نیمه رساناها

صفحه 1:
١ ۱۳۴ do ۳ ‏نیت‎ 0 0۲0۲ ( 

صفحه 2:
بلور سیلیسیم 

صفحه 3:
1 fe Si Ge Sn 

صفحه 4:


صفحه 5:
1 1 Ww v 20 | an 2 Ga Zine _| Gallium 32 33 Ge As [Germanium | Arsenic 35 Se Selenium InSb 5 GaAs [gl cy 45 9920 ساختار لو انها اس Three outer N-shell outer N'shell 

صفحه 6:
Bera ‏ار ار‎ leer ‏حعث © ار را‎ ‎sone‏ نه طرف ای حایجا می شور که | 2 ‎ ‏پا رت ار ‎ 

صفحه 7:
جیوه حامی ا ‎Vie‏ ‎LD‏ ساختارى همانند سولفيد روى دارند 5616 از جمله تركيبانكروه / -/ا هستند 

صفحه 8:
‘bandgap energy | af Fermi level ابا ادا ‎(vB)‏ a 3 5 eg a 8 g 3 2 a Semiconductor Insulator > ۳ Tee (conductor) (insulator) (semiconductor) تسس Fermi surface, 2 |W |O 

صفحه 9:
سای مه رانا ها در بل رساا ها سار کری را ار را ار انرژی نوار رسانش 

صفحه 10:
mim. ‏را جرم‎ te ‏لور الکترون‎ of or 6 v ‏انعم بانسو عام نوا‎ 7 si ‏اكه‎ AM lok # Ge shh aS ۳۹ 2 7 6 1۳ “te ar w our ‏هرچه نوار پهن تر باشد جرم الکترون بیشتر است‎ 7 Gas # nas ‏كاف ابرزى درک نیمه رسانا بر سب دما تعیر می كيز‎ ۳ 3 ۸ ۱ 7 nso se tt Sylgi plisbly 9 aSuw col ji Las Joel il _» ake 7 7 Cis 1 ‏كند‎ oto ۳ w case ۳ “at ve cate any aa w ‏كم‎ ‎5 ‏قد 0 ا‎ 3 tw ite 0 7 9 mS 1۷ on om Pise “x my #۲ ‏کی‎ 

صفحه 11:
با تشکر از توجه شما