0.1 میلیمتر به 0.1 میکرو متر می رسد.

اسلاید 68: پولیش شیمیایی درنمونه ها ی غیر فلزی از نا زک کردن شیمیایی با اسید ها بدون اعمال پتانسیل استفاده میشود. نمونه را در اسید قوطه ور می کنیم ویا اسید را به مر کز نمونه می پاشیم که نمونه تا مرحله سوراخ کردن پیش برود. این روش غالبا در نیمه هادی ها به کار می رود و از نسبت 1به 5 اسید هیدروفلوریک نیتریک برای SI یا BR و CL در متا نول برای نیمه هادیهای دیگر به کار می رود.

اسلاید 69: پولیش مکا نیکی در اولین مرحله از فرایند نمونه سازی از این روش استفاده می کنیم. در این روش ازکاغذ هایی با ذرات SIC استفاده میکنیم این کاغذ ها بر مبنای اندازه ذرات از کسری ازمیلیمتر تا میکرون درجه بندی شده اند که بر روی صفحات چرخان نصب میشوند و نمونه ها را در نمونه گیر قرار میدهیم وبر روی این صفحات میگیریم تا پولیش شوند در نهایت ازپودر 1 میکرونی الماس که در روغن معلق است استفاده میکنیم .این فرایند در دو طرف نمونه اجرا میشود. نوع دیگر این فرایند به گونه ای می باشد که یک دستگاه وسط نمونه ی دیسک مانند را تا مرحله سوراخ شدن نازک می کند.

اسلاید 70: Mechanical Thinning

اسلاید 71: سایش یونی و اتمی در اين روش از دو نوع تفنگ استفاده مي كنيم. يكي از نوع گاز آرگون و ديگري كه در ميكروسكوپ هاي پرتو يوني متمركز به كار مي رودکه موسوم به تفنگ يوني انتشار ميدان از گاليم مايع است. اين تفنگ با تاباندن يونها يا اتم با انرژي بالا تحت زاويه كمتر از 10 درجه به نمونه باعث بيرون انداختن اتم هاي نمونه مي شوند، در اين روش از دو تفنگ در دو طرف نمونه استفاده مي شود. اين كار تا مرحلة سوراخ شدن نمونه ادامه مي يابد

اسلاید 72:

اسلاید 73: Ion Beam Thinning

اسلاید 74: ميكروسكوپ هاي پرتو يوني متمركز((FIB در اين روش يون هاي گاليم به صورت پرتويي از گاليم مايع از طريق اعمال ميدان جدا مي شوند و بعد در خلاء شتاب داده مي شوند با برخورد اين پرتو يوني به نمونه الكترون هاي ثانويه منتشر مي شوند. بنابراين با حركت روبشي پرتو يوني مي توان تصويري از نمونه بدست آورد. كه اين همان FIB مي باشد. با اين روش پرتو يوني مي توان مقاطع دقيق TEM را بدست آورد. و در نيمه هادي ها كاربرد دارد. در اين روش براي جلوگيري از آسيب ديدن نمونه توسط پرتو يوني يك لايه بر روي نمونه قبل از قرار دادن نمونه در FIB مي كشند.

اسلاید 75: چون نرخ برداشت نمونه در اين روش كم است، نمونه ابتدا توسط روش مكانيكي تا چند ده ميكرون نازك مي شود.

اسلاید 76:

اسلاید 77: شكست در امتداد صفحات كريستالي ياكليواژ در صورتي كه نمونه مورد نظر يك تك كريستال باشد با شكستن آن Cleaving كه روي يك سري صفحات خاص مي باشد مي توان به مقادير كوچكي از مواد شفاف در برابر پرتو الكتروني دست يافت. وقتي كريستال روي اين صفحات مي شكند به دليل زاويه 90 درجه صفحات نسبت به هم يك منطقه نازك در لبه ها به وجود مي آيد و قابل بررسي در TEM است.

اسلاید 78: اولترا ميكروتمي در اين روش نمونه اي با سطح یک میلیمتر مربع كه ثابت است از مقابل كاردي الماسي عبور مي كند. برش ها تهيه شده در يك ظرف حاوي مايع جمع آوري شده. و براي بررسي بر روي پايه نگهدار قرار مي گيرند. اين روش براي نمونه هاي پليمري به كار مي رود.

اسلاید 79: ((ULTRAMICROTOMY

اسلاید 80: استفاده از رپليكا در اين روش بجا ي آنكه تمام نمونه تا حد شفافيت در مقابل الكترون نازك شود اين كار را با قرار دادن يك لايه نازك كربن در خلاء انجام مي دهيم. يعني از سطح نمونه رپليكا تهيه مي كنيم.Indirect Replication

اسلاید 81: براي تهيه كربن اتمي از دو ميلة كربني كه در بين آنها قوس الكتريكي به وجود آورده شده استفاده مي كنيم. كربن اتمي را روي تمام سطوح محفظة خلاء كه در ديد مستقيم منبع باشند از جمله نمونه نشانده مي شود. اين لايه در حدود چند نانومتر است. در مرحلة بعد اين لايه به قطعات يك ميليمتر مربعي تقسيم و اين قطعات را در مايع شناور مي كنيم. تا اين لايه از سطح جدا شود. و بعد براي بررسي روي نگهدارنده قرار مي گيرد. در اين روش از طريق اختلاف ضخامت كربن نشانده شده روي سطوح مختلف و يا با لايه نشاني مجدد يك فلز سنگين مثلاً پلاتين تحت زاويه نسبت به سطوح ساختار سطح نمونه تعيين مي گردد.

اسلاید 82:

اسلاید 83: رپليكاي استخراجي از مشتقات اين روش است. شيوة كار در اين روش به گونه اي است كه اگر نمونه حاوي ذرات ريز فاز ثانويه قابل آشكار شدن توسط اچ باشد مي توان اين ذرات را از نمونه بر روي رپليكا استخراج كرد. بنابراين رپليكا استخراجي حاوي اطلاعاتي در مورد اندازه شكل و توزيع ذرات در نمونه اصلي مي باشد. اين ذرات روي رپليكا را مي توان توسط روش هاي گوناگون آناليز كرد.رپليكاي استخراجي

اسلاید 84:

اسلاید 85: منابع اصول و کاربرد میکروسکوپ های الکترونی و روش های نوین آنالیز دکتر پیروز مرعشی-دکتر سعید کاویانی-دکتر حسین سرپولکی-دکتر علیرضا ذوالفقاری روش شناسایی و آنالیز مواد دکتر گلستانی-دکتر بهره ور-دکتر صلاحی ابزار شناسایی ساختار مواد یوسف خرازی-امیر شیخ غفور اصول متالورژی فیزیکی رید هیل-رضا عباسچیان

اسلاید 86: http://micro.magnet.fsu.edu/primer/java/electronmicroscopy/magnify1/index.htmlhttp://www2.gsu.edu/~mkteer/semfaq.htmlhttp://www.unl.edu/CMRAcfem/semoptic.htmhttp://www.uq.edu.au/http://www.scharfphoto.com/http://www.matter.org.uk

اسلاید 87: با تشکر از کلیه ی کسانی که ما را در تهییه ی این پروژه یاری کردند.بهار 85